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最新专利技术
  • 含电镀栅线的太阳能电池及其制备方法和应用
    含电镀栅线的太阳能电池及其制备方法和应用_通威太阳能(成都)有限公司_202511525111.9
    本发明公开了含电镀栅线的太阳能电池及其制备方法和应用，涉及光伏技术领域。本发明在电镀栅线之前沉积边缘分离层，在电镀栅线之后可以剥离边缘分离层。由于边缘分离层与基体材料的结合力优于一般有机胶，使膜层不容易在物理作用力下被剥离，能够有效避免边缘...
    2026-01-28
  • 一种循环用水清洗机及其操作方法
    一种循环用水清洗机及其操作方法_连智(大连)智能科技有限公司_202511360297.7
    本发明属于光伏行业硅片清洗领域，公开了一种循环用水清洗机及其操作方法。清洗机构、氧化机构、漂洗机构的用水采用循环方式，清洗机构配设清洗进水水箱和清洗喷淋水箱，氧化机构配设氧化水箱，漂洗机构配设漂洗水箱和漂洗喷淋水箱；其中清洗进水水箱用于给清...
    2026-01-28
  • 硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池
    硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池_通威太阳能(彭山)有限公司_202511303954.4
    本发明公开了一种硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。硅片制绒方法先通过一次制绒清洗在硅片的正面形成由多个正梯形凸起组成的绒面，再通过二次制绒清洗在硅片的正面形成由多个倒梯形凸起组成的绒面。第一，能够提高...
    2026-01-28
  • 电池片制作方法和电池片
    电池片制作方法和电池片_通威太阳能(成都)有限公司_202511261403.6
    本申请涉及一种电池片制作方法和电池片。所述方法包括：对基材进行加工处理，得到第一半成品；在第一半成品上沉积可焊接金属，得到可焊接金属层；可焊接金属层包括焊点区域和非焊点区域；去除非焊点区域的可焊接金属，得到第二半成品；在第二半成品上制备与焊...
    2026-01-28
  • 太阳能电池中金属电极的制造方法及太阳能电池
    太阳能电池中金属电极的制造方法及太阳能电池_通威太阳能(成都)有限公司_202511161466.4
    本申请涉及一种太阳能电池中金属电极的制造方法及太阳能电池。该方法包括：提供电池片，使电池片的电极接触区域裸露；电极接触区域位于电池片的第一侧；于电池片的第一侧依序层叠金属种子层和掩膜前驱材料层；图案化掩膜前驱材料层，形成掩膜前驱层；掩膜前驱...
    2026-01-28
  • 太阳电池的制备方法、太阳电池
    太阳电池的制备方法、太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202511160819.9
    本申请涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池。本申请的太阳电池的制备方法包括如下步骤：提供太阳电池主体结构，于太阳电池主体结构的表面上制备透明导电层；将透明导电层于水蒸气氛围中进行退火处理；于退火处理后的透明导电层远离太阳电池主体结构的表面上...
    2026-01-28
  • 电池串制备方法和电池串
    电池串制备方法和电池串_通威太阳能(合肥)有限公司_202511141037.0
    本申请涉及一种电池串制备方法和电池串。所述方法包括：对待串焊的多个光伏电池分别进行热处理，对热处理之后的各光伏电池进行串焊处理，得到电池串。采用上述方法，可以提高电池的电学性能。
    2026-01-28
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511052860.4
    本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述制备方法包括以下步骤：提供待镀电池片，所述待镀电池片包括电池片主体、种子层以及栅线，所述种子层设置在所述电池片主体上，所述栅线设置在所述种子层上；对所述待镀电池片的表面施加电场，在所述电场的作用下，通...
    2026-01-28
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202510976194.7
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本申请提供的太阳电池的制备方法通过分步对中部区域和边缘区域进行激光诱导接触处理，以使电极前驱体烧穿钝化层并形成与掺杂硅层接触的金属电极，在进行激光诱导接触处理的同时向所处理的...
    2026-01-28
  • 钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法
    钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510971357.2
    本申请提供了一种钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法，钝化膜层的制备方法包括以下步骤：通过等离子体增强化学气相沉积法在硅片的表面上制备第一掺杂硅层，通过等离子体增强化学气相沉积法在第一掺杂硅层背离硅片的表面上制备第二掺杂硅层；其中，制备第...
