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最新专利技术
  • 一种高精度压力控制固晶机
    一种高精度压力控制固晶机_深圳市昌富祥智能科技有限公司_202511520782.6
    本发明属于芯片加工技术领域，且公开了一种高精度压力控制固晶机，包括工作台，所述工作台的底端固定有支撑腿，所述工作台的顶端固定有滑轨，所述滑轨的外部设置有上料机构，所述工作台的顶端固定有固晶机构，所述工作台的顶端固定有调节机构，所述工作台的顶...
    2026-02-16
  • 方法和系统
    方法和系统_库力索法荷兰有限公司_202511435821.2
    本发明提供一种方法和系统。该方法包括：确定安装在激光辅助转移系统中的分立组件装配体的分立组件和目标基板上的目标位置之间的对准误差，该分立组件装配体包括通过动态释放层附着至支承件的分立组件；基于该对准误差来确定光束偏移特性；以及将指示该光束偏...
    2026-02-16
  • 基板处理方法及基板处理装置
    基板处理方法及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202511087586.4
    本发明提供基板处理方法及基板处理装置。基板处理装置(1)具备：步骤S2(浸渍过程)，使将铅垂姿势的基板(W)沿水平方向排列而构成的基板列浸渍于硫酸；步骤S3(提起过程)，将基板列整体从硫酸提起；以及步骤S5(喷雾供给过程)，向提起后的基板列...
    2026-02-16
  • 激光退火设备、加热工件台上下片装置及其方法
    激光退火设备、加热工件台上下片装置及其方法_上海芯上微装科技股份有限公司_202411047489.8
    本发明提供一种激光退火设备、加热工件台上下片装置及其方法，所述上片方法包括：升降机构于交接位承接基板，并将基板由交接位降至中间工位；升降机构将基板由中间工位降至工件台表面，并在此过程中利用工件台对基板热辐射至预设温度。所述下片方法包括：基板...
    2026-02-16
  • 一种喷嘴装置、半导体处理设备及供气方法
    一种喷嘴装置、半导体处理设备及供气方法_无锡先为科技有限公司_202411040409.6
    本发明公开一种喷嘴装置、半导体处理设备及供气方法；所述喷嘴装置包括：主体，其内部设有进气通道，其下端设有与进气通道连通的出气部；出气部包括呈环形的出气壁及贯通所述出气壁的多个出气孔组。出气壁包括：第一环形区域，其具有统一的第一外径；第二环形...
    2026-02-16
  • 一种精密的空气加热装置
    一种精密的空气加热装置_西安稳能微电子科技有限公司_202311808018.X
    本发明涉及精密加热装置领域，尤其涉及一种精密的空气加热装置。在加热器支架(4)上安装有PTC加热器(6)；所述加热器支架(4)设置在加热箱(1)的内下部上方，PTC加热器(6)设置在加热器支架(4)的上方，侧封板(5)设置在PTC加热器(6...
    2026-02-16
  • 一种硅片清洗机
    一种硅片清洗机_江苏山水半导体材料有限公司_202511702938.2
    本发明涉及硅片清洗装置技术领域，具体为一种硅片清洗机，包括控制箱，所述控制箱的内侧固定连接有安装架，所述安装架的一侧安装有第一电机，所述第一电机的内侧安装有超声波清洗机，所述超声波清洗机的内侧安装有用于滚动清理硅片的转动机构，所述超声波清洗...
    2026-02-16
  • 控片回收使用方法及系统、计算机可读存储介质
    控片回收使用方法及系统、计算机可读存储介质_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511667731.6
    本发明提供一种控片回收使用方法及系统、计算机可读存储介质。该控片回收使用方法包括：将清洗条件相同的多个晶片盒中的多片控片的编码均记录在数据库中，数据库记载的清洗条件相同的所有控片默认为同一个虚拟批次；对多片控片进行相同条件的清洗；在数据库中...
    2026-02-16
  • 降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法
    降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587252.3
    本发明提供一种降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法。该方法应用于对经过干法刻蚀的晶圆进行湿法清洗，包括：采用低电导率的第一清洗液对晶圆进行第一清洗处理，通过先降低转速形成厚液膜以物理性分散带电聚合物，再提高转速将污染物甩离晶圆；采用电导率高于第...
