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最新专利技术
  • 一种离子液体双电层类神经突触晶体管及其制备方法
    一种离子液体双电层类神经突触晶体管及其制备方法_中北大学_202511617800.2
    本发明属于微纳电子器件与类脑神经形态计算技术领域，具体为一种离子液体双电层类神经突触晶体管及其制备方法。类神经突触晶体管包括：衬底Si/SiO22，用于承载沟道层及电极结构；沟道层WO33薄膜，设置于所述SiO22层表面；源极与漏极，分别形...
    2026-02-17
  • 半导体结晶薄膜、半导体薄膜晶体管及其制备方法
    半导体结晶薄膜、半导体薄膜晶体管及其制备方法_华南理工大学_202511581426.5
    本发明公开了一种半导体结晶薄膜、半导体薄膜晶体管及其制备方法。该半导体结晶薄膜包括：层叠设置的界面调节层和半导体结晶层；半导体结晶层包括至少一层结晶结构材料层，界面调节层包括至少一层非晶结构材料层；界面调节层设置于衬底与半导体结晶层之间，用...
    2026-02-17
  • 一种半导体薄膜晶体管及其制备方法
    一种半导体薄膜晶体管及其制备方法_广州新视界光电科技有限公司_202511581418.0
    本发明公开了一种半导体薄膜晶体管及其制备方法。该半导体薄膜晶体管的制备方法包括：提供一衬底；在衬底的表面形成层叠设置的半导体结晶层和栅极结构；其中，半导体结晶层由等离子体轰击法处理后刻蚀形成；形成源极和漏极；源极和漏极分别与半导体结晶层接触...
    2026-02-17
  • 显示装置及电子终端
    显示装置及电子终端_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511442299.0
    本申请提供了一种显示装置及电子终端。显示装置包括氧化物半导体薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管包括设置在栅极绝缘层上的氧化物半导体层。氧化物半导体层掺杂有稀土元素，氧化物半导体层内部的第一位置处的稀土元素的掺杂浓度大于第二位置处的稀土元素的...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_深圳平湖实验室_202512015422.7
    本发明公开一种半导体器件，该器件包括元胞结构，元胞结构包括N+衬底、N‑漂移层和功能区；N‑漂移层位于N+衬底上；功能区嵌入N‑漂移层背离N+衬底的一侧，功能区包括两个子单元和第二N+源极区，子单元包括P+接触区、P型体区、第一N+源极区和...
    2026-02-17
  • 一种功率MOS器件及其制备方法
    一种功率MOS器件及其制备方法_无锡博通微电子技术有限公司_202511684081.6
    本申请公开了一种功率MOS器件及其制备方法，涉及功率器件技术领域，功率MOS器件包括至少一元胞，元胞包括：N型漂移层；P型区设置于N型漂移层的四个侧向表面上，形成回形结构；衬底；漏极；P+区；第一P型阱区和第二P型阱区均为回形结构并设置于N...
    2026-02-17
  • 半导体装置和用于在沟槽中形成导电构件和电介质结构的方法
    半导体装置和用于在沟槽中形成导电构件和电介质结构的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510942949.1
    本公开涉及半导体装置和用于在沟槽中形成导电构件和电介质结构的方法。在实施例中，一种半导体装置包括：半导体衬底，包括第一主表面；沟槽，从第一主表面延伸到半导体衬底中并且具有基底和侧壁，侧壁从基底延伸到第一主表面。导电构件被布置在沟槽中，并且通...
    2026-02-17
  • 功率器件和功率器件的制备方法
    功率器件和功率器件的制备方法_湖南三安半导体有限责任公司_202410946581.1
    本发明提供了一种功率器件和功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该方法在衬底上形成半导体外延层后形成第一掺杂区和第二掺杂区，再通过氧离子注入工艺，在半导体外延层内离子注入形成栅氧化层，然后刻蚀第一掺杂区和第二掺杂区之间的半导体外延层，并暴...
    2026-02-17
  • 一种高压低导通电阻LDMOS结构及实现方法
    一种高压低导通电阻LDMOS结构及实现方法_西安微电子技术研究所_202511524144.1
    本发明公开了一种高压低导通电阻LDMOS结构及实现方法，缓冲层不同于单一的N型掺杂，本结构设计一定深度P型缓冲层。利用该部分P型缓冲层在反向耐压时，与N型掺杂缓冲层形成补偿关系，可提高原有的N型缓冲层浓度的基础上同时提高了分区掺杂时衬底浓度...
