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最新专利技术
  • 一种固态硬盘的性能测试方法、装置、设备及可读存储介质
    一种固态硬盘的性能测试方法、装置、设备及可读存储介质_上海林垚云计算科技有限公司_202511342439.7
    本发明公开了一种固态硬盘的性能测试方法、装置、设备及可读存储介质，涉及计算机存储设备测试技术领域，本测试方法覆盖连续读写速率、最高/平均传输速率、突发数据传输率、随机存取时间、CPU占用率等多维度性能指标，实现全面测试。引入环境控制机制，精...
    2026-03-02
  • 存储器测试方法及装置
    存储器测试方法及装置_华邦电子股份有限公司_202411469795.0
    本发明提供一种存储器测试方法及装置。所述方法包括下列步骤：在将多个晶粒闲置第一时间后，对晶粒进行第一阶段测试，且将未通过第一阶段测试的晶粒所对应的多个旗标设为第一逻辑电平；在将晶粒闲置第二时间后，对晶粒进行第二阶段测试，且将通过第二阶段测试...
    2026-03-02
  • 只读存储器漏洞修补方法、修补模块及电子设备
    只读存储器漏洞修补方法、修补模块及电子设备_安谋科技(中国)有限公司_202511558351.9
    本公开提供了一种只读存储器漏洞修补方法、修补模块及电子设备，涉及芯片领域，在CPU发送的请求信息指示的程序命中补丁片段的情况下，修补模块从随机存取存储器中读取命中的补丁片段；将所述补丁片段发送至所述中央处理器。本公开由修补模块独立于CPU对...
    2026-03-02
  • 串入串出eFuse电路及其控制方法、设备、存储介质
    串入串出eFuse电路及其控制方法、设备、存储介质_上海概伦电子股份有限公司_202511512329.0
    本申请提出一种串入串出eFuse电路及其控制方法、设备、存储介质。所述串入串出eFuse电路包括第一数量的D触发器、第二数量的电熔丝及一编码器，各个D触发器的第一输出引脚与编码器连接，将经由第一输出引脚输出的第一数量的第一控制信号传输给编码...
    2026-03-02
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质
    存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202511521446.3
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质；存储器装置包括存储单元阵列及外围电路；存储单元阵列包括多个存储块；每个存储块包括多个存储单元及多条字线；外围电路被配置为：对选定字线耦接的存储单元执行第一读取操作时，在第一...
    2026-03-02
  • 闪存阵列的编程方法
    闪存阵列的编程方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511432052.0
    本发明提供了一种闪存阵列的编程方法，对选定存储单元的选定存储位进行编程时，对所述选定存储单元的选定存储位所对应的所述控制栅线施加第一电压；对与所述选定存储单元相邻的非选定存储单元的预设存储位所对应的所述控制栅线施加第二电压；其中，所述预设存...
    2026-03-02
  • 一种熔丝状态读写电路及集成芯片
    一种熔丝状态读写电路及集成芯片_深圳砺芯半导体有限责任公司_202511338778.8
    本申请公开了一种熔丝状态读写电路及集成芯片，涉及集成电路技术领域。通过上电复位电路在检测到工作电源的工作电压上升至预设翻转电压时，判定工作电压已稳定，输出对应的解除复位信号至使能电路；使能电路在接收到解除复位信号时，将外部提供的读信号进行延...
    2026-03-02
  • 多值单元编程电路
    多值单元编程电路_中国科学院微电子研究所_202410920697.8
    本申请公开了一种多值单元编程电路，设置于非易失性存储器中。该电路包括：基准电流生成单元，用于接收基准电压，并将基准电压转换为基准电流；多值电流生成单元，用于基于控制器发出的多值电流选取信号，将基准电流转换为设置电流；存储器单元选择器，用于基...
    2026-03-02
  • 用于有效读出保留退化的NAND数据的自适应方法
    用于有效读出保留退化的NAND数据的自适应方法_联想(新加坡)私人有限公司_202510952034.9
    本公开内容涉及用于有效读出保留退化的NAND数据的自适应方法。提供了一种操作具有固态驱动器(SSD)的计算装置的方法，其包括：获得预先存在的读取重试表，该读取重试表包括用于读取SSD的闪存的电压索引集的顺序列表；确定SSD的老化参数；基于老...