    2026-02-16
  • 一种晶种自动酸洗线
    一种晶种自动酸洗线_昆吾先进材料(江西)有限公司_202511490558.7
    本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种晶种自动酸洗线，包括有驱动设备、石英花篮和清洗箱；驱动设备上连接有石英花篮；驱动设备下方放置有清洗箱；清洗箱内设置有四个清洗槽；还包括有防尘罩；清洗箱上固接有防尘罩；清洗箱左侧和右侧均安装有电动阀门；每个清...
    2026-02-16
  • 一种热滑移解键合方法、热场监控结构及热滑移解键合设备
    一种热滑移解键合方法、热场监控结构及热滑移解键合设备_湖北九峰山实验室_202511665321.8
    本发明涉及一种热滑移解键合方法、热场监控结构及热滑移解键合设备。所述热滑移解键合方法包括：S10.获取由上晶圆和下晶圆相键合的键合晶圆，加热所述键合晶圆至解键合温度；S20.驱动所述键合晶圆的至少一侧以使得所述上晶圆和所述下晶圆发生滑移，同...
    2026-02-16
  • 半导体结构的切割方法
    半导体结构的切割方法_清华大学_202511593360.1
    本申请提供了一种半导体结构的切割方法，涉及半导体技术领域。该切割方法包括：沿第三方向将预设光束聚焦在半导体结构内部的目标位置处，形成第一初始纳米损伤结构。基于第一初始纳米损伤结构的位置以及预设光束的脉冲间隔，形成多个干涉增强点。预设光束和半...
    2026-02-16
  • 基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法
    基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法_浙江大学_202610007704.4
    本发明涉及一种基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法，属于半导体表面超精密切削加工技术领域，该方法包括搭建力伺服辅助切削加工装置，并为其配置力检测模块；结合力伺服辅助切削加工装置和力检测模块扫描半导体多晶工件，获得多个晶界点，基于...
    2026-02-16
  • 一种解键合设备和解键合方法
    一种解键合设备和解键合方法_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511720811.3
    本发明公开了一种解键合设备和解键合方法。该解键合设备包括：第一卡盘，用于抓取键合件中的上晶圆；第二卡盘，用于吸附键合件中的下晶圆；多个力传感器，分布于第二卡盘中，用于检测第二卡盘多个区域与下晶圆接触过程中的受力状态；控制器，被配置为：在第二...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构的平坦化方法
    一种半导体结构的平坦化方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411079157.8
    本申请提供一种半导体结构的平坦化方法，通过第一离子束刻蚀工艺可以对膜层表面起伏度即第一高度差异进行初步修平。利用第二离子束刻蚀工艺，借助膜层以及结构、密集度差异性，对第二半导体结构的不同区域间重新创造出新的表面起伏度差异，增大高度差，即在表...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411075682.2
    本申请提供一种半导体结构的制造方法，利用第一刻蚀工艺对半导体结构的第一形貌进行修饰，得到过渡形貌，第一刻蚀工艺的第一入射角度根据第一起伏度差值、刻蚀速率以及等效入射角之间的第一对应关系确定，第一起伏度差值为第一形貌中第一最高点和第一最低点之...
    2026-02-16
  • 晶圆处理方法及半导体器件
    晶圆处理方法及半导体器件_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511963437.X
    本申请涉及一种晶圆处理方法及半导体器件，包括：提供待处理的晶圆键合结构；执行第一晶边修整，以至少去除第二晶圆的晶边部，第一晶边修整的宽度小于预设修整宽度；执行研磨减薄工艺，以对第二底部支撑层进行减薄；执行刻蚀工艺，以去除第二底部支撑层的剩余...
    2026-02-16
  • 一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用
    一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用_甬江实验室_202511410064.3
    本申请公开了一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用，属于晶圆加工技术领域。该方法包括：提供晶圆，在所述晶圆一侧表面上目标区域的表层进行激光处理形成隐形损伤层；在所述晶圆具有所述隐形损伤层一侧的表面复合支撑层；对所述晶圆背离所述复合支撑层一侧的表面进...
    2026-02-16
  • 一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法
    一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202511701166.0
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法。首先在衬底表面涂覆第一光刻胶层，高温坚膜，曝光显影，曝光区域为待制备铝条的区域；然后溅射一层厚度均一的铝薄膜；再在铝薄膜表面涂覆第二光刻胶层，高温坚膜，曝光显影，...
    2026-02-16
  • 一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法
    一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202511701164.1
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法。首先在晶圆的衬底表面设置一层含碳膜层；然后涂覆第一光刻胶层，在待制备铝条的区域进行曝光显影处理，干法刻蚀去除曝光区域内的含碳膜层及所有的光刻胶，然后溅射铝...
    2026-02-16
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