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最新专利技术
  • 固态硬盘的测试板及测试系统
    固态硬盘的测试板及测试系统_深圳宏芯宇电子股份有限公司_202511623285.9
    本申请公开一种固态硬盘的测试板及测试系统，其中第一接口的第一端用于连接测试主机，第二端连接转接芯片的第一端；转接芯片的第二端连接通道切换模块的第一端；控制模块的第一端连接通道切换模块的第二端；通道切换模块的第三端连接第二接口的第一组引脚，第...
    2026-02-27
  • 一种三维堆叠存储器及冗余修复方法
    一种三维堆叠存储器及冗余修复方法_深圳市国微电子有限公司_202511350686.1
    本申请提供一种三维堆叠芯片及冗余修复方法，所述三维堆叠存储器包括逻辑控制芯片和多个存储器芯片，所述逻辑控制芯片包括内建冗余分析模块和多个内建自测试模块；内建自测试模块被配置为对所有存储器芯片进行并行测试，并将测试得到的第一存储器芯片对应的第...
    2026-02-27
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_华邦电子股份有限公司_202510163624.3
    本发明的目的是提供一种能够抑制外部装置的制造成本增加的半导体存储装置及其控制方法，其解决手段为半导体存储装置，包括：校准电路，执行ZQ校准操作；以及电阻部，用于在ZQ校准操作中作为基准电阻；另外，包括用于在ZQ校准操作中作为基准电阻的电阻部...
    2026-02-27
  • 异常检测方法、装置、设备及存储介质
    异常检测方法、装置、设备及存储介质_北京星网锐捷网络技术有限公司_202411061386.7
    本申请提供一种异常检测方法、装置、设备及存储介质，属于缓存器技术领域。该方法包括：接收用户输入的测试因子类型；根据所述测试因子类型，生成执行参数组；采用所述执行参数组执行测试代码，得到所述执行参数组对应的错误发生特征值；采用所述错误发生特征...
    2026-02-27
  • 一种固态硬盘测试装置
    一种固态硬盘测试装置_内江师范学院_202410241541.7
    本发明提供一种固态硬盘测试装置。涉及硬盘测试技术领域。固态硬盘测试装置，包括：底板，所述底板的顶部固定安装有站板，所述站板的一侧设有安装台，所述安装台的顶部固定安装有检测器，所述底板的上方设有圆盘，所述圆盘上固定安装有凵型架，所述凵型架内转...
    2026-02-27
  • DDR参考电压参数调整方法、系统、设备及存储介质
    DDR参考电压参数调整方法、系统、设备及存储介质_深圳市晶存科技股份有限公司_202512027921.8
    本申请公开了一种DDR参考电压参数调整方法、系统、设备及存储介质，该方法包括获取DDR内存读方向的数字化眼图以及对应的眼高幅度分布；从数字化眼图的采样点中排除因寄存器范围限制而无效的采样点，得到有效采样点集合；根据有效采样点集合的眼高幅度分...
    2026-02-27
  • 内存装置的电压监测器和芯片外驱动器
    内存装置的电压监测器和芯片外驱动器_南亚科技股份有限公司_202510782818.1
    本揭示提供一种内存装置的电压监测器以及芯片外驱动器(off‑chip driver，OCD)被提供。电压监测器包括第一分压器、桥接开关、OCD以及控制电路。第一分压器接收内存装置中的内部电压，并分压内部电压以在感测节点上产生感测信号。桥接开...
    2026-02-27
  • 存储器控制器、装置、系统及其操作方法、存储介质
    存储器控制器、装置、系统及其操作方法、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202411053724.2
    本申请实施例提供一种存储器控制器、装置、系统及其操作方法、存储介质。其中，存储器控制器包括：接口；处理器，该处理器被配置为：获取物理页在第一读取电压下对应的统计结果；统计结果包括表征物理页在第一读取电压下及与第一读取电压的压差小于预设电压的...
    2026-02-27
  • 存储器控制器、装置、系统及其操作方法、存储介质
    存储器控制器、装置、系统及其操作方法、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202411053708.3
    本申请实施例提供一种存储器控制器、装置、系统及其操作方法、存储介质。其中，存储器控制器包括：处理器，该处理器被配置为：获取物理页在第一读取电压下对应的统计结果；统计结果包括表征物理页在第一读取电压下及与第一读取电压的压差小于预设电压的读取电...
    2026-02-27
  • 存储器系统中的数据处理
    存储器系统中的数据处理_长江存储科技有限责任公司_202511598544.7
    公开了一种用于存储器系统的方法。该存储器系统可以包括存储器控制器和存储器件。该方法可以包括：接收包括比特并且要被写入存储器件的数据；对与第一状态相对应的比特的第一比特数和与第二状态相对应的比特的第二比特数进行计数；以及响应于比特的第二比特数...
