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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202511404896.4
    本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底内的掺杂区，所述掺杂区中包括掺杂元素；于所述衬底的表面形成拉应力介质层，所述拉应力介质层中具有多个针孔，所述针孔用于排出所...
    2026-02-14
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511306534.1
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括利用第一掩膜层在外延层上形成第一掺杂区，第一掺杂区包括第一子区和第二子区；去除第一掩膜层；在外延层上形成第二掩膜层，第二掩膜层包括多个第二开槽，第二开槽暴...
    2026-02-14
  • 一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法
    一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法_河南师范大学_202511287761.4
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种新型共漏双MOSFET器件，包括由若干个VDMOS元胞组成的SiC VDMOSFET器件，所述VDMOS元胞包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；所述半导体外延层通过注入不同浓度、不同种类离子...
    2026-02-14
  • 栅极环绕式场效晶体管及其制造方法
    栅极环绕式场效晶体管及其制造方法_闳康科技股份有限公司_202510692199.7
    本发明公开一种栅极环绕式场效晶体管及其制造方法。所述栅极环绕式场效晶体管包括衬底、第一牺牲层、通道层、保护层、复合场氧化层、漏极电极与源极电极以及栅极堆栈层。第一牺牲层设置在衬底上，通道层设置在第一牺牲层上且从漏极区跨越至源极区。保护层设置...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510523802.9
    本申请公开了半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的纳米结构晶体管的源极/漏极区域，使得空腔从源极/漏极区域的顶部延伸到源极/漏极区域中。在一些实现方式中，该空腔完全地延伸穿过源极/漏极区域的深度。该空腔由源极/漏极区域的一个或多个外延层的...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510452661.6
    本公开提供了半导体器件及其形成方法。形成用于半导体器件的纳米结构晶体管的源极/漏极区域，使得源极/漏极区域包括金属芯。与源极/漏极区域完全用外延生长的半导体材料填充的情况相比，金属芯为要耦合到源极/漏极区域的前侧源极/漏极接触件和后侧源极/...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510392543.0
    本公开涉及半导体器件及其形成方法。形成纳米结构晶体管的源极/漏极接触件，使得使用多步骤蚀刻工艺使源极/漏极接触件在纳米结构晶体管的下面的源极/漏极区域内凹陷。使源极/漏极接触件在源极/漏极区域内凹陷为源极/漏极接触件与源极/漏极区域接触提供...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其形成方法、芯片
    半导体器件及其形成方法、芯片_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411037964.3
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法、芯片，该方法包括：在至少部分鳍部上形成有源沟槽，有源沟槽内的拐角位置点与有源沟槽中邻近侧壁上的最外侧位置点具有第一横向距离；至少对有源沟槽内的拐角部进行移除改性处理，形成改性层；移除改性层，以形成调整...
    2026-02-14
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411028371.0
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在形成能够暴露出有源区的顶部表面且使器件隔离结构的边界顶角被去除的沟槽之后，沉积第二应力层并退火以引入应力来增强器件隔离结构的致密性，且进一步刻蚀第二应力层来暴露出有源区的顶角和顶面并在器件隔离结构的顶部...
    2026-02-14
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411028209.9
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，一方面对器件隔离结构进行第一杂质元素的掺杂，由此在形成栅氧化层的过程中，利用第一杂质元素来消耗横向扩散到器件隔离结构中的氧，另一方面沉积第一应力层并退火，由此向器件隔离结构中引入应力，以增加器件隔离结构的...
    2026-02-14
  • 集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备
    集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511322193.7
    本发明公开一种集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备, 绝缘栅双极晶体管包括集电极金属、P+集电极区、N型缓冲区和N型漂移区，集电极金属与P+集电极连接；N型漂移区上方的一侧设有P基区，P基区的上设有第一P+区和N+区；P型屏蔽区...
    2026-02-14
  • LIGBT器件及其制造方法
    LIGBT器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411026833.5
    本发明提供了一种LIGBT器件及其制造方法，形成了N型掺杂区、P型基掺杂区和阳极N型掺杂区，所述N型掺杂区、所述P型基掺杂区和所述阳极N型掺杂区形成NPN晶体管，在关断时，NPN晶体管会穿通形成载流子通道，抽取N型漂移层中过量的载流子，提高...
    2026-02-14
  • 一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法
    一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511583551.X
    本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于衬底的上表面；外延层包括单区JTE终端；多个间隔排布的P型微岛JTE终端，位于外延层的上表面；P型微岛JTE终端的侧面与平行于衬底的方向的夹...
    2026-02-14
  • 一种具有结终端扩展和浮空场板复合终端结构的氧化镓功率二极管
    一种具有结终端扩展和浮空场板复合终端结构的氧化镓功率二极管_泉镓科技(福州)有限公司_202511617776.2
    本发明涉及一种具有结终端扩展和浮空场板复合终端结构的氧化镓功率二极管，属于功率半导体技术领域。所述氧化镓功率二极管，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型氧化镓衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、p型半导体层、介质层、阳极金属及阳极场板...
    2026-02-14
  • 用于双层间电介质的器件，系统和方法
    用于双层间电介质的器件，系统和方法_三星电子株式会社_202511078393.2
    本文公开了方法、装置和系统，其包括：第一电极、平行于第一电极延伸的第二电极、在第一电极和第二电极之间的第一电介质材料、在第一电极和第二电极之间的第二电介质材料、接触第一电极的第三电极，该第三电极在与第一电极和第二电极正交的方向上延伸、接触第...
    2026-02-14
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_长江存储控股股份有限公司_202410997972.6
    本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法，该半导体封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的多个第一半导体芯片；第一半导体芯片包括至少一个第一导电结构；第一导电结构包括沿第一方向延伸的第一连接结构、沿第一方向延伸的第二连接结构，以及在第一方向上位...
    2026-02-14
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_长江存储控股股份有限公司_202410994338.7
    本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法，所述半导体封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的多个第一半导体芯片；所述第一半导体芯片包括至少一个导电结构；所述导电结构包括沿所述第一方向延伸的第一连接结构、沿所述第一方向延伸的第二连接结构，以及在所...
    2026-02-14
  • 半导体结构及制作方法
    半导体结构及制作方法_长江存储控股股份有限公司_202410986567.4
    本公开实施例公开了一种半导体结构及制作方法，所述半导体结构包括：沿第一方向键合的第一半导体芯片和第二半导体芯片；所述第一半导体芯片包括：第一半导体层；多个第一连接结构，所述多个第一连接结构沿所述第一方向贯穿所述第一半导体层；任意两个所述第一...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制作方法、存储器系统
    半导体结构及其制作方法、存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202410986547.7
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统，所述半导体结构包括：沿第一方向键合的第一子半导体结构和第二子半导体结构；所述第一子半导体结构包括：半导体层；第一连接结构，沿所述第一方向贯穿所述半导体层；第一介电层，位于所述第一连接...
    2026-02-14
  • 交叉点存储器结构的构造方法
    交叉点存储器结构的构造方法_美光科技公司_202511056608.0
    本申请案涉及交叉点存储器结构的构造方法。提出例如三维交叉点存储器装置的存储器装置及制造此类装置的方法。用于制造此类存储器装置的一些已知方法依赖牺牲材料，其在处理期间至少部分挖出以完成存储器装置。用于移除此类牺牲材料的蚀刻化学品可能存在移除或...
    2026-02-14
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