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最新专利技术
  • 一种芯片级电流传感器封装结构
    一种芯片级电流传感器封装结构_宁波中车时代传感技术有限公司_202511658476.9
    一种芯片级电流传感器封装结构，芯片级电流传感器封装结构设置有次边引脚、原边母排、隔离片、霍尔芯片和键合线，还设置有与所述原边母排以及所述隔离片形成电容并将所述原边母排产生热量传导至所述次边引脚的金属片；所述金属片设置于所述隔离片与所述霍尔芯...
    2026-01-01
  • 基于CrMoGe₂S₆/Ga₂O₃异质结构拉伸应变的非易失性存储器件及构建方法
    基于CrMoGe₂S₆/Ga₂O₃异质结构拉伸应变的非易失性存储器件及构建方法_南京林业大学_202511346271.7
    本发明公开基于CrMoGe2S6/Ga2O3异质结构拉伸应变的非易失性存储器件及构建方法，属于非易失性存储器件技术领域；包括：将单层Ga2O3与单层CrMoGe2S6进行垂直堆叠，搭建两种CrMoGe2S6/Ga2O3异质结构；对CrMoG...
    2026-01-01
  • 磁屏蔽贴片、芯片封装件及其制造方法
    磁屏蔽贴片、芯片封装件及其制造方法_浙江驰拓科技有限公司_202410779726.3
    本发明提供一种磁屏蔽贴片、芯片封装件及其制造方法，其中磁屏蔽贴片包括：半导体衬底和抗磁衬底；半导体衬底与抗磁衬底堆叠并固定贴合；半导体衬底的材料选用晶圆的材料中的至少一种，抗磁衬底的材料选用软磁材料中的至少一种。本发明能够实现MRAM抗磁封...
    2026-01-01
  • 一种基于交错磁体KV2Se2O的自旋电子学器件
    一种基于交错磁体KV2Se2O的自旋电子学器件_南京林业大学_202511342964.9
    本发明公开一种基于交错磁体KV2Se2O的自旋电子学器件，包括左电极、中心散射区和右电极，其中左电极和右电极均由交错磁体KV2Se2O构成，中心散射区为KV2Se2O材料构成的扩展结构，器件的输运方向为z方向；本发明补充了KV2Se2O这一...
    2026-01-01
  • 一种基于磁涡旋极性调控的二值逻辑门器件
    一种基于磁涡旋极性调控的二值逻辑门器件_大连民族大学_202511273062.4
    本发明属于自旋电子学领域，公开了一种基于磁涡旋极性调控的二值逻辑门器件，若干个铁磁性纳米盘置于铁磁‑反铁磁‑铁磁耦合纳米带上方，铁磁性纳米盘与耦合纳米带之间存在静磁耦合；铁磁‑反铁磁‑铁磁耦合纳米带与偏置纳米磁体垂直交叉连通，偏置纳米磁体正...
    2026-01-01
  • 磁隧道结及存储单元
    磁隧道结及存储单元_中电海康集团有限公司_202410747588.0
    本发明提供一种磁隧道结，包括：依次层叠设置的自由层、势垒层和参考层，其中，参考层在动量空间有两个方向的参考层传导通道，且两个方向的参考层传导通道携带的自旋信息相反；自由层在动量空间具有单向的自由层传导通道，自由层传导通道与其中一个方向的参考...
    2026-01-01
  • 一种基于有机电荷转移共晶的压电复合薄膜的制备方法及其应用
    一种基于有机电荷转移共晶的压电复合薄膜的制备方法及其应用_苏州大学_202511316067.0
    本发明公开了一种基于有机电荷转移共晶的压电复合薄膜的制备方法及其应用，包括以下步骤：将有机电荷转移共晶或形成所述有机电荷转移共晶的共晶组分与聚偏氟乙烯及其共聚物溶液混合均匀得到混合溶液，经静电纺丝制备得到所述压电复合薄膜；所述共晶组分包括电...
    2026-01-01
  • 一种微型热电器件、多层微型热电器件及其制备方法
    一种微型热电器件、多层微型热电器件及其制备方法_广东工业大学_202511118780.4
    本发明涉及热电器件技术领域，公开一种微型热电器件、多层微型热电器件及其制备方法，微型热电器件包括第一陶瓷基板、第二陶瓷基板和若干微型热电晶粒；第一陶瓷基板设有若干通孔，通孔内填充有导电金属；第一陶瓷基板设有外电路和金属层。通过在陶瓷基板中增...
    2026-01-01
  • 一种基于单壁碳纳米管和氧化亚铜的P型和N型热电薄膜及其制备工艺
    一种基于单壁碳纳米管和氧化亚铜的P型和N型热电薄膜及其制备工艺_天冀桢材科技(河北)有限公司_202511388503.5
    本发明公开了一种基于单壁碳纳米管和氧化亚铜的P型和N型热电薄膜及其制备工艺，属于热电薄膜技术领域。该热电薄膜利用Cu2O对SWCNTs进行P/N型掺杂，经过表面修饰、抽滤成膜以及PVA粘附工艺制备所得，以SWCNTs和Cu2O构成主要导电网...
    2026-01-01
  • 一种具有高电导率和塞贝克系数的双层PEDOT : PSS薄膜的制备方法
    一种具有高电导率和塞贝克系数的双层PEDOT : PSS薄膜的制备方法_南华大学_202511145442.X
    本发明公开了一种具有高电导率和塞贝克系数的双层PEDOT : PSS薄膜的制备方法。先向原始PEDOT : PSS溶液中加入无机酸混合，得到高电导率PEDOT : PSS溶液；将高电导率PEDOT : PSS溶液涂覆于基底上并干燥，在基底上...
