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最新专利技术
  • 一种具有医用防辐射效果的PVA/PbWO4复合材料及应用
    一种具有医用防辐射效果的PVA/PbWO4复合材料及应用_绵阳市第三人民医院_202511316009.8
    本发明属于医用材料技术领域，具体涉及一种具有医用防辐射效果的PVA/PbWO44复合材料及应用。本发明首先提供了一种PVA/PbWO44复合材料在制备医用防辐射产品中的应用，所述PVA/PbWO44复合材料由PbWO44溶解于聚乙烯醇中复合...
    2026-03-22
  • 一种室温磷光碳点复合纤维的制备方法及其应用
    一种室温磷光碳点复合纤维的制备方法及其应用_天津工业大学绍兴柯桥研究院_202510997224.2
    本发明提供了一种发光纤维技术领域的室温磷光碳点(RTP CDs)复合纤维的制备方法及其应用，解决了荧光CDs复合纤维发光单一以及传统磷光纤维制备工艺复杂、成本高以及毒性大的问题，本发明使用绿色可降解的聚乙烯醇(PVA)与RTP CDs共混，...
    2026-03-22
  • 一种高强型耐腐蚀自清洁超高分子量聚乙烯纤维及其制备方法
    一种高强型耐腐蚀自清洁超高分子量聚乙烯纤维及其制备方法_广东职业技术学院_202511803420.8
    本发明提供了一种高强型耐腐蚀自清洁超高分子量聚乙烯纤维及其制备方法，属于高性能纤维领域。本发明所述方法包括：(1)将超高分子量聚乙烯粉料与助剂混合后分散于纺丝溶剂中，得到纺丝液；(2)将纺丝液预热后，转移至双螺杆挤出机中共混挤出，冷却，得到...
    2026-03-22
  • 一种辐照交联增强型超高分子量聚乙烯纤维和制备方法
    一种辐照交联增强型超高分子量聚乙烯纤维和制备方法_湖南中泰特种装备有限责任公司_202511723931.9
    本发明具体涉及一种辐照交联增强型超高分子量聚乙烯纤维和制备方法，包括如下步骤：将含有超高分子量聚乙烯纤维粉末、氧化石墨烯和溶剂的原液进行凝胶纺丝，挤出后，冷却，得到凝胶初生纤维；所述凝胶初生纤维萃取，干燥，得到UHMWPE干凝胶纤维；然后进...
    2026-03-22
  • 一种菌草纤维素纤维低能耗制备方法
    一种菌草纤维素纤维低能耗制备方法_潍坊欣龙生物材料有限公司_202511645482.0
    本发明公开了一种菌草纤维素纤维低能耗制备方法，包括菌草浆的制备和菌草纤维的制备步骤：所述菌草浆的制备包括菌草原料经预处理、爆破处理、水洗压榨、纤维素提纯、水洗、漂白、二次水洗与浓缩步骤得到湿浆料；所述菌草纤维的制备，采用湿浆浸渍，在所述湿浆...
    2026-03-22
  • 一种具有抗菌功能的凉感面料及其制备方法
    一种具有抗菌功能的凉感面料及其制备方法_康宝莱(宁波)织造有限公司_202511690713.X
    本发明涉及面料制备技术领域，具体为一种具有抗菌功能的凉感面料及其制备方法，由混合纤维制成，混合纤维包含以下功能性成分：薰衣草粉体，通过干燥、研磨细化后与花莲丰田玉复合粉体结合形成多孔质复合粉体，甘蔗渣粉体，经制糖后废渣干燥、研磨细化后与花莲...
    2026-03-22
  • 一种消光荧光复合纤维的生产工艺、设备及纤维
    一种消光荧光复合纤维的生产工艺、设备及纤维_浙江昊能科技有限公司_202511403336.7
    本发明涉及荧光纤维技术领域，特别涉及一种消光荧光复合纤维的生产工艺、设备及纤维，包括以下步骤：(a)将消光聚酯切片干燥后，经第一螺杆挤出机熔融挤出，计量后形成消光聚酯熔体流；(b)将含稀土荧光材料的荧光聚酯母粒与基础聚酯切片混合干燥，经第二...
    2026-03-22
  • 一种细旦FDY竹节丝的制备方法
    一种细旦FDY竹节丝的制备方法_江苏恒科新材料有限公司_202511685160.9
    本发明公开了一种细旦FDY竹节丝的制备方法，包括以下步骤：聚酯熔体从喷丝板挤出进入滤芯风筒进行冷却成型形成丝束，所述滤芯风筒外周侧设置有多个沿径向将其贯穿的供冷却风通过的变径通孔；对所述丝束进行上油；上油后的丝束经过牵伸辊组件进行牵伸；牵伸...
    2026-03-22
  • 一种基于抗紫外线剂的DTY丝制造方法
    一种基于抗紫外线剂的DTY丝制造方法_浙江吉丝新材料有限公司_202511489903.5
    本发明公开了一种基于抗紫外线剂的DTY丝制造方法。该方法包括：确定聚合物基体中抗紫外线剂的最佳添加量；将预干燥的聚合物与所述抗紫外线剂在设定的进料段、混合段和均化段温度下投入双螺杆挤出机获得改性聚合物熔体；在设定的纺丝温度和冷却条件下对所述...
    2026-03-22
  • 一种再生纤维素工业丝的制备方法及制备装置
    一种再生纤维素工业丝的制备方法及制备装置_浙江海利得新材料股份有限公司_202511690773.1
    本发明属于再生纤维素工业丝技术领域，具体涉及一种再生纤维素工业丝的制备方法及制备装置。该再生纤维素工业丝采用新溶剂法制备，通过梯度热定型处理可显著提高工业丝的断裂伸长率和尺寸稳定性。该制备装置的热定型区按照工业丝通过的先后顺序依次含有一个高...
