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最新专利技术
  • 一种基于超薄氧化镓介电层的高性能MoS2晶体管及其制作方法
    一种基于超薄氧化镓介电层的高性能MoS2晶体管及其制作方法_中国科学院金属研究所_202410853287.6
    本发明涉及新型半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于超薄氧化镓介电层的高性能MoS2晶体管及其制作方法。该晶体管由底部氮化镓衬底、与氮化镓接触的钛/铝/钛/金叠层金属电极、超薄氧化镓介电层、二硫化钼沟道以及与二硫化钼相连的石墨烯电极和钛...
    2026-01-21
  • 一种高效能硅基氮化镓HEMT器件及制备方法
    一种高效能硅基氮化镓HEMT器件及制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511821865.9
    本发明提供了一种高效能硅基氮化镓HEMT器件及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：Si衬底、AlN成核层、GaN通道层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极、源极以及漏极；AlN成核层设置在Si衬底上；GaN通道层设置在AlN成核层上；AlG...
    2026-01-21
  • 一种半导体器件及半导体器件的制作方法
    一种半导体器件及半导体器件的制作方法_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511427124.2
    本发明实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；设置于所述衬底一侧的缓冲层；设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；设置于所述沟道层远离所述衬底一侧的势垒层；设置于所述势垒层远离所述衬底一侧...
    2026-01-21
  • 一种应用双漂移区和高K介质的金刚石MOSFET及其制备方法
    一种应用双漂移区和高K介质的金刚石MOSFET及其制备方法_复旦大学_202511391435.8
    本发明公开一种应用双漂移区和高K介质的金刚石MOSFET及其制备方法。该金刚石MOSFET包括：P+型掺杂的金刚石衬底；P‑漂移层，形成在P+型掺杂的金刚石衬底上；N‑漂移层，形成在P‑漂移层上；N型阻挡层，形成在P‑漂移层上；沟槽，其贯穿...
    2026-01-21
  • 一种半导体器件及其形成方法
    一种半导体器件及其形成方法_安建科技有限公司_202410859269.9
    一种半导体器件及其形成方法，本发明涉及于半导体功率器件，为提高器件的可靠性及效能，本发明的通过设置上下两层P型盖层，下层的第一P型盖层的高浓度保证了器件的阈值电压可达到较高的数值，减低增强型器件被误开启的机会，上层第二P型盖层的厚度较薄，当...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511824097.2
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构由于在源极沟槽内填充了宽禁带介质层，使电场在横向和纵向上分布得更加均匀平坦，宽禁带介质层可以更精细地调制器件内部的电场，特别是栅极沟槽底部的电场峰值，使得栅极氧化层承受的...
    2026-01-21
  • 一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管
    一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管_重庆平伟实业股份有限公司_202511514827.9
    本发明提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该场效应晶体管的制造方法包括：在第一导电类型半导体漂移区形成第一沟槽，在第一沟槽的基础上中形成第二沟槽，对第二沟槽中形成的第一氧化层进行各向异性刻蚀，对刻蚀后的第二沟槽进行离子注入，形成超...
    2026-01-21
  • 一种基于GaN HEMT的可控电压调节器以及制作方法
    一种基于GaN HEMT的可控电压调节器以及制作方法_苏州镓港半导体有限公司_202511439909.1
    本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种基于GaN HEMT的可控电压调节器以及制作方法，包括以下步骤：S1：预处理，提供衬底并对所述衬底进行清洗；S2：生长HEMT外延结构，在所述衬底上生长HEMT外延结构，所述外延层包括依次形成的成核层...
    2026-01-21
  • 一种碳化硅半超结沟槽栅MOSFET功率器件的制备方法
    一种碳化硅半超结沟槽栅MOSFET功率器件的制备方法_电子科技大学_202511385244.0
    本发明属于半导体器件技术领域，涉及碳化硅功率器件的制备技术，具体提供一种碳化硅半超结沟槽栅MOSFET功率器件的制备方法，用以解决现有技术存在的制造工艺难度大、生产制造成本高的技术问题。本发明设置源极沟槽以增加P柱区的深度，通过在源极沟槽底...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511362016.1
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法，该方法通过先提供包括衬底层和外延层的衬底结构，对外延层进行刻蚀处理，以形成位于所述外延层表面的预设体区；于所述预设体区中沉积目标半导体材料；目标半导体材料与衬底结构的材料不同；对...
    2026-01-21
  • 氮化镓HEMT器件制作方法
    氮化镓HEMT器件制作方法_东莞市中镓半导体科技有限公司_202511359936.8
    本发明公开了一种氮化镓HEMT器件制作方法，包括：在生长衬底上通过MOCVD和/或HVPE工艺形成外延层，所述外延层包括氮化镓沟道层、AlGaN势垒层；在所述AlGaN势垒层上通过沉积工艺形成介质层；在所述外延层及介质层上光刻定义源极、漏极...