    2026-02-17
  • 一种具有三层缓冲层的高可靠性MOS器件结构及制备方法
    一种具有三层缓冲层的高可靠性MOS器件结构及制备方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511604527.X
    本发明涉及功率MOSFET器件，特别涉及一种具有三层缓冲层的高可靠性MOS器件结构及制备方法，制备方法包括在N衬底层上依次生长N漂移层、第二缓冲层；通过刻蚀在元胞中间形成第一深槽，在第一深槽底部注入离子形成第三缓冲层；在第一深槽中淀积氧化层...
    2026-02-17
  • 一种抗单粒子烧毁的MOSFET器件及其制造方法
    一种抗单粒子烧毁的MOSFET器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511346251.X
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其是涉及一种采用3C/4H‑SiC复合外延层的抗单粒子烧毁MOSFET器件及其制造方法，包括自下而上依次设置的漏极金属、4H‑SiC衬底、3C/4H‑SiC复合外延层和源极金属，其中，所述3C/4H‑Si...
    2026-02-17
  • 一种垂直增强型氧化镓器件及制备方法
    一种垂直增强型氧化镓器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511579986.7
    本发明公开了一种垂直增强型氧化镓器件及制备方法，涉及半导体器件领域，该器件包括衬底以及制备于衬底正面的N型外延层，所述N型外延层上制备有多个鳍部；每个鳍部内设置有N型源区，所述N型源区下方设置有N型第一沟道区，所述N型第一沟道区的两侧设置有...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512005938.3
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底、第一介质层、第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述衬底内设置有外延层；所述第一栅极结构位于所述外延层下方的衬底内，包括第一栅极、第一栅介质层和第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述第一栅极和...
    2026-02-17
  • 碳化硅器件的元胞结构及其制备方法、碳化硅器件
    碳化硅器件的元胞结构及其制备方法、碳化硅器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411827956.9
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅器件的元胞结构及其制备方法、碳化硅器件。其中，一种碳化硅器件的元胞结构包括：衬底；位于衬底上方的漂移层；多个屏蔽区和阱区；源区位于阱区表面；多个第一栅极结构和第二栅极结构；屏蔽区至少包围每个第二...
    2026-02-17
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411090494.7
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一第一鳍状结构、一绝缘结构以及一栅极结构。第一鳍状结构设置于一基底上。绝缘结构设置于基底上且围绕第一鳍状结构，其中第一鳍状结构包含一下部低于绝缘结构的一顶表面，且绝缘结构形成有一凹槽曝...
    2026-02-17
  • 一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管
    一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管_广东工业大学_202512053077.6
    本发明涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上设置有漏极、源极以及栅极结构，源极、漏极分别设置在栅极结构两侧，源极侧壁、漏极侧壁、栅...
    2026-02-17
  • 一种GaN射频器件及其制备方法
    一种GaN射频器件及其制备方法_深圳争妍微电子有限公司_202511573333.8
    本发明公开了一种GaN射频器件及其制备方法，属于半导体射频器件技术领域，包括衬底，以及依次层叠于衬底上的渐变缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层，还包括形成于AlGaN势垒层上的T型栅极电极、欧姆接触电极和复合钝化层，且衬底...
    2026-02-17
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512024320.1
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构两侧的衬底，以在衬底内形成源漏凹槽；在源漏凹槽内形成缓冲层，缓冲层覆盖源漏凹槽的内壁，缓冲层的至少部分表面上具有第一副产物层；至少在...
    2026-02-17
  • 氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置
    氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置_深圳市固得沃克电子有限公司_202511592638.3
    本发明涉及电压智能调控技术领域，公开了一种氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置。该方法：对氮化镓功率MOSFET的氮化硅电荷捕获层进行深能级瞬态谱测量，得到标定陷阱密度、标定能级深度和标定势垒厚度；创建脉冲参数映射表；采集氮化镓...
    2026-02-17
  • 一种基于插入层制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管的方法
    一种基于插入层制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管的方法_河南省科学院材料研究所_202511586923.4
    本发明公开了一种基于插入层制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管的方法，本发明结合ZnSnO和SnO22的材料特性，通过在ZnSnO与栅介质之间插入SnO22薄层，制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管；本发明不仅显著提升了TFT的稳定性，还实现了低温...
    2026-02-17
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