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最新专利技术
  • 阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置
    阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置_浙江莱宝显示科技有限公司_202511219708.0
    本申请提供了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置，涉及显示技术领域。阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有多条栅极走线和源极走线，多条栅极走线和源极走线交叉并形成多个像素单元，像素单元包括：像素电极以及薄膜晶体管；薄膜晶体管包...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411001591.4
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、第一晶体管与第一金属栅极。基底具有彼此相对的正面与背面。第一晶体管位于正面上。第一晶体管包括第一通道区。第一金属栅极位于背面上，且对准第一通道区。
    2026-02-11
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788944.4
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板的阵列基板的非显示区包括层叠的衬底、第一金属层、绝缘层和第二金属层和钝化层；第一金属层包括间隔绝缘的第一金属走线和公共电极走线；第二金属层包括第二金属走线，与第一金属走线间隔绝缘且对位，与公共电极...
    2026-02-11
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788426.2
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区和非显示区；显示面板包括：阵列基板，包括：第一衬底；公共电极导通层，设于第一衬底的非显示区，包括依次层叠设置的第一金属层、钝化层、第一透明导电层、第一配向膜；第一配向膜覆盖第一透明导电层...
    2026-02-11
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202511740219.X
    一种显示装置包括：第一数据线，在显示区域中沿第一方向延伸；第二数据线，在显示区域中沿第一方向延伸；第一布线，在显示区域中且连接到第一数据线；以及第二布线，在显示区域中且连接到第二数据线，其中，第一布线和第二布线连接到位于显示区域外部的外围区...
    2026-02-11
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_北京京东方创元科技有限公司_202410961858.8
    本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，其中，阵列基板包括：衬底基板；像素阵列，包括阵列排布于衬底基板上的多个子像素单元，多个子像素单元排布为多行，每行中的多个子像素单元沿第一方向排列，每个子像素单元包括至少一列沿第二方向排列的两个走线区域...
    2026-02-11
  • SOI晶圆及其制造方法
    SOI晶圆及其制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511536046.X
    本发明提供一种SOI晶圆及其制造方法，通过依次执行氢离子注入工艺和氦离子注入工艺，以在器件衬底内形成剥离层，所述氦离子注入工艺的离子束电流小于0.315倍的所述氢离子注入工艺的注入能量；执行剥离处理，以沿剥离层剥离部分厚度的器件衬底。由于所...
    2026-02-11
  • 键合晶圆及其制备方法
    键合晶圆及其制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511536031.3
    本发明提供了一种键合晶圆及其制备方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆，器件晶圆的表面形成有氧化层；对器件晶圆依次执行氢离子注入工艺和氦离子注入工艺，以在器件晶圆中形成离子注入层，氢离子注入工艺的注入能量为Y11，氦离子注入工艺的注入能量为Y2...
    2026-02-11
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408749.4
    本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个第一栅极结构，沿第一方向布置并在第二方向上延伸，多个第一栅结构中的至少一个第一栅极结构对应于第一晶体管区；多个第二栅极结构，沿第一方向布置，并在第二方向上与第一栅极结构中...
    2026-02-11
  • 集成电路及其制造方法
    集成电路及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408452.8
    本发明的实施例提供了一种集成电路，包括第一和第二有源区、第一和第二接触件、第一导体和第一绝缘区。第一有源区在第一方向上延伸，位于衬底正面上方的第一层上，并且对应于第一组晶体管。第二有源区在第一方向上延伸，在第二层上，并且对应于第二组晶体管。...
    2026-02-11
  • 集成电路器件及其单元区和形成方法
    集成电路器件及其单元区和形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408416.1
    本申请的实施例公开了集成电路器件及其单元区和形成方法。单元区包括：第一有源区(AR)；第一MD结构与贝塔轨道对齐；并且在第一金属化层中具有与阿尔法轨道对齐的段。对于一个或多个第一或第二位置，第一AR的相应区域可配置为源极区或漏极区。对于一个...
    2026-02-11
  • 半导体器件结构及制造方法
    半导体器件结构及制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408409.1
    半导体器件结构包括多个晶体管。多个晶体管的每个包括：具有第一掺杂类型的纳米结构，其中纳米结构在第一方向上延伸；栅极结构；第一源极/漏极区域；以及第二源极/漏极区域。半导体器件结构还包括第二纳米结构，第二纳米结构在第二方向上与多个晶体管偏移，...
    2026-02-11
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408407.2
    提供了在掩埋电源轨方案下用于电源输送的各个CFET单元内MOL连接。集成电路(IC)器件包括器件堆叠件、顶部接触结构、背侧电源轨和通孔互连件。器件堆叠件包括底部半导体器件和沿方向堆叠在底部半导体器件上方的顶部半导体器件。顶部接触结构位于顶部...
    2026-02-11
  • 具有自对准接触的半导体元件及其制备方法
    具有自对准接触的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510224257.3
    本公开提供一种具有自对准接触的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一鳍片；位于该鳍片上的一栅极结构，其中该栅极结构包括一栅极介电层、一栅极底部导电层、一栅极顶部导电层、和一栅极覆盖层；位于该鳍片的两侧上的多个杂质区域；相应地位于所述多个...
    2026-02-11
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510319389.4
    一种半导体装置包括：基底绝缘层；栅极结构，在基底绝缘层上在第一方向上延伸；多个沟道层，在第二方向上彼此间隔开，第二方向与基底绝缘层的上表面垂直，所述多个沟道层在基底绝缘层上并且被栅极结构围绕；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，在栅极结...
    2026-02-11
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510254530.7
    公开了包括主晶体管和子晶体管的半导体装置。主晶体管包括：主沟道层；主栅电极，位于主沟道层上；主栅极半导体层，位于主沟道层与主栅电极之间；源电极和漏电极，位于主栅电极的相对侧上并且连接到主沟道层；以及场分散层，位于主沟道层上，并且位于主栅电极...
    2026-02-11
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510566157.9
    描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：在衬底之上形成鳍结构，以及在鳍结构的一部分上沉积一个或多个间隔件。一个或多个间隔件被沉积在鳍结构的侧壁上。该方法还包括：去除一个或多个间隔件的第一部分以露出鳍结构并使鳍结构凹陷。第一副产物层形成...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510974322.4
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。其中，半导体结构包括基底；源区，位于基底上方，源区内设置有多个体二极管源极接触区；体二极管源极接触区的离子类型与源区的离子类型不同，以在垂直于基底的方向上形成PN结...
    2026-02-11
  • 半导体裸片以及三维堆叠器件
    半导体裸片以及三维堆叠器件_株式会社索思未来_202510956708.2
    提供一种半导体裸片等，其能够使具备彼此具有相同的构成且相互堆叠的多个半导体裸片的SoC内部产生的热更高效地散热。半导体裸片(12)具备：具有上表面(14)和下表面(15)的主体(13)；配置于上表面(14)的多个第一接合用焊盘(16)；配置...
    2026-02-11
  • 一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法
    一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法_山东大学_202511444572.3
    本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法。包括：半导体有源层及位于其上的栅极、源极和漏极，源极和漏极之间通过沟道连接，位于栅极与半导体有源层之间的栅绝缘层，该栅绝缘层主要由类氧化硅材料组成。本发明在栅...
    2026-02-11
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