    2026-03-02
  • 用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法
    用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202510625938.0
    本发明提供了一种用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法。该存储器件包括：单元串，包括存储单元；以及页缓冲器，被配置为通过位线连接到单元串，并且被配置为通过感测锁存器电路感测存储单元中的所选择的存储单元的数据，其中，感测锁存器电路包括：感测锁...
    2026-03-02
  • 非易失性存储器及其数据擦除方法
    非易失性存储器及其数据擦除方法_长江存储科技有限责任公司_202511460864.6
    本申请实施例公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。存储器包括多个存储单元串，每个存储单元串包括串接的选择栅晶体管和存储单元。方法包括：向待进行擦除操作的存储单元串施加具有台阶状上升的电压波形的台阶擦除电压；在台阶擦除电压从其中间电平升高至...
    2026-03-02
  • 基于均衡策略的数据写入方法
    基于均衡策略的数据写入方法_深圳市振邦智能科技股份有限公司_202511558196.0
    本发明公开了一种基于均衡策略的数据写入方法，所述方法包括：获取目标存储器的所有活跃区块，并将所述活跃区块分为高磨损区块以及低磨损区块；将所述高磨损区块中的冷数据迁移至所述低磨损区块。本发明可以动态迁移冷数据，提高存储器的使用寿命。
    2026-03-02
  • 存储装置的编程方法、存储装置及存储系统
    存储装置的编程方法、存储装置及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202511427457.5
    本申请实施例公开了一种存储装置的编程方法、存储装置及存储系统，所述存储装置包括多个平面；所述方法包括：使用以第一步增量增加的编程电压，对所述多个平面中的至少两个平面进行编程；对所述至少两个平面进行验证，确定所述至少两个平面中存在验证异常的平...
    2026-03-02
  • 存储器装置及其操作
    存储器装置及其操作_长江存储科技有限责任公司_202410939662.9
    在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元块以及耦合到所述存储器单元块的外围电路。所述外围电路被配置为：在擦除操作中，预擦除所述存储器单元块；在预擦除所述存储器单元块之后，对所述存储器单元块进行编程；以及在对所述存储器单元块进行编程之后，擦...
    2026-03-02
  • efuse读写电路及其读写方法
    efuse读写电路及其读写方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511529894.8
    本发明提供一种efuse读写电路及其读写方法，efuse读写电路包括至少一个efuse读写区块。efuse读写区块包括：efuse存储阵列，包括若干个存储单元；编程控制模块，包括n个编程控制单元，分别连接各位线的第一端，通过与字线配合选中任...
    2026-03-02
  • 面向工业实时控制的ReRAM存算一体芯片及数据处理方法
    面向工业实时控制的ReRAM存算一体芯片及数据处理方法_四川华承亿科技有限公司_202511661818.2
    本发明公开面向工业实时控制的ReRAM存算一体芯片及数据处理方法，涉及电子信息技术领域，芯片包括主存算阵列、微调阵列、状态监测单元、最优结果选择器及交织式参考列，主存算阵列划分为多个独立子阵列执行主要控制模型计算；微调阵列预置多种权值增量模...
    2026-03-02
  • 一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法
    一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法_南方科技大学_202511334292.7
    本发明公开了一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法，RRAM电荷域非线性抵消电路包括：模拟存储模块、电压生成模块、存内计算模块；其中，所述电压生成模块用于输出斜坡电压信号；存内计算模块用于根据所述源线电压信号和字线打开时间进行...
    2026-03-02
  • 电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法
    电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法_三星电子株式会社_202510135815.9
    提供了一种电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法。所述电阻式存储装置包括存储单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括电阻式存储器单元和复位晶体管，复位晶体管中的每个结合到源极线中的相应一条，并且源极线中的每条在相应一对相...
    2026-03-02
  • 一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统
    一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统_北京宽温微电子科技有限公司_202511882191.3
    本申请提供一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统，涉及寄存器技术领域，该SRAM读写辅助电路包括写辅助电路、读辅助电路以及控制模块，当处于读数据阶段时，控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路下发送第一控制信号，关闭写辅助电路，驱动读辅助电...
    2026-03-02
  • 一种基于SRAM的双行读取电路及方法
    一种基于SRAM的双行读取电路及方法_安徽大学_202511742271.9
    本发明公开了一种基于SRAM的双行读取电路及方法。该电路包括位于阵列奇数行的多个第一单元、位于阵列偶数行的多个第二单元以及外围检测电路。每个第一单元包括交叉耦合连接的第一反相器、第二反相器以及NMOS管N1、N2、N5、N6，每个第二单元包...
    2026-03-02
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