    2026-01-21
  • 形成半导体装置的方法
    形成半导体装置的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510919953.6
    一种形成半导体装置的方法包括形成在基板之上突出的第一鳍片结构及第二鳍片结构，在各第一鳍片结构及第二鳍片结构的相对侧上形成浅沟槽隔离区，在浅沟槽隔离区以及第一鳍片结构及第二鳍片结构的顶表面上方、以及第一鳍片结构及第二鳍片结构的侧壁上沉积硬遮罩...
    2026-01-21
  • 一种高短路能力的平面栅IGBT器件及其制造方法
    一种高短路能力的平面栅IGBT器件及其制造方法_成都晶湛电子科技有限公司_202511272021.3
    本发明涉及一种高短路能力的平面栅IGBT器件及其制造方法，在常规平面型IGBT的制备的基础上对P型阱区的形成步骤进行调整，即在完成有源区磷注入和推结后，进行P型阱区注入的光刻及硼离子注入，再进行栅极氧化层生长，多晶硅栅极淀积及刻蚀，N+发射...
    2026-01-21
  • 一种亚微米的微沟槽IGBT
    一种亚微米的微沟槽IGBT_江苏东海半导体股份有限公司_202511477932.X
    本发明公开了一种亚微米的微沟槽IGBT，属于功率半导体器件技术领域，包括衬底、若干沟槽和接触组件；包括Gate沟槽和虚拟沟槽，所述Gate沟槽与虚拟沟槽之间通过氧化层与衬底隔绝，且所述Gate沟槽采用多沟槽并联且非全沟道的结构，所述非全沟道...
    2026-01-21
  • 一种新型槽形SiC IGBT器件
    一种新型槽形SiC IGBT器件_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511455509.X
    本发明公开了一种新型槽形SiC IGBT器件，涉及半导体技术领域，包括晶圆，晶圆包括外延层和掺杂区，外延层上设置有槽形区，掺杂区分布在所述槽形区的两侧，外延层中设置有对称分布的浮空岛，浮空岛位于掺杂区的正下方且与掺杂区不接触。通过在外延层设...
    2026-01-21
  • 一种交替宽窄台面碳化硅超级结肖特基二极管结构及制备方法
    一种交替宽窄台面碳化硅超级结肖特基二极管结构及制备方法_西安微电子技术研究所_202511424010.2
    本发明涉及功率器件设计技术领域，具体为交替宽窄台面碳化硅超级结肖特基二极管结构及制备方法，该二极管的碳化硅外延层上设置第一导电结构台面，第一导电结构台面包括交替排列的第一台面和第二台面，第一台面的台面宽度大于第二台面的台面宽度；第一台面的P...
    2026-01-21
  • 基于渐变缓冲层的复合终端垂直型GaN肖特基二极管
    基于渐变缓冲层的复合终端垂直型GaN肖特基二极管_杜鸣_202511353967.2
    本申请涉及半导体技术领域，公开了基于渐变缓冲层的复合终端垂直型GaN肖特基二极管，自下而上包括：阴极、重掺杂N型GaN衬底层、A l组分为2％的A l GaN层、A l组分为5％的A l GaN层、A l组分为10％的A l GaN层、电流...
    2026-01-21
  • 一种具有顶部延展电极的纳米空气沟道二极管及其制备方法
    一种具有顶部延展电极的纳米空气沟道二极管及其制备方法_电子科技大学_202511227247.1
    本发明涉及半导体器件与纳米真空电子技术领域，具体涉及一种纳米空气沟道二极管及其制备方法, 包括衬底以及层叠于其上的绝缘层；所述绝缘层上同层设置有发射电极和接收电极，其中发射电极环绕于接收电极外侧，且二者之间留有空隙；接收电极的顶端设有向发射...
    2026-01-21
  • 一种双栅极界面电导调制的横向二极管芯片
    一种双栅极界面电导调制的横向二极管芯片_济南晶恒电子有限责任公司_202511352025.2
    本申请涉及二极管芯片技术领域，尤其涉及一种双栅极界面电导调制的横向二极管芯片，包括沉底、P++区、N++区、钝化氧化层、栅极G2、栅极G1、隔离氧化层、金属电极；P++区、N++区均在沉底上由扩散的方法形成；钝化氧化层设于沉底上表面；栅极G...
    2026-01-21
  • 一种小型化的二极管
    一种小型化的二极管_华为技术有限公司_202410875164.2
    本申请提供一种小型化的二极管，包括：第一半导体层、I型半导体层、第二半导体层、电极层、介质层，介质层与第二半导体层位于电极层与I型半导体层之间；电极层中的第一电极位于第二半导体层背离第一半导体层的一侧，电极层中的场板位于介质层背离第一半导体...
    2026-01-21
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