    2026-03-22
  • 一种熔体直纺粉料添加装置
    一种熔体直纺粉料添加装置_新凤鸣集团股份有限公司_202511457579.9
    本发明涉及熔体直纺技术领域，尤其是一种熔体直纺粉料添加装置，包括支撑架，所述支撑架内底部固定连接有容器，所述支撑架内设置有第二筒体，所述第二筒体底部设置有第一筒体，所述第二筒体内固定连接有过滤网。本发明得到一种熔体直纺粉料添加装置，能高效拦...
    2026-03-22
  • 一种可调控石墨烯结晶效果的石墨烯-金刚石异构结的制备方法
    一种可调控石墨烯结晶效果的石墨烯-金刚石异构结的制备方法_西南科技大学_202511537599.7
    本发明公开了一种可调控石墨烯结晶效果的石墨烯‑金刚石异构结的制备方法，通过两种金属的协同增效作用或抑制作用，有效调控金刚石表面生成的石墨烯薄膜的层数，且保证了石墨烯结晶质量。具体方法是：从石英管底部向上依次有间距的设置金属锰、金刚石和第二金...
    2026-03-22
  • 一种晶棒及拉晶方法
    一种晶棒及拉晶方法_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202511445922.8
    本申请实施例公开了一种晶棒及拉晶方法，属于半导体制造技术领域。其中，拉晶方法包括晶体收尾步骤，晶体具有总收尾长度L，收尾步骤包括：第一收尾阶段，对硅熔体施加第一磁感应强度B11，第一收尾阶段具有第一收尾长度L11；第二收尾阶段，对硅熔体施加...
    2026-03-22
  • 基于4-硝基苯丙氨酸的非线性光学晶体的制备方法和应用
    基于4-硝基苯丙氨酸的非线性光学晶体的制备方法和应用_贵州工程应用技术学院_202511439666.1
    本发明属于非线性光学材料领域，提供了一种基于4‑硝基苯丙氨酸的非线性光学晶体的制备方法和应用，非线性光学晶体通过将有机4‑硝基‑D‑苯丙氨酸阳离子与无机硝酸根阴离子以特定比例结合，得到两种非中心对称结构的光学晶体，4‑硝基‑D‑苯丙氨酸硝酸...
    2026-03-22
  • 一种高活性氧化镁制备5·1·7晶相碱式硫酸镁晶须方法
    一种高活性氧化镁制备5·1·7晶相碱式硫酸镁晶须方法_沈阳化工大学_202511608275.8
    本发明一种高活性氧化镁制备5·1·7晶相碱式硫酸镁晶须方法，涉及一种制备5·1·7晶相碱式硫酸镁晶须方法，该方法通过以下步骤实现：(1)添加适当的改性剂并控制投料比例对高活性氧化镁的水化反应进程进行调控；(2)控制反应条件和后处理条件实现5...
    2026-03-22
  • 基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备
    基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备_常州臻晶半导体有限公司_202511854458.8
    本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及基于液相法的碳化硅晶体生长，尤其涉及一种基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备。其中，基于液相法的碳化硅晶体生长工艺，通过预压设备对配料进行压实，从而减少配料间的孔隙，从而减少配料熔融过程中气体释放的...
    2026-03-22
  • 一种大尺寸、低电阻率的4H-SiC单晶晶棒及4H-SiC单晶衬底
    一种大尺寸、低电阻率的4H-SiC单晶晶棒及4H-SiC单晶衬底_上海天岳半导体材料有限公司_202511853539.6
    本申请公开了一种大尺寸、低电阻率的4H‑SiC单晶晶棒及4H‑SiC单晶衬底，属于4H‑SiC单晶制备技术领域。所述4H‑SiC单晶晶棒的厚度在15mm以上，所述4H‑SiC单晶晶棒在任意位置处的电阻率均大于6mΩ·cm且小于12mΩ·cm...
    2026-03-22
  • 一种碳化硅晶体的生长装置、碳化硅晶体及其生长方法
    一种碳化硅晶体的生长装置、碳化硅晶体及其生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511742980.7
    本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶体的生长装置、碳化硅晶体及其生长方法。本发明通过将籽晶、石墨筒固定，仅原料向下提拉的方式，将原料由温场中部的中温区逐渐往温场下部的高温区移动。在生长初期原料充足，原料在中温区内也能得到分...
    2026-03-22
  • 一种4H碳化硅晶体的生长方法及相关产品
    一种4H碳化硅晶体的生长方法及相关产品_深圳市重投天科半导体有限公司_202511692554.7
    本申请公开了一种4H碳化硅晶体的生长方法及相关产品，可应用于碳化硅单晶生长技术领域，该方法包括：首先将第一籽晶和第一碳化硅原料放入生长炉中；第一籽晶为4H‑SiC单晶。然后向生长炉中通入第一预设流量的氮气，同时进行升温；升温结束后向生长炉中...
    2026-03-22
  • 半导体晶体制造装置
    半导体晶体制造装置_株式会社电装_202510751477.1
    半导体晶体制造装置(1)，对于配置在真空容器(6)内的基座(9)配置由半导体构成的晶种(5)，通过向该晶种供给半导体的原料气体(3)而在该晶种的表面进行晶体生长，具备：加热装置(13、14)，包含对配置在真空容器内的加热物(7、10、20)...
    2026-03-22
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