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最新专利技术
  • 修剪装置
    修剪装置_菲斯卡斯芬兰有限公司_202480039773.2
    本申请涉及一种修剪装置，所述修剪装置包括：修剪装置本体；切割系统；适于为切割系统提供驱动力的电机(4)，其中电机(4)沿第一方向的旋转适于提供切割运动；以及用于控制电机(4)的控制系统(5)。该修剪装置还包括刀片卡滞检测系统(9)，所述刀片...
    2026-02-15
  • 晶圆键合平台及晶圆键合方法
    晶圆键合平台及晶圆键合方法_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202610043809.5
    本发明属于半导体材料键合技术领域，公开了一种晶圆键合平台及晶圆键合方法。该晶圆键合平台包括腔室，腔室包括上压头模组、下压头模组和交接工装，交接工装通过基座固定于腔室内，基座上设有驱动结构用于驱动交接工装沿竖直方向升降，交接工装上设有避让空间...
    2026-02-15
  • 真空键合设备和真空键合方法
    真空键合设备和真空键合方法_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202610043532.6
    本发明属于半导体键合技术领域，公开一种真空键合设备和真空键合方法。真空键合设备包括第一键合模组和第二键合模组，第一键合模组的第一压头设置于第一真空腔室内；第二键合模组的安装基板能够与压机的输出端连接，波纹管的一端与安装基板或压机输出端连接，...
    2026-02-15
  • 一种高强度快速混合键合方法
    一种高强度快速混合键合方法_上海大学_202511648994.2
    本发明涉及异质集成、三维集成和先进封装技术领域，公开一种高强度快速混合键合方法，基于第一参数，在衬底表面旋涂光刻胶，烘烤后曝光，再浸润于显影液中显影；先在衬底表面沉积钛层，再蒸镀铜层；将衬底浸润于去胶液中剥离并施加超声振动；基于第二参数，在...
    2026-02-15
  • MOS管弹片压紧结构及散热结构
    MOS管弹片压紧结构及散热结构_中科意创(广州)科技有限公司_202511533659.8
    本发明公开了MOS管弹片压紧结构，包括弹片，还包括支撑板以及可附接到散热基座或承载结构上的第一固定块和支架，支撑板可拆连接于第一固定块和支架之间；弹片均设于支撑板上，且弹片的自由端朝MOS管所在方向倾斜。本发明实现MOS管通过弹片固定时，兼...
    2026-02-15
  • 封装和形成封装的方法
    封装和形成封装的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511087799.7
    提供一种封装和形成封装的方法。根据实施例，提供一种封装。所述封装可以包括电子芯片和在电子芯片之上的至少一个氢氧化镁层(Mg(OH)22)。
    2026-02-15
  • QFN封装结构及其制造方法
    QFN封装结构及其制造方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511626762.7
    本发明涉及QFN封装技术领域，具体为QFN封装结构及其制造方法，包括QFN封装本体，所述QFN封装本体的底部套设有保护罩，保护罩和QFN封装本体之间夹持有橡胶夹片，保护罩的顶面插接有拨片，拨片的底面固定有橡皮块；有益效果为：通过在QFN封装...
    2026-02-15
  • 一种纳米线转接板及其制备方法和在电子封装中的应用
    一种纳米线转接板及其制备方法和在电子封装中的应用_哈尔滨工业大学_202511568502.9
    本发明公开了一种纳米线转接板及其制备方法和在电子封装中的应用，属于集成电路芯片封装技术领域。本发明解决了现有转接板存在的互连密度、导通能力以及高频信号完整性等有待提高的问题。本发明采用多孔阳极氧化铝为转接板主体，利用其可调控的孔道密度和孔径...
    2026-02-15
  • 管芯附接膜结构和包括其的半导体封装
    管芯附接膜结构和包括其的半导体封装_三星电子株式会社_202511064249.3
    提供了管芯附接膜结构和包括其的半导体封装。该管芯附接膜结构包括切割膜、绝缘粘合层和导电粘合层，绝缘粘合层包括上表面和与上表面相反的下表面，绝缘粘合层的下表面接触切割膜的上表面并包括绝缘填料，导电粘合层接触绝缘粘合层的上表面并包括导电填料。
    2026-02-15
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星电子株式会社_202510313392.5
    提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括：第一再分布基板；安装在第一再分布基板上并且彼此水平间隔开的第一和第二半导体芯片；第一模制层，其被设置为围绕第一和第二半导体芯片并且暴露第一和第二半导体芯片的底表面；桥接芯片，其安装在第...
