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最新专利技术
  • 硅衬底上氮化铝的生长方法
    硅衬底上氮化铝的生长方法_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511389073.9
    本申请公开了一种硅衬底上氮化铝的生长方法，该硅衬底上氮化铝的生长方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；在硅衬底上生长氮化铝；其中，缓冲层位于硅衬底与氮化铝之间，缓冲层为单层碳化硅薄膜。缓冲层的制作方法包括：对硅衬底进行高温氢气退火；在...
    2026-05-11
  • 一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法
    一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202511298050.7
    本申请提供了高质量增强型氮化镓外延片的制备方法，包括如下步骤：步骤1 : 提供氮化镓异质结外延结构；步骤2 : 在氮化镓异质结外延结构上采用脉冲式生长法制备氮化镓2D层，步骤3 : 在氮化镓2D层上制备P型氮化镓帽层；步骤4 : 在P型氮化...
    2026-05-11
  • 外延片生长的旋转石墨基座
    外延片生长的旋转石墨基座_广东天域半导体股份有限公司_202511411574.2
    本申请公开了一种外延片生长的旋转石墨基座，包括底座，底座包括相对设置的第一面和第二面，第二面背向第一面延伸出第一台面，第一台面的背向第二面的一面面向第二面凹陷形成凹槽，凹槽用于生长外延片，第一面的中心开设有背向第二面贯穿的定位槽，定位槽被配...
    2026-05-11
  • 一种溅射外延装置及其应用
    一种溅射外延装置及其应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511577777.9
    本发明公开了一种溅射外延装置，包括：真空腔室；溅射单元；衬底承载单元；以及抽真空系统；所述抽真空系统，包括主真空泵组、副真空泵组和真空管路；所述主真空泵组通过阀门与所述真空腔室相连；所述副真空泵组通过所述真空管路与所述真空腔室相连，所述真空...
    2026-05-11
  • 碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法
    碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法_江苏集芯先进材料有限公司_202511655908.0
    本申请公开了碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法。该生长系统包括热场装置，热场装置包括：籽晶固定件、导流筒、外环件、坩埚和石墨纸，导流筒和外环件设置在籽晶固定件的下侧；坩埚设置在导流筒的下方，石墨纸设置在坩埚和导流筒之间，且石墨...
    2026-05-11
  • 一种氮化物籽晶的培育方法
    一种氮化物籽晶的培育方法_山东协和学院_202511549766.X
    本发明属于氮化物晶体生长技术领域，具体涉及一种氮化物籽晶的培育方法，将AlN烧结体粉末置于坩埚的底端，然后于AlN烧结体粉末的上方设置导流罩，在导流罩上方依次设置底钨环，底钨环上方设置中钨环，将底部粘接AlN籽晶的籽晶托架设在中钨环上，再于...
    2026-05-11
  • 一种在二氧化钛表面低温制备四方相钛酸钡外延层的方法
    一种在二氧化钛表面低温制备四方相钛酸钡外延层的方法_浙江工业大学_202511527356.5
    本发明公开了一种在二氧化钛表面低温制备四方相钛酸钡外延层的方法，制备过程为：对钛基体进行预处理后得到表面生长有二氧化钛层的钛基体，将钡盐、碱溶于水中，得到反应前驱液，将上述钛基体放入反应前驱液中，水热反应后在钛基体表面的二氧化钛层上，通过晶...
    2026-05-11
  • 一种泡生法制备高强度蓝宝石晶体的生长方法
    一种泡生法制备高强度蓝宝石晶体的生长方法_宁夏鑫晶盛电子材料有限公司_202511940885.8
    本发明公开一种泡生法制备高强度蓝宝石晶体的生长方法，属于人工晶体生长技术领域。本发明通过优化泡生法生长工艺以显著提升蓝宝石单晶机械强度与抗损伤性能。特别涉及通过调控生长过程中的热场分布、界面应力状态及缺陷演化行为，获得具有高抗弯强度、高断裂...
    2026-05-11
  • 抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法
    抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法_武汉大学_202511523966.8
    本发明公开抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法，装置包括炉体、铱金坩埚、保温层、感应线圈和提拉机构等，在所述铱金坩埚与所述保温层之间设有温度动态调控系统，所述温度动态调控系统用于实时监测所述铱金坩埚以及所述内腔的温度分布，并通...
    2026-05-11
  • 一种液相法碳化硅晶体生长装置及生长方法
    一种液相法碳化硅晶体生长装置及生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511956657.X
    本发明公开了一种液相法碳化硅晶体生长装置，包括内部有保温腔的保温组件、固定于保温腔内的坩埚、与坩埚适配的测温仪和加热组件；坩埚内有生长腔，保温组件顶部贯穿有籽晶杆，籽晶杆与坩埚同轴且籽晶杆的轴线沿竖直方向延伸，籽晶杆底端联动设置有承载碳化硅...
