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最新专利技术
  • 油田回注水多级过滤净化装置及方法
    油田回注水多级过滤净化装置及方法_扬州德源环境工程有限公司_202510972597.4
    本发明公开了油田回注水多级过滤净化装置及方法，属于水处理设备技术领域，油田回注水多级过滤净化装置，包括筒体、紫外线灯、清洁机构、扰液机构、预处理机构、第一过滤机构和第二过滤机构。本发明中的油田回注水多级过滤净化装置通过设置二氧化钛光触媒催化...
    2025-12-25
  • 一种高空作业防坠落导轨转向变轨装置
    一种高空作业防坠落导轨转向变轨装置_广东安久电力器材有限公司_202510986206.4
    本发明涉及防坠导轨技术领域，具体为一种高空作业防坠落导轨转向变轨装置，包括包括底座组件、旋转导轨组件，底座组件包括带通孔的底座本体，通孔内设有可转动的转动轴，转动轴顶部固定连接旋转导轨组件，旋转导轨组件包括平直导轨及两侧的右侧圆弧导轨、左侧...
    2025-12-25
  • 低反射膜以及使用了该低反射膜的照相机模块检查用罩
    低反射膜以及使用了该低反射膜的照相机模块检查用罩_株式会社凸版巴川光学薄膜_202310056233.2
    提供宽频带中透射率高、且能够以低成本制造的低反射膜。一种低反射膜，具备：由树脂构成的透明基材、设置在透明基材的一个面侧的最表面的第1反射防止层、以及设置在透明基材的另一个面侧的最表面的第2反射防止层，第1反射防止层的反射率最小的波长在500...
    2025-12-25
  • 半导体装置以及制造半导体装置的方法
    半导体装置以及制造半导体装置的方法_周星工程股份有限公司_202480031466.X
    根据本发明的实施例的半导体装置包括形成在基板上且包括含贵金属层的电极、形成在含贵金属层的一个表面上的介电层以及形成在含贵金属层与介电层之间且含有钛(Ti)的覆盖层。因此，根据本发明的实施例，可以抑制或防止电极与介电层之间的界面发生缺陷。因此...
    2025-12-25
  • 用于形成包含多个部分的图案化涂层的材料和结合其的器件
    用于形成包含多个部分的图案化涂层的材料和结合其的器件_OTI公司_202480033504.5
    一种分层半导体器件，包括混合配体化合物，该混合配体化合物包含：环磷腈核心部分、第一配体部分和第二配体部分。该第一配体部分和该第二配体部分各自键合到该核心部分。一种包含多种化合物的组合物，该多种化合物中的每一种化合物包含环磷腈核心部分和至少一...
    2025-12-25
  • 金属板和包括该金属板的沉积掩模
    金属板和包括该金属板的沉积掩模_LG伊诺特有限公司_202480033735.6
    实施例包括一种金属板，金属板包含铁和镍，并且金属板包括基于金属板的平均厚度划分的第一区域和第二区域，其中，金属板的厚度为15 μm至50 μm，其中，第一区域和第二区域中的每一个设置有多个凹槽，其中，设置在第一区域中的每单位面积的凹槽的数量...
    2025-12-25
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000383.4
    一种显示基板，包括：衬底(10)、位于显示区域(A1)且位于衬底(10)一侧的多个子像素(PX)、位于有效区域(AA)并沿孔区(A2)绕线设置的多条第一类数据线(DL1)、位于扇出区域并与多条第一类数据线(DL1)电连接的多条第一类数据扇出...
    2025-12-25
  • 电荷传输性墨组合物
    电荷传输性墨组合物_日产化学株式会社_202480021070.7
    作为金属氧化物纳米粒子的对于有机溶剂的分散性提高、形成具有电荷传输性、同时平坦性优异的膜的电荷传输性墨组合物，提供包含以SnO2纳米粒子为核、其表面被金属氧化物被覆的金属氧化物被覆SnO2纳米粒子、和有机溶剂的电荷传输性墨组合物。
    2025-12-25
  • 用于在发光二极管封装中进行光混合的光收集器
    用于在发光二极管封装中进行光混合的光收集器_科锐LED公司_202480032859.2
    公开了发光二极管(LED)封装，并且更具体地涉及用于在LED封装中进行光混合以改善LED封装的远场发射图案(FFP)的光收集器。LED封装(100)可以包括具有不同波长范围的一个或多个LED芯片(108‑1、108‑2、108‑3)，并且放...
    2025-12-25
  • 用于微型LED显示面板的透明电极结构
    用于微型LED显示面板的透明电极结构_上海显耀显示科技有限公司_202380098264.2
    本公开实施例提供一种微型LED显示面板。所述微型LED显示面板包括多个LED结构，每个LED结构包括透明电极结构。透明电极结构包括：具有第一功函数值的透明界面层、以及具有第二功函数值的透明导电层。透明导电层形成于透明界面层上。所述第一功函数...