    2026-02-15
  • 扇出型半导体封装件
    扇出型半导体封装件_爱思开海力士有限公司_202510275672.1
    一种扇出型半导体封装件包括：半导体芯片；设置在半导体芯片上的金属柱；设置在金属柱上的接合金属层；设置在接合金属层上的接合布线；在半导体芯片上方并且围绕金属柱、接合金属层和接合布线的密封层；以及设置在密封层和接合布线上的重分布层。
    2026-02-15
  • 一种半导体功率器封装装置
    一种半导体功率器封装装置_江苏铨力微电子有限公司_202511991619.8
    本发明提供了一种半导体功率器封装装置，涉及芯片封装技术领域，包括：放置条和封装机构，所述封装机构设置位于所述放置条的顶部；所述封装机构包括第一注胶出口管、顶部第二注胶出口管、底部第二注胶出口管和连通口；所述第一注胶出口管位于所述顶部第二注胶...
    2026-02-15
  • 一种晶圆级超平整氮化硼/石墨烯异质薄膜的制备方法及应用
    一种晶圆级超平整氮化硼/石墨烯异质薄膜的制备方法及应用_北京大学_202511579765.X
    本发明公开了一种晶圆级超平整氮化硼/石墨烯异质薄膜的制备方法及应用，属于二维材料与集成电路封装技术领域。本发明通过超平整单晶氮化硼膜的逐层干法转移，实现了对石墨烯等二维材料进行完整封装；本发明的氮化硼/二维材料/氮化硼异质薄膜结构中，超平整...
    2026-02-15
  • 扇出型系统级封装方法及封装结构
    扇出型系统级封装方法及封装结构_南通通富科技有限公司_202511553681.9
    本公开实施例提供一种扇出型系统级封装方法及封装结构，该方法包括：在临时载盘上形成至少一层重布线层；在重布线层的第一表面形成多个导电柱；将多个第一芯片贴装于重布线层的第一表面；形成包裹导电柱和第一芯片的第一塑封层；对第一塑封层进行切割，之后去...
    2026-02-15
  • 封装方法、封装结构及包封模具
    封装方法、封装结构及包封模具_长电科技(宿迁)有限公司_202511493095.X
    本发明提供一种封装方法、封装结构及包封模具，半导体结构的散热板的防溢料区与包封模具顶壁内表面之间为过盈配合，使得在合模步骤中在扣合压力的作用下包封模具顶壁内表面会挤压防溢料区，使其变形，从而将散热板的散热区与半导体结构的待包封区域隔离，在塑...
    2026-02-15
  • 一种新型FCQFN产品封装结构及制作方法
    一种新型FCQFN产品封装结构及制作方法_日月新半导体(苏州)有限公司_202511358656.5
    本发明公开了一种新型FCQFN产品封装结构及制作方法，包括：步骤一：准备承载板，在所述承载板上涂覆解离膜，所述承载板上方设置芯片，所述芯片的上方设置金属接点；步骤二：在所述芯片的外围设置塑封层；步骤三：将承载板去除；步骤四：在芯片的金属接点...
    2026-02-15
  • 一种提升纳米银烧结可靠性的半导体器件制备方法
    一种提升纳米银烧结可靠性的半导体器件制备方法_华通芯电(南昌)电子科技有限公司_202511721309.4
    本发明提供了一种提升纳米银烧结可靠性的半导体器件制备方法，所述方法包括：S1、制备目标半导体芯片2；S2、提供一承载框架1，通过纳米银焊膏3将所述目标半导体芯片2封装在所述承载框架1上，以得到第一半成品；S3、对所述目标半成屏进行纳米银烧结...
    2026-02-15
  • 一种功率芯片封装用键合结构及键合方法
    一种功率芯片封装用键合结构及键合方法_上海航天电子通讯设备研究所_202511051795.3
    本发明涉及微电子封装技术领域，尤其涉及一种功率芯片封装用键合结构及键合方法。该键合结构包括：键合衬底、键合层、功率芯片，其中：所述键合层位于所述键合衬底和所述功率芯片中间；所述键合层是通过交替沉积的高温金属和低熔点钎料的等温扩散形成；所述键...
    2026-02-15
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_杰华特微电子股份有限公司_202510135168.1
    本申请提供了一种半导体封装结构及其制造方法，该制造方法包括：在半导体管芯上形成种子金属层，种子金属层与半导体管芯上的接合焊盘电性接触；在种子金属层上形成重布线层；形成图案化的绝缘层，图案化的绝缘层具有形成至少一个第一开口和至少一个第二开口；...
    2026-02-15
  • 一种大、小两芯片的紧凑型封装结构的制备方法
    一种大、小两芯片的紧凑型封装结构的制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610042433.6
    本发明属于芯片封装技术领域，特别属于一种大、小两芯片的紧凑型封装结构的制备方法。在载板表面制作出线路、电容焊盘、贴装位、基板焊盘；在基板焊盘上形成高铜柱，对结构模塑封装形成塑封体，对塑封体减薄直至暴露出高铜柱的横截面，在该横截面上电镀形成镍...
    2026-02-15
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