    2026-05-11
  • 基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统
    基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统_合肥众波功能材料有限公司_202511852912.6
    本发明提供一种基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统，包括通过分布式传感器网络和加工设备接口，采集收尾起始点的生产数据和参数数据并进行处理后，得到晶体当前的状态数据；对晶体当期的状态数据执行相似度比对获得收尾阶段的初始工艺参数，基...
    2026-05-11
  • 一种大尺寸超低氧单晶硅的制备方法
    一种大尺寸超低氧单晶硅的制备方法_麦斯克电子材料股份有限公司_202511667510.9
    一种大尺寸超低氧单晶硅的制备方法，涉及超低氧单晶硅拉制技术领域，包括化料工序，化料完成后，打开CUSP勾型磁场，控制晶转方向和埚转方向相同，拉制超低氧单晶硅，在化料完成后、拉制超低氧单晶前，关闭CUSP勾型磁场，控制晶转的方向和埚转的方向相...
    2026-05-11
  • 磁屏蔽装置和硅单晶拉晶炉
    磁屏蔽装置和硅单晶拉晶炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511571431.8
    本发明涉及一种磁屏蔽装置和硅单晶拉晶炉，磁屏蔽装置应用于具有水平磁场发生装置的硅单晶拉晶炉，水平磁场发生装置被配置为使其最大高斯面位于熔体自由液面之上，磁屏蔽装置包括磁屏蔽组件，磁屏蔽组件设于晶体生长区域的外周；磁屏蔽组件包括至少一个磁屏蔽...
    2026-05-11
  • 单晶炉用加热器及单晶炉
    单晶炉用加热器及单晶炉_恒利晶硅新材料(内蒙古)有限公司_202410922696.7
    本申请公开了一种单晶炉用加热器及单晶炉，属于单晶制造技术领域。所述单晶炉用加热器包括加热圈，所述加热圈包括第一加热部和第二加热部，所述第一加热部和所述第二加热部相对间隔设置，所述第一加热部和所述第二加热部围合形成环状结构的所述加热圈；支撑脚...
    2026-05-11
  • 一种具备水冷下轴升降旋转机构的单晶炉
    一种具备水冷下轴升降旋转机构的单晶炉_南京晶能半导体科技有限公司_202511748613.8
    本发明公开了一种具备水冷下轴升降旋转机构的单晶炉，包括坩埚轴和石墨托杆，所述坩埚轴和石墨托杆内部中空，所述水冷下轴升降旋转机构包括水冷芯管、水冷旋转接头和升降驱动装置，所述水冷芯管设置于坩埚轴和石墨托杆内部，坩埚轴和石墨托杆通过连接件固定连...
    2026-05-11
  • 一种单晶硅制备中坩埚投料的方法及应用
    一种单晶硅制备中坩埚投料的方法及应用_四川高景太阳能科技有限公司_202511693905.6
    本发明提供了一种单晶硅制备中坩埚投料的方法及应用，涉及半导体材料制造技术领域。具体而言，当坩埚内颗粒硅的装料量≤200kg时：先在坩埚底部装入小料，而后在所述小料的上部中间处装入颗粒硅，再在所述颗粒硅与坩埚壁之间填充块状硅，最后在所述颗粒硅...
    2026-05-11
  • 一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉
    一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉_连城凯克斯科技有限公司_202511448926.1
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉，包括炉座；所述炉座上固接有炉体；所述炉座上靠近炉体的一侧安装有提升机构；所述炉体的内壁底部固接有坩埚加热组件；所述炉体的内壁顶部固接有环形板；所述环形板的内部开设有流通槽；...
    2026-05-11
  • 一种碘化铅的合成方法
    一种碘化铅的合成方法_四川六族半导体材料有限公司_202511952477.4
    本申请公开了一种碘化铅的合成方法，所述方法包括：S1：动态平衡化学气相输运合成高纯PbI22多晶原料，在抽至高真空并密封的双温区石英安瓿中，将位于第一温区的高纯碘单质在100‑110℃下升华产生碘蒸气，并使其持续输运至第二温区，与在410‑...
    2026-05-11
  • 一种控制厚大单晶高温合金铸件雀斑缺陷的方法
    一种控制厚大单晶高温合金铸件雀斑缺陷的方法_辽宁红银金属有限公司_202511431921.8
    本发明涉及单晶高温合金精密铸造技术领域，具体为一种控制厚大单晶高温合金铸件雀斑缺陷的方法。所述方法包括：在蜡模制备阶段，使用熔点低于零件蜡料的低熔点蜡料，在零件蜡模表面间隔涂覆适当厚度的蜡料制作补贴结构，补贴结构的宽度为2~3mm，厚度为1...
    2026-05-11
  • 一种梯度控温凝固实验装置
    一种梯度控温凝固实验装置_南京海通电子材料科技有限公司_202511245147.1
    本发明涉及凝固实验技术领域，具体为一种梯度控温凝固实验装置，包括装置底座，装置底座的内侧表面滑动连接有用于加热和升降的加热箱，加热箱的底部表面设置有控制材料吸附加热与脱离冷却的吸附底座，吸附底座的外侧表面设置有调节加热温度的控温转筒，控温转...
    2026-05-11
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