    2026-01-01
  • 一种多功能Mg3(Sb, Bi)2基固态热电传感元器件的制备方法
    一种多功能Mg3(Sb, Bi)2基固态热电传感元器件的制备方法_四川大学_202410784079.5
    本发明属于材料领域，公开了一种多功能Mg3(Sb, Bi)2基固态热电传感元器件的制备方法，按Mg3.19Co0.01Sb0.49Bi1.49Te0.01化学原子比例称取各原料并使用高能球磨法合成粉体，结合快速热压烧结得到块体材料，经切割后...
    2026-01-01
  • 一种有机光电器件
    一种有机光电器件_上海钥熠电子科技有限公司_202511569087.9
    本发明涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种有机光电器件。有机光电器件包括第一电极、第二电极和有机层，其特征在于，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中至少一层，所述有机层包括化合物，所述化合物的化学结构如式...
    2026-01-01
  • 空穴传输材料、太阳电池及其制备方法
    空穴传输材料、太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510869850.3
    本申请涉及一种空穴传输材料、太阳电池及其制备方法。本申请的空穴传输材料，包括3‑氨基丙烷‑1‑磷酸以及自组装分子材料；自组装分子材料包括[2‑(9H‑咔唑‑9‑基)乙基]膦酸、[4‑(3, 6‑二甲基‑9H‑咔唑‑9‑基)丁基]膦酸以及[4...
    2026-01-01
  • 钙钛矿吸光层及其制备方法、太阳能电池、光伏组件
    钙钛矿吸光层及其制备方法、太阳能电池、光伏组件_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511471606.8
    本申请涉及钙钛矿技术领域，尤其涉及一种钙钛矿吸光层及其制备方法、太阳能电池、光伏组件。该钙钛矿吸光层，包含钙钛矿材料以及光活性材料，光活性材料的化学式为[ML3]X2，其中，M为中心离子，中心离子选自钌、铁或钴中的任意一种，L为配体，配体选...
    2026-01-01
  • 一种钙钛矿前驱液、钙钛矿吸光层、钙钛矿太阳能电池及制备方法
    一种钙钛矿前驱液、钙钛矿吸光层、钙钛矿太阳能电池及制备方法_天合光能股份有限公司_202511368377.7
    本发明属于光伏领域，具体涉及一种钙钛矿前驱液、钙钛矿吸光层、钙钛矿太阳能电池及制备方法。本发明的钙钛矿前驱液包括钙钛矿结构物质原料、消泡剂和溶剂；所述消泡剂的通式为(RCOO)nY，其中，R为C12‑C18烷基，n为1或2，Y为金属离子或‑...
    2026-01-01
  • 材料组合物、钙钛矿膜、太阳电池及制备方法、光伏组件
    材料组合物、钙钛矿膜、太阳电池及制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510715093.4
    本申请涉及钙钛矿膜技术领域，尤其涉及一种材料组合物、钙钛矿膜、太阳电池及制备方法、光伏组件。该材料组合物包括第一组分以及第二组分，第一组分为钙钛矿前驱体或阳离子材料，钙钛矿前驱体的通式为ABX3，阳离子材料的通式为AX。第二组分为添加剂，添...
    2026-01-01
  • 被动式有机电激发光二极管PMOLED的金属层缺陷检测方法
    被动式有机电激发光二极管PMOLED的金属层缺陷检测方法_南京迪视泰光电科技有限公司_202511175735.2
    本发明提供一种被动式有机电激发光二极管PMOLED的金属层缺陷检测方法，通过将异硫氰酸荧光素FITC粉末倒入稀释剂中，完全溶解后，配制成浓度为10 mg/mL的FITC溶液；将配制的FITC溶液和光刻胶混合，得到添加FITC的光刻胶；由添加...
    2026-01-01
  • 一种高均匀大尺寸钙钛矿膜退火装置
    一种高均匀大尺寸钙钛矿膜退火装置_凯伏绿能(西安)光电有限公司_202511532861.9
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是一种高均匀大尺寸钙钛矿膜退火装置，包括加热系统、吸附系统、气氛控制系统、保温系统、数据处理及控制系统、支撑系统；加热系统含整体电控发热且板面设吸附槽的发热单元及热传导单元，吸附系统通过真空泵抽气使膜层基体...
    2026-01-01
  • 钙钛矿层的制备方法、太阳电池、光伏组件
    钙钛矿层的制备方法、太阳电池、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510144265.7
    本发明公开了一种钙钛矿层的制备方法、太阳电池、光伏组件，该钙钛矿层的制备方法包括以下步骤：提供具有绒面结构的骨架层，在骨架层表面涂布阳离子溶液，退火处理，形成钙钛矿层；其中，在骨架层表面涂布阳离子溶液之前和/或在骨架层与阳离子溶液接触过程进...
    2026-01-01
  • 基于纳米压印技术制备钙钛矿太阳能电池的方法
    基于纳米压印技术制备钙钛矿太阳能电池的方法_吉林大学_202511296563.4
    本发明公开了基于纳米压印技术制备钙钛矿太阳能电池的方法，属于太阳能电池器件技术领域，包括制备表面含纳米锥柱结构的PDMS软膜，再对钙钛矿薄膜进行热纳米压印。该纳米锥柱结构可诱导钙钛矿晶粒规则均匀生长，使钙钛矿晶粒尺寸规则排列整齐，晶界密度与...
    2026-01-01
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