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最新专利技术
  • 一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法
    一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法_山东大学_202511655436.9
    本发明公开了一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法，属于微电子和半导体制造技术领域。本发明提供的外延生长装置包括由上至下一体设置的第一反应腔、隔板和第二反应腔；隔板上设置竖直贯通的圆孔；还包括传输轴，以及由连接杆、第一圆盘、第二圆盘和托...
    2026-03-21
  • 半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺
    半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺_北京天科合达半导体股份有限公司_202512014272.8
    一种半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺，其中半导体外延生长组件包括：晶片托；下半月结构，具有组装面，组装面内嵌有晶片托；组装面朝向外延生长的工艺气体，组装面与外延生长的工艺气体的气流方向呈预设角度以使晶片托所承托的晶片倾斜。将...
    2026-03-21
  • 一种激光诱导定位外延系统
    一种激光诱导定位外延系统_中国科学院半导体研究所_202511513421.9
    本发明公开了一种激光诱导定位外延系统，包括壳体、承载架、掩膜和激光发生器，所述壳体具有周转腔和反应腔；所述激光发生器通过所述透视窗口向所述掩膜发射激光并使激光穿过所述掩膜照射在所述衬底上。本发明通过掩膜和激光的精确控制，可以实现只在衬底的特...
    2026-03-21
  • InGaAs/InP异质材料外延生长方法
    InGaAs/InP异质材料外延生长方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511655808.8
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种InGaAs/InP异质材料外延生长方法，该方法包括：打开磷烷源和三甲基铟源，以在预设衬底上生长第一InP外延层；关闭三甲基铟源，并开始计时，若计时时长达到第一预设时长，则关闭磷烷源；打开砷烷源、三甲基...
    2026-03-21
  • 一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用
    一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用_河南省科学院物理研究所_202511702385.0
    本发明属于电化学储能材料与新能源材料制备领域，公开了一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用。步骤为：(1)将钴盐溶解于有机溶剂中，得到前驱体溶液；(2)向前驱体溶液中加入干冰并密封，在惰性气体氛围下进行高压气相反应，得到...
    2026-03-21
  • 一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维镍锑纳米条带的方法与应用
    一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维镍锑纳米条带的方法与应用_大连理工大学_202610036829.X
    本发明公开了一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维镍锑纳米条带的方法与应用，属于半导体材料技术领域。利用镍源和锑源作为蒸发源，结合超高真空环境和精准的温度控制，通过分子束外延生长技术在经过预处理的衬底上成功制备出高质量的一维镍锑纳米条带。...
    2026-03-21
  • 一种用于宽光谱探测器的带隙可调的二维材料及其制备方法
    一种用于宽光谱探测器的带隙可调的二维材料及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511501583.0
    一种用于宽光谱探测器的带隙可调的二维材料及其制备方法，属于光电材料技术领域。该材料为三元过渡金属硫族化合物合金，通式为AxxB1‑x1‑xC22，通过化学气相传输法，利用相同晶体相的半导体与半金属材料合金化制备而得，解决了现有TMDs材料带...
    2026-03-21
  • 晶体生长收尾滑移线的改善方法及计算机程序产品
    晶体生长收尾滑移线的改善方法及计算机程序产品_上海超硅半导体股份有限公司_202511786860.7
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶体生长收尾滑移线的改善方法及计算机程序产品。所述方法包括如下步骤：提供等径生长完成后的晶体；设定收尾工艺参数，包括：设定收尾温度为随着收尾长度的逐渐增加收尾温度以阶梯式上升，设定收尾拉速为随着收尾长度的...
    2026-03-21
  • 用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒
    用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511731361.8
    本发明提供的用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒，属于单晶硅拉晶技术领域，在预定热场进行晶棒拉制，以改变热场内的温度梯度，增加BMD成核温度的区间长度，并在拉晶过程中，调整晶转、埚转、拉速以提高晶棒内间隙氧及空位的浓度及分布均匀性，...
    2026-03-21
  • 提高单晶硅中BMD缺陷密度的拉晶方法及单晶硅棒
    提高单晶硅中BMD缺陷密度的拉晶方法及单晶硅棒_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511717689.4
    本发明提供的提高单晶硅中BMD缺陷密度的拉晶方法及单晶硅棒，属于单晶硅拉晶技术领域，具体而言：通过协同调控氩气流量、炉压、坩埚转速、晶棒转速及拉速，将晶体内氧含量稳定在较高的区间，为BMD缺陷的生成提供充足的氧源，在此基础上，在等径过程中通...
    2026-03-21
  • 一种便于清理单晶硅炉炉底的自动清灰设备
    一种便于清理单晶硅炉炉底的自动清灰设备_连城凯克斯科技有限公司_202511482924.4
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种便于清理单晶硅炉炉底的自动清灰设备，包括连通在排废管底部的收缩管，及活动在排废管与收缩管内的清灰模块；所述清灰模块与收缩管同轴，所述排废管的顶部设置有抵接支架；所述清灰模块包括转轴、套管、承载部以及扩...
