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最新专利技术
  • 一种从膜上拾取芯片的方法
    一种从膜上拾取芯片的方法_快克智能装备股份有限公司_202511556769.6
    本发明是一种从膜上拾取芯片的方法，包括如下步骤，S1：将粘接有芯片的膜移动至与多个作用块的顶部接触并被所述作用块间向下的负压吸附；S2：多个所述作用块同步推动所述膜连同目标芯片上行，将所述芯片的上表面全部被位于其正上方的吸咀吸附；S3：所述...
    2026-02-05
  • 一种多层互联结构中二次孔腐蚀工艺的监控方法
    一种多层互联结构中二次孔腐蚀工艺的监控方法_西安微电子技术研究所_202511550848.6
    本发明属于硅基半导体集成电路制造领域，涉及一种多层互联结构中二次孔腐蚀工艺的监控方法。包括在晶圆的介质层结构上的一次孔的台阶上旋涂光刻胶；对涂覆光刻胶的一次孔的台阶，基于预设二次孔图形进行曝光处理，曝光方式包括阶梯式能量曝光或单一曝光量曝光...
    2026-02-05
  • 一种集成电路芯片封装设备
    一种集成电路芯片封装设备_广西源佳农业科技有限公司_202511523461.1
    本发明公开了一种集成电路芯片封装设备，涉及电路芯片加工技术领域，包括加工台，所述加工台顶部对称安装有振动盘，所述加工台顶部安装有机械臂，所述加工台上设有挤压组件以及抹胶组件；所述挤压组件包括伸缩件一，所述伸缩件一底端固定连接有压板，所述加工...
    2026-02-05
  • 晶圆存放装置及检测方法
    晶圆存放装置及检测方法_上海果纳半导体技术有限公司_202511513428.0
    本发明公开了一种晶圆存放装置及检测方法，本发明的晶圆存放装置包括存储架和第一检测部，存储架包括上下间隔布置的多组支撑，每组支撑包括第一支撑和第二支撑，第一支撑和第二支撑形成适于放置晶圆的放置位并将晶圆在第二水平方向的两侧悬空；第一检测部设于...
    2026-02-05
  • 单自由度运动平台及检测设备
    单自由度运动平台及检测设备_江苏集萃苏科思科技有限公司_202511511305.3
    本发明涉及运动平台技术领域，尤其涉及一种单自由度运动平台及检测设备。单自由度运动平台包括固定座、活动座、载台、驱动件、制动件和弹性件，活动座沿高度方向间隔套设于固定座，载台沿高度方向滑动设置于活动座，驱动件设置于固定座并与载台传动连接。制动...
    2026-02-05
  • PLC芯片封装应力动态均衡控制方法及系统
    PLC芯片封装应力动态均衡控制方法及系统_湖北宇讯通信科技有限公司_202511497406.X
    本申请提供了PLC芯片封装应力动态均衡控制方法及系统，涉及芯片封装技术领域，通过本地调用历史芯片封装日志进行PLC芯片应力分布分析，定位边缘应力平面分布；对待封装PLC芯片初始应力基准测试后，从压阻传感器阵列采集实时应力分布特征，并映射至梯...
    2026-02-05
  • 解键合方法以及键合胶
    解键合方法以及键合胶_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511482806.3
    本公开实施例提供一种解键合方法以及键合胶，该解键合方法包括提供半导体结构；半导体结构包括第一晶圆、载片以及位于第一晶圆与载片之间的键合胶；键合胶中包含有上转换纳米颗粒，且键合胶能够在紫外光下解键合；通过近红外光照射半导体结构，使键合胶解键合...
    2026-02-05
  • 自动化基板引线键合生产线
    自动化基板引线键合生产线_山东墨氪智能科技有限公司_202511434960.3
    一种自动化基板引线键合生产线，包括输送线体，输送线体上设有物料检测工位；与输送线体对接的键合设备；位于键合设备的内部的键合工装，键合工装包括吸盘组件，吸盘组件上设有多个与基板对应的吸附部，每个吸附部上均设有吸口，键合工装还包括与每个吸附部的...
    2026-02-05
  • 一种大规格晶圆的分离设备及其使用方法
    一种大规格晶圆的分离设备及其使用方法_厦门特仪科技有限公司_202511346734.X
    本发明公开了一种大规格晶圆的分离设备及其使用方法包括：安装在机台上的支撑板、贯穿安装固定在所述支撑板上方的第一筒体，所述第一筒体上方覆盖放置贴附有若干个晶圆的底膜；设置在所述第一筒体上方的限位组件，通过所述限位组件将所述底膜固定安装在所述第...
    2026-02-05
  • 基板热处理装置、热处理方法及涂覆显影设备
    基板热处理装置、热处理方法及涂覆显影设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411002929.8
    本申请公开了一种基板热处理装置、热处理方法及涂覆显影设备。该基板热处理装置包括：腔体、热板、换气机构和控制部。腔体设置有可闭合的基板输送口；热板用于承载和加热基板；换气机构用于对腔体做进排气处理。其中，控制部被配置为：在热处理基板期间，控制...