    2026-02-27
  • 存储系统、存储器件及其操作方法
    存储系统、存储器件及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202411825164.8
    一种存储系统、存储器件及其操作方法。一种存储系统，包含多个存储器件，每个存储器件包含存储单元区域和纠错电路；以及存储控制器，其被配置为独立地向所述多个存储器件提供关断模式信号和关断地址，其中，在读取操作期间，所述多个存储器件中的每一个存储器...
    2026-02-27
  • 包括ZQ校准电路的存储器和包括多个存储器的存储器装置
    包括ZQ校准电路的存储器和包括多个存储器的存储器装置_三星电子株式会社_202510930577.0
    提供了一种包括ZQ校准电路的存储器和包括多个存储器的存储器装置。所述存储器装置包括，存储器；以及ZQ电阻器，其中，每个存储器包括：ZQ引脚，连接到ZQ电阻器；以及ZQ校准电路，执行ZQ校准操作，其中，ZQ校准电路包括：驱动器，连接到ZQ引脚...
    2026-02-27
  • 一种存储器及数据读写方法
    一种存储器及数据读写方法_无锡亿思半导体有限公司_202311870708.8
    本发明公开了一种存储器及数据读写方法，涉及数据存储领域，写入数据时，冗余替换逻辑模块根据控制指令将失效位元对应的数据通过冗余读写电路写入，读取数据时采用冗余读写电路读出，并在输出数据时从失效位元读出的数据替换为从冗余读写电路读出的数据，从而...
    2026-02-27
  • 一次性可编程存储器单元
    一次性可编程存储器单元_半导体元件工业有限责任公司_202510804365.8
    本公开涉及一次性可编程存储器单元。公开了一种存储器单元。存储器单元包括晶体管。该晶体管包括：栅极；漏极区，该漏极区通过一个或多个漏极触点耦接到漏极端子；以及源极区，该源极区通过源极触点耦接到源极端子。该晶体管的该一个或多个漏极触点的累积漏极...
    2026-02-27
  • 基于人工智能的动态自适应NAND Flash读取方法、系统、介质及设备
    基于人工智能的动态自适应NAND Flash读取方法、系统、介质及设备_芯盛智能科技(湖南)有限公司_202511532256.1
    本发明公开了一种基于人工智能的动态自适应NAND Flash读取方法、系统、介质及设备，涉及固态存储技术领域，所述方法包括：S1、发起读取请求，使用默认电压读取页数据，通过LDPC算法对其进行解码，构建特征向量并进行预处理，之后将其输入到预...
    2026-02-27
  • 快速查表电路、存储器、存储模组、芯片和快速查表方法
    快速查表电路、存储器、存储模组、芯片和快速查表方法_北京超弦存储器研究院_202411053323.7
    一种快速查表电路、存储器、存储模组、芯片和快速查表方法，涉及数据处理领域，快速查表电路包括存储阵列、行地址解码电路、读出电路及比较电路，存储阵列被配置为存储多个数据项，数据项均包括索引数据和第二数据；第一数据包括地址数据和索引比对数据，地址...
    2026-02-27
  • 经配置以从存储器单元块的串联连接的存储器单元串子集擦除存储器单元的存储器
    经配置以从存储器单元块的串联连接的存储器单元串子集擦除存储器单元的存储器_美光科技公司_202511057561.X
    本公开涉及经配置以从存储器单元块的串联连接的存储器单元串子集擦除存储器单元的存储器。存储器可包含控制器，控制器经配置以使存储器：将第一电压电平施加到多条数据线中的每条数据线；产生从选定数据线到相应串联连接的存储器单元串的沟道结构的栅致漏极泄...
    2026-02-27
  • EEPROM单元及其使用方法、集成电路和嵌入式系统
    EEPROM单元及其使用方法、集成电路和嵌入式系统_上海谛希半导体科技有限公司_202511588185.7
    EEPROM单元及其使用方法、集成电路和嵌入式系统被公开。该单元包括互补的第一子单元和第二子单元，第一子单元和第二子单元均包括衬底，第一漏极、源极和第二漏极相互间隔且形成于衬底上；第一漏极和源极之间具有第一沟道，第一沟道的上方设置有第一浮栅...
    2026-02-27
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510161564.1
    提供一种能够提高写入动作的速度的半导体存储装置。半导体存储装置具备：具有第一区块和第二区块的存储单元阵列、以及控制部。控制部在经由位线对第一区块的第一存储单元晶体管的沟道区域施加第一电压后，在使第一存储单元晶体管的沟道区域成为浮置状态的状态...
    2026-02-27
  • 存储器操作方法、存储器及存储系统
    存储器操作方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411046408.2
    本公开提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该存储器包括外围电路，外围电路包括第一微控制电路、第二微控制电路和第三微控制电路，该方法包括：响应于执行第一操作指令，第一微控制电路向第二微控制电路发送第一信号；响应于第一...
    2026-02-27
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