    2026-03-21
  • 外加电场式非等温液桥生成器及液桥测量的方法
    外加电场式非等温液桥生成器及液桥测量的方法_龙门实验室_202511391795.8
    本发明涉及流体物理学实验装置技术领域，尤其涉及外加电场式非等温液桥生成器及液桥测量的方法，包括液桥生成装置、电场装置和温控装置；上盘组件通过螺纹轴与上桥座螺纹连接，下盘组件滑动轴插接在下桥座内；上桥座和下桥座分别固定连接在内支架的上下端。电...
    2026-03-21
  • 一种通过酸腐蚀钼坩埚无损分离晶体的方法
    一种通过酸腐蚀钼坩埚无损分离晶体的方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511692255.3
    本发明公开了一种通过酸腐蚀钼坩埚无损分离晶体的方法，具体步骤为：将粘连有钼坩埚的晶体浸没于腐蚀液中，所述腐蚀液能够溶解钼坩埚，但不与晶体反应，静置反应直至钼坩埚完全溶解，实现晶体分离；取出晶体并进行清洗及干燥，即得到无损分离的晶体。本发明通...
    2026-03-21
  • 一种石墨坩埚及液相法碳化硅长晶炉
    一种石墨坩埚及液相法碳化硅长晶炉_北京天科合达半导体股份有限公司_202511957100.8
    本申请提供了一种石墨坩埚及液相法碳化硅长晶炉，涉及碳化硅长晶技术领域。通过沿坩埚本体的内壁设置阶梯结构，且在凹槽的底面设置层叠结构，在石墨坩埚的侧壁和底部形成与溶液接触的台阶形状，增加了溶液与石墨坩埚之间的接触面积，提高了炭的溶解速度和炭输...
    2026-03-21
  • 一种Cs3Cu2I5单晶生长方法
    一种Cs3Cu2I5单晶生长方法_国瑞科创稀土功能材料(赣州)有限公司_202511682340.1
    本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种Cs33Cu22I55单晶生长方法。具体为：以碘化铯、碘化亚铜为前驱体，与路易斯酸在极性非质子溶剂中搅拌反应，路易斯酸水解产生酸性环境，抑制Cu++氧化，同时形成均匀分散的胶体颗粒，获得前驱体溶液；向...
    2026-03-21
  • 一种钒酸钠单晶、钒酸钠复合金属单晶和五氧化二钒及其制备方法和应用
    一种钒酸钠单晶、钒酸钠复合金属单晶和五氧化二钒及其制备方法和应用_青岛科技大学_202511686265.6
    本发明属于钒类化合物技术领域，具体涉及一种钒酸钠单晶、钒酸钠复合金属单晶和五氧化二钒及其制备方法和应用。本发明通过调控钒钠浸出液以及钒钠浸出液和钾盐、镁盐或钴盐混合体系的pH值，调节体系中的钒主要以五价形式存在，并在特定的结晶温度下直接从浸...
    2026-03-21
  • 单晶镍钴锰正极材料、制备方法、正极片与锂离子电池
    单晶镍钴锰正极材料、制备方法、正极片与锂离子电池_天津国安盟固利新材料科技股份有限公司_202610043805.7
    本发明提供了一种单晶镍钴锰正极材料、制备方法、正极片与锂离子电池。所述制备方法包括：混合镍钴锰前驱体、锂源与第一助剂，第一烧结，得到第一烧结料；混合所述第一烧结料与第二助剂，第二烧结，得到第二烧结料；混合所述第二烧结料与第三助剂，第三烧结，...
    2026-03-21
  • 一种抛光装置和抛光方法
    一种抛光装置和抛光方法_太原理工大学_202610038538.4
    本申请公开了一种抛光装置和抛光方法，涉及工件抛光技术领域，以解决扭曲内孔的表面粗糙度高的问题。所述抛光装置用于抛光具有复杂内通道的工件，抛光装置包括：承载结构用于承载待抛光的工件，抛光结构上开设有多个出液口。抛光结构位于复杂内通道内时，抛光...
    2026-03-21
  • 一种电抛光产线用阴阳极共体飞巴结构及电抛光方法
    一种电抛光产线用阴阳极共体飞巴结构及电抛光方法_陕西宝光真空电器股份有限公司_202511780011.0
    本发明属于金属零件表面处理技术领域，涉及一种电抛光产线用阴阳极共体飞巴结构及电抛光方法，将正极性的第一、第二V形座与经由绝缘件隔离的负极性第三V形座集成于同一飞巴本体上，实现了阴阳极供电的一体化。这一设计使得生产线在仅进行外表面抛光时，可直...
    2026-03-21
  • 一种用于超导铌材料的电化学抛光液及其应用
    一种用于超导铌材料的电化学抛光液及其应用_北京工业大学_202511752685.X
    本发明涉及超导材料表面处理技术领域，具体公开了一种用于超导铌材料的电化学抛光液及其应用。该抛光液由98wt%浓硫酸、40wt%氢氟酸和无水乙醇按5 : 1 : 1的体积比混合而成。与传统9 : 1二元体系相比，本发明通过引入无水乙醇作为关键...
    2026-03-21
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