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  • 本发明公开了一种硅基阳极极片及其制备方法和电芯,涉及电池领域。阳极极片包括集流体和阳极材料,阳极材料包括活性材料,集流体表面沿其长度方向平均分配为n段,起始段位于阳极极片卷绕的内层,终点段位于阳极极片卷绕的外层,集流体第i段的活性材料包括质...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体涉及一种电极组件和电池。所提供的电极组件包括:正极片、负极片和设于所述正极片和所述负极片之间的隔膜;其中,所述正极片包括:集流体,所述集流体具有第一表面,所述第一表面朝向负极片,所述第一表面包括第一区域和第二区域...
  • 本公开涉及一种电极和包括该电极的二次电池。该电极包括:基板,由金属材料制成;第一复合物层,被涂覆在所述基板的第一表面的一部分上,以在所述第一表面的一端形成第一未涂覆部分;第二复合物层,被涂覆在所述基板的第二表面的一部分上,以在所述第二表面的...
  • 本申请提供了一种电极极片、电池、电池包和用电设备。涉及电池技术领域。电极极片包括集流体、活性物质层和极耳。活性物质层包括相互连接的第一部分和第二部分。极耳和第一部分对应设置的集流体连接。第二部分具有凹槽结构,其中,凹槽结构和极耳之间具有间距...
  • 本发明公开了一种极片、电池及用电设备,极片包括极片主体以及与极片主体连接的至少一个极耳,极片主体包括集流体以及涂布在集流体表面的活性材料,极片主体在第一方向上包括至少两个区域,至少两个区域涂布的活性材料不同;至少两个区域包括远离极耳的远端区...
  • 本申请涉及一种参比电极及其制备方法、二次电池及其制备方法和用电装置,该参比电极包括多孔金属基材和导电金属材料,至少部分的导电金属材料设于多孔金属基材的孔隙结构内,多孔金属基材中的金属元素包括银和镍中的一种或多种,从而能够有效提升参比电极在钠...
  • 本发明公开了一种复合结构的双极性电极及其制备方法和用途。所述双极性电极包括正极、集流体和复合负极,所述集流体位于正极和复合负极之间;所述复合负极包括锂负极和位于锂负极表面的修饰层,所述修饰层包括氟化碳材料、氟化碳材料与锂负极原位反应生成的氟...
  • 本申请涉及电池领域,尤其涉及一种叠片电芯。包括极片和极耳,若干所述极片堆叠设置,所述极片包括集流体及位于所述集流体表面至少一侧的活性物质层,所述极耳与所述集流体电连接,并延伸出所述极片的边缘,所述活性物质层上含有若干个凹部,至少一个所述凹部...
  • 本发明公开了一种蒽‑芘/多孔碳复合材料及其制备方法和应用,涉及新能源储能材料技术领域。本发明利用ZIF‑8和单宁酸作为原料,经反应和碳化处理后,得ZIF‑8衍生碳材料,然后将蒽和芘混合分散至甲苯中得蒽‑芘混合液,将ZIF‑8衍生碳材料加入至...
  • 本发明提供了一种干法正极膜的制备方法、干法正极膜、正极极片和全固态电池,属于锂离子电池技术领域;所述干法正极膜的制备方法,包括将正极活性物质、导电剂、固态电解质、添加剂和粘结剂混合至均匀,得到混料团块;将混料团块重复辊压折叠,得到干法正极膜...
  • 本发明涉及锂离子电池技术领域,具体涉及一种金属离子掺杂磷酸锰铁锂正极材料及其制备方法,用于解决现有的磷酸锰铁锂正极材料的电化学性能和循环稳定性较差的问题;该制备方法通过向磷酸锰铁锂中掺杂金属离子铌‑钛来优化其电化学性能和循环性能以及电导率,...
  • 一种电池正极材料干法研磨制备工艺,包括以下步骤:S1、原料暂存:将制备正极材料所需的各种固体原料分别进行解包并独立暂存;S2、计量:对暂存后的各原料按其化学计量配比进行称量;S3、干法研磨:将计量后的全部原料输送至干法研磨设备中,在其内设置...
  • 本发明提供了一种硅基石墨混合浆料及其制备方法、负极片和电池。该制备方法包括以下步骤:步骤S1,将包括硅基活性材料、聚丙烯酸和水的原料进行第一混合,得到第一浆料;步骤S2,将包括分散剂和水的原料进行第二混合,得到第二浆料;步骤S3,将第二浆料...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体涉及一种电极片及其制备方法和电池。所提供的电极片的制备方法包括:S1、将包含锂源的第一溶液和包含硫源的第二溶液混合,得到混合溶液;S2、将所述混合溶液与具有涂层的集流体进行接触,在所述涂层中生成硫化物固态电解质,...
  • 本发明公开一种Ce, Nd‑MOF‑5/GO/PANI复合材料、制备方法及其应用,以双稀土元素掺杂改性的MOF‑5为骨架,通过与氧化石墨烯复合构建三维导电网络,并利用原位聚合法聚合高导电性的聚苯胺。通过对复合材料进行循环伏安测试分析其电化学...
  • 一种作为显示器使用且填充有反射胶体以增进发光亮度的Mini LED灯板及其Mini LED显示器,灯板包含基板、LED单元、第一及第二反射胶体,LED单元布设于基板且分别包含第一、第二LED或第一至第三LED,LED的发光角度≥90度。第一...
  • 本申请提供一种无源器件及其制备方法、封装结构、集成电路。该无源器件包括电容结构和基底,电容结构包括第一极板、第二极板和介电层,第一极板和第二极板沿第一方向间隔排布,且介电层设置于第一极板和第二极板之间;第一极板和第二极板在第一方向至少部分重...
  • 本发明提出一种半导体封装载板结构及其制法。半导体封装载板结构包括一包含有至少一第一图案化布线层、一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层的线路增层结构,以及至少一由漆包线构成的绕线螺旋线圈;其中,该第一图案化布线层嵌埋于该第三介电层内,且该...
  • 本公开实施例提供了一种半导体测试结构,包括:叠层分布的第一金属层和第二金属层之间被介质层填充;第一测试链和第二测试链分别分布于第一金属层和第二金属层;第一测试链包括第一主链和多个第一支链,第一支链依次沿第一方向和第二方向蜿蜒延伸且半包围多个...
  • 本发明公开一种半导体测试结构以及半导体结构的测试方法,其中半导体测试结构包含一基底,多个栅极结构位于该基底上,多个薄膜电阻层,各该薄膜电阻层分别位于该多个栅极结构中的其中一个栅极结构的上方,且该多个薄膜电阻层位于一介电层中,一测试线路层,位...
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