    2026-02-05
  • 加热装置及半导体工艺设备
    加热装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411000678.X
    本申请公开了一种加热装置及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种加热装置，包括：壳体、第一加热组件、搅拌组件和循环组件；所述壳体具有用于接收工艺药液的进液口、输出所述工艺药液的出液口和用于回流所述工艺药液的回液口；所述第一加热组件设于所述壳体...
    2026-02-05
  • 检测反应腔室中晶圆的温度的方法和反应腔室
    检测反应腔室中晶圆的温度的方法和反应腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410993848.2
    本申请公开一种检测反应腔室中晶圆的温度的方法，反应腔室包括腔体、加热灯、红外测温装置和发射率检测装置；其中，加热灯用于加热晶圆，发射率检测装置的工作波长为第一波长，红外测温装置的工作波长为第二波长，第二波长位于加热灯发出的加热光的波长范围内...
    2026-02-05
  • 一种去除光伏BC电池片划片后残留水渍装置及方法
    一种去除光伏BC电池片划片后残留水渍装置及方法_安徽宇邦新型材料有限公司_202511577108.1
    本发明公开了一种去除光伏BC电池片划片后残留水渍装置及方法，涉及BC光伏组件焊接技术领域，包括输送组件和传送通道，所述输送组件包括两个相互平行的水平辊，两个水平辊上安装有两条输送带；两条输送带之间的距离小于电池片的宽度。传送通道包括盖体以及...
    2026-02-05
  • 一种晶硅电池片自动化喷淋清洗装置
    一种晶硅电池片自动化喷淋清洗装置_苏州普伊特自动化系统有限公司_202511555584.3
    本发明公开了一种晶硅电池片自动化喷淋清洗装置，包括清洗箱，所述清洗箱内壁的底部放置有收集盒，且清洗箱的上方安装有储液盒，所述清洗箱上表面的左侧固定有电机，且清洗箱的上表面安装有限位框；还包括升降板，所述升降板的正面固定连接有固定主管。本发明...
    2026-02-05
  • 一种用于半导体制程的清洗装置
    一种用于半导体制程的清洗装置_苏州高芯众科半导体有限公司_202511534040.9
    本申请涉及一种用于半导体制程的清洗装置，涉及半导体制造技术领域，旨在改善半导体清洗过程中清洗装置腔体内部残留物影响半导体清洗效果的问题。一种用于半导体制程的清洗装置，包括用于存放半导体的腔体和设置于腔体内部的固定盘，所述固定盘上沿着固定盘的...
    2026-02-05
  • 集成电路封装及其制造方法
    集成电路封装及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511319717.7
    本申请公开了集成电路封装及其制造方法。本公开的实施例提供了具有圆化拐角的IC管芯。在一些实施例中，IC管芯是SOIC(集成芯片上系统)。圆化拐角防止可能不利地影响SOIC的电路结构的尖端放电。具有圆化拐角的IC管芯提高了IC封装中的间隙填充...
    2026-02-05
  • 薄膜处理方法及存储装置制造方法
    薄膜处理方法及存储装置制造方法_株式会社EGTM_202510478928.9
    本发明的薄膜处理方法，包括：改性剂供应步骤，向置有基板的腔体内部供应改性剂，以将所述改性剂吸附到所述基板上形成的薄膜上；净化所述腔体内部的步骤；蚀刻活性剂供应步骤，向所述腔体内部供应蚀刻活性剂，使该蚀刻活性剂与所述被吸附的改性剂反应并处理所...
    2026-02-05
  • 一种空气环境下逐原子层刻蚀半导体的装置及刻蚀方法
    一种空气环境下逐原子层刻蚀半导体的装置及刻蚀方法_浙江大学_202511962311.0
    本发明涉及一种空气环境下逐原子层刻蚀半导体的装置及刻蚀方法，属于原子及近原子尺度极端制造领域，其先在装置内循环供给干燥空气或潮湿空气，控制腔体内的湿度，之后通过xy轴电机运动平台将工件移动到待刻蚀位置，并通过z轴电机运动平台和xyz轴压电陶...
    2026-02-05
  • 用于膜的电子增强化学气相蚀刻的方法
    用于膜的电子增强化学气相蚀刻的方法_三星电子株式会社_202511020310.4
    用于膜的电子增强化学气相蚀刻的方法包括：进行利用电子和至少一种反应性背景气体的电子增强化学气相蚀刻，以蚀刻在具有正基底电压的基底上的膜(例如，薄膜)。在实施例中，所述方法是用于蚀刻硅薄膜的方法，所述方法包括：进行利用电子和至少一种反应性背景...
    2026-02-05
  • 一种纵向均匀掺杂的离子注入方法
    一种纵向均匀掺杂的离子注入方法_重庆伟特森电子科技有限公司_202511502736.3
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种纵向均匀掺杂的离子注入方法，其包括以下步骤：步骤S1，设置离子注入机的能量为所需掺杂深度对应的最大能量Emax；步骤S2，在离子注入机的离子出口与待注入材料之间施加交变电场；步骤S3，根据注入离子的极...
    2026-02-05
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