    2025-12-25
  • 在聚结选择性区域生长纳米柱上的光发射器
    在聚结选择性区域生长纳米柱上的光发射器_4233999加拿大股份有限公司_202480020755.X
    一种光发射结构，具有生长在源自纳米柱的聚结衬底上的量子阱。晶体结构缺陷非常低，产光效率良好。通过在较低温度下生长纳米柱，使量子阱结构更好地与聚结衬底匹配，并且提高效率。
    2025-12-25
  • 波长选择性多层制品和包括该制品的太阳能阵列
    波长选择性多层制品和包括该制品的太阳能阵列_3M创新有限公司_202480031550.1
    提供了波长选择性多层制品，该波长选择性多层制品包括聚合物多层光学膜和无机多层光学膜。聚合物多层光学膜在800nm至1200nm、1200nm至1600nm或800nm至1600nm的波长范围内的至少30纳米波长反射带宽内，反射垂直入射光。无...
    2025-12-25
  • 通过光子烧结制造电子部件中的金属接触的方法
    通过光子烧结制造电子部件中的金属接触的方法_弗劳恩霍夫应用研究促进协会_202480032336.8
    本发明涉及一种用于制造电子部件中的至少一个金属接触的方法，包括以下步骤：‑通过化学气相沉积在半导体衬底(1)的正面施加单层或多层金属涂层(4)，其中金属涂层包括由银、铝或铜或这些金属的合金制成的层，作为顶部金属层(3)，‑使用含有金属颗粒和...
    2025-12-25
  • 用于防止基于钙钛矿的太阳能电池模块的电池劣化的后处理方法及通过其处理的基于钙钛矿的太阳能电池模块
    用于防止基于钙钛矿的太阳能电池模块的电池劣化的后处理方法及通过其处理的基于钙钛矿的太阳能电池模块_韩华思路信株式会社_202480033022.X
    本发明涉及用于防止电池劣化的后处理方法以及通过所述方法后处理的基于钙钛矿的太阳能电池，通过所述方法可以防止或最小化由于在基于钙钛矿的太阳能电池模块的制造过程期间不可避免地发生的电池热劣化而引起的太阳能电池效率降低的问题。
    2025-12-25
  • 传感器元件和距离测量系统
    传感器元件和距离测量系统_索尼半导体解决方案公司_202480033008.X
    本公开涉及能够在保持像素尺寸的同时实现更高性能的传感器元件和距离测量系统。本公开的传感器元件包括：传感器基板，其针对每个像素设置有单光子雪崩二极管(SPAD)；互补金属氧化物半导体(CMOS)基板，其堆叠在所述传感器基板上，并设置有用于读取...
    2025-12-25
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480031861.8
    根据本公开的实施方案的光检测装置包括：第一像素和第二像素，它们分别具有对光进行光电转换的第一电转换元件；第一滤光器，其与所述第一像素对应地设置；第二滤光器，其与所述第二像素对应地设置；第一导光构件，其设置在所述第一滤光器与所述第二滤光器之间...
    2025-12-25
  • 使用器件级封装制造串联太阳能电池器件
    使用器件级封装制造串联太阳能电池器件_应用材料公司_202480027272.2
    一种方法包括获得一组串联太阳能电池器件，并在该组串联太阳能电池器件中的每个串联太阳能电池器件上，通过沉积处理形成离散的封装层，该封装层位于串联太阳能电池器件的上表面及侧表面上。
    2025-12-25
  • 半导体装置、匹配电路以及滤波电路
    半导体装置、匹配电路以及滤波电路_株式会社村田制作所_202480033092.5
    本发明提供一种半导体装置(1)，具备：基板(10)；绝缘层(21)，设置在基板(10)上；第一电极层(22)，设置在绝缘层(21)上；介电膜(23)，设置在第一电极层(22)上；第二电极层(24)，设置在介电膜(23)上；耐湿膜(25)，覆...
    2025-12-25
  • CMOS装置的金属硅化物上的金属处理
    CMOS装置的金属硅化物上的金属处理_应用材料公司_202480026973.4
    在半导体结构中形成电触点的方法包括对具有用于p型金属氧化物半导体(p‑MOS)装置的p型半导体区的半导体结构执行孔穴成形工艺，孔穴成形工艺包含在p型半导体区的暴露表面中形成第一孔穴，执行第一选择性沉积工艺以选择性在第一孔穴中形成第一孔穴触点...
    2025-12-25
  • 半导体气隙间隔物及其制造方法
    半导体气隙间隔物及其制造方法_应用材料公司_202480027247.4
    本揭示案之实施例有利地提供了半导体组件，尤其系鳍式场效晶体管(FinFET)，以及制造具有提高的有效电容(Ceff)的此类组件的方法。FinFET包括闸极结构，其中藉由使安置在闸极结构与间隔物层之间的高介电常数材料层凹入来提供气隙，藉此降低...
    2025-12-25
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