    2026-01-28
  • 一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法
    一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法_江苏光启灵犀装备有限公司_202510940841.9
    本发明公开一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法，属于电池技术领域。制备方法包括步骤：S1、对n型单晶硅衬底进行双面抛光；S2、LPCVD及硼扩散处理；S3、链式光刻去除BSG；S4、碱刻蚀；S5、LPCVD及磷扩散处理；S6、链式光刻去...
    2026-01-28
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510940154.7
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池的制备方法，包括如下步骤：提供一制绒后的硅衬底，硅衬底的表面具有氧化层；使用酸液对硅衬底进行刻蚀，去除部分氧化层，控制剩余氧化层的厚度为0.5nm~2nm，以剩余的氧化层作为防外延层；以包...
    2026-01-28
  • 电池片的焊接方法、太阳能电池串和光伏组件
    电池片的焊接方法、太阳能电池串和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510905750.1
    本申请涉及一种电池片的焊接方法、太阳能电池串和光伏组件。上述电池片的背面包括交替间隔设置的主栅电极和呈叉指状分布的细栅电极，细栅电极和与其极性相同的主栅电极相交，相交处记为金属接触点，细栅电极和与其极性相反的主栅电极之间设有绝缘胶；上述焊接...
    2026-01-28
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510655419.9
    本发明提供一种图像传感器，该图像传感器可以包括半导体衬底和像素隔离结构，半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，像素隔离结构垂直地穿透半导体衬底并限定多个像素区。像素隔离结构可以包括与半导体衬底接触的侧壁绝缘图案、在侧壁绝缘图案上的导电...
    2026-01-28
  • 具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置
    具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置_豪威科技股份有限公司_202510274204.2
    本公开涉及一种具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置。本公开描述一种包括安置在半导体衬底之中或之上的多个鳍式电容器的堆叠式半导体装置。所述多个鳍式电容器被布置为形成鳍式电容器阵列。所述多个鳍式电容器中所包含的鳍式电容器包括第一电极、第二电极及绝缘...
    2026-01-28
  • 成像芯片封装的制备方法、设备、计算机可读存储介质及成像芯片封装
    成像芯片封装的制备方法、设备、计算机可读存储介质及成像芯片封装_杭州萤石软件有限公司_202410924493.1
    本申请提供一种成像芯片封装的制备方法、设备、计算机可读存储介质及成像芯片封装，属于成像芯片封装技术领域。该方法应用于成像芯片封装的制备设备的处理器，所述成像芯片封装包括成像芯片和玻璃板，所述成像芯片和所述玻璃板层叠设置。所述制备方法包括：获...
    2026-01-28
  • 图像传感器以及NPPD的设计版图
    图像传感器以及NPPD的设计版图_豪威科技(上海)有限公司_202511513553.1
    本发明提供一种图像传感器以及图像传感器中的NPPD的设计版图。图像传感器包括：像素阵列，像素阵列包括按列和行布置的单位像素块。单位像素块包括：浮动扩散部和共享浮动扩散部的若干单位像素。单位像素包括NPPD，NPPD和浮动扩散部之间设置有垂直...
    2026-01-28
  • 适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统
    适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统_厦门大学_202511255084.8
    本发明公开了一种适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统，包括：硅基底；氧化层，设置于硅基底上方的左右两端；源极和漏极，通过离子注入形成于所述硅基底中；栅极绝缘层，覆盖于所述源极和漏极之间的沟道区的上方；氮化硅敏感膜层，设置于所述...
    2026-01-28
  • 一种碳化硅基的自驱动窄带紫外探测器及其制备方法
    一种碳化硅基的自驱动窄带紫外探测器及其制备方法_南京邮电大学_202511533497.8
    本发明公开了一种碳化硅基自驱动窄带紫外探测器及其制备方法，属于光电子器件技术领域。该探测器包括从下至上依次垂直堆叠的N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC外延层、Al22O33薄介质层、SnO22薄膜层；具体制备过程为：先在N型4H‑SiC...
    2026-01-28
  • 一种基于氧化镓全透明垂直结构的光电探测器及其制备方法
    一种基于氧化镓全透明垂直结构的光电探测器及其制备方法_重庆邮电大学_202511517487.5
    本发明涉及一种基于氧化镓全透明垂直结构的光电探测器及其制备方法，包括：蓝宝石衬底；铟锡氧化物透明导电层作为底部电极，设置于所述蓝宝石衬底上表面；通氧非晶氧化镓层，设置于所述铟锡氧化物透明导电层上表面，与所述铟锡氧化物透明导电层形成肖特基接触...
    2026-01-28
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