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最新专利技术
  • 真空系统及其操作方法
    真空系统及其操作方法_华为技术有限公司_202410773782.6
    本申请提供了一种真空系统和操作该真空系统的方法，该真空系统包括：外腔和多个内腔，所述多个内腔位于所述外腔的内部，所述多个内腔包括第一内腔和第二内腔，所述第一内腔和所述第二内腔通过第一孔洞连通，所述第二内腔设置有可开合的第二孔洞，所述第二内腔...
    2026-02-03
  • 键合设备和键合方法
    键合设备和键合方法_星科金朋私人有限公司_202410765500.8
    本申请提供了一种键合设备，其包括：夹具，其被配置成支撑基板的外围，其中所述基板具有安装于其上的半导体裸片；顶盖，其可操作地附接到所述夹具且被配置成覆盖所述基板和所述半导体裸片，其中所述顶盖包括：夹持元件，其可操作地附接到所述夹具且被配置成覆...
    2026-02-03
  • 一种基于超声冷压键合工艺的相邻键合点间距校对方法
    一种基于超声冷压键合工艺的相邻键合点间距校对方法_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202511681223.3
    本发明提供了一种基于超声冷压键合工艺的相邻键合点间距校对方法，包括以下步骤：S1、根据键合线的半径、线弧高度计算键合线轴线与基板的间距，根据键合线轴线与基板的间距计算得到第一最小间距；S2、采集设计键合线角度；如果设计键合线角度为0°则以步...
    2026-02-03
  • 晶圆在线检测系统
    晶圆在线检测系统_上海集迦电子科技有限公司_202511667069.4
    本申请涉及在线检测技术领域，具体为晶圆在线检测系统，包括边缘标定模块、探针切换模块、温度传感模块、光学检测模块、动态补偿模块。本发明中，通过细致分析晶圆边缘区域的坐标误差，建立偏移率数据，与探针切换过程中的周期偏差量对比，显著提高探针切换的...
    2026-02-03
  • 基于阵列传感器的裂纹检测仪
    基于阵列传感器的裂纹检测仪_杭州米拓林克科技有限公司_202511351707.1
    本发明属于晶圆检测设备技术领域，且公开了基于阵列传感器的裂纹检测仪，包括光学检测设备，所述光学检测设备的顶部固定连接有防护盖，所述防护盖右侧的前端开设有进料口，所述光学检测设备的右侧设置有晶圆盒，还包括：自动送料件，设置于光学检测设备的右侧...
    2026-02-03
  • 简易栅氧完整性测试装置及其测试方法
    简易栅氧完整性测试装置及其测试方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202511335699.1
    本发明提供一种简易栅氧完整性测试装置，包括测试试样和测试结构：测试试样包括衬底、衬底上的介电层(栅氧层)，用于代替栅极层或者位于栅极层上方的代栅极层，使测试试样形成包括衬底‑介电层‑代栅极层三层结构，结合热脱附技术测试介电层的栅氧完整性，测...
    2026-02-03
  • 获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法
    获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511293674.X
    本发明提供一种获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法。该方法中，多个衬底上均形成有薄膜和变质层；采用第一刻蚀液刻蚀去除第一衬底上的变质层；采用第二刻蚀液刻蚀以及T1刻蚀时间刻蚀去除第二衬底上的变质层和部分薄膜；采用第二刻蚀液刻蚀以及T2刻蚀时间...
    2026-02-03
  • 一种自动检测浮晶的方法、系统及计算机可读存储介质
    一种自动检测浮晶的方法、系统及计算机可读存储介质_江西兆驰半导体有限公司_202511266379.5
    本发明涉及一种自动检测浮晶的方法、系统及计算机可读存储介质，该方法包括：在固晶端获取一样本晶粒以进行影像教导，将当前晶粒的图像与所述样本晶粒的图像进行比较，基于比较结果判断所述当前晶粒是否固晶成功；当所述当前晶粒固晶成功时，对所述当前晶粒进...
    2026-02-03
  • 半导体器件特征尺寸的评估方法
    半导体器件特征尺寸的评估方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511164950.2
    本发明涉及自对准图形化工艺技术领域，具体而言，涉及半导体器件特征尺寸的评估方法。该方法包括：将晶圆置于分区卡盘，通过自对准图形化工艺对晶圆进行处理得到多个空槽；在氧化物刻蚀步中，分区卡盘的任意两个分区的温度差大于零，最高温度高于或等于基准温...
    2026-02-03
  • 补正关键层次关键尺寸均匀性的方法
    补正关键层次关键尺寸均匀性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159040.5
    本发明提供一种补正关键层次关键尺寸均匀性的方法，该方法包括：获取光刻掩模版的关键尺寸数据、晶圆显影后刻蚀前的第一关键尺寸数据及刻蚀后的第二关键尺寸数据；基于掩模版的关键尺寸数据计算用于补偿掩模版效应的第一补偿值；基于第一和第二关键尺寸数据计...
    2026-02-03
  • 快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法
    快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法_润马光能科技(金华)有限公司_202511148000.0
    本发明属于光伏电池的镀膜工艺控制的技术领域，具体涉及一种快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法。本发明所述的快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法，包括以下步骤：配制氢氟酸药液；在相同条件下，制备不同SiH4摩尔分数百分比的电池片氮化硅钝化膜系列样...
    2026-02-03
  • 一种BGA器件的检测方法及系统
    一种BGA器件的检测方法及系统_深圳市华汉伟业科技有限公司_202511090633.0
    一种BGA器件的检测方法及系统，用于对BGA器件的三维缺陷进行检测；获取待测BGA器件的灰度图像以及深度图像；根据所述灰度图像得到实际检测范围；根据所述实际检测范围对待测BGA器件进行三维缺陷检测，所述三维缺陷检测包括球高检测、共面性检测以...
    2026-02-03
  • 空洞检测方法和空洞检测装置
    空洞检测方法和空洞检测装置_中环领先(徐州)半导体材料有限公司_202511044833.2
    本发明公开了一种空洞检测方法和空洞检测装置，空洞检测方法包括：步骤S1、将待测晶圆的厚度方向上的第一侧面涂覆可流动的标记物，将待测晶圆置于容纳腔中，且待测晶圆与容纳腔的内壁密封配合，以使待测晶圆将容纳腔分隔为不连通的第一腔室和第二腔室，第一...
    2026-02-03
  • 优化太阳能电池片光电转换效率的方法
    优化太阳能电池片光电转换效率的方法_正泰新能科技股份有限公司_202510563025.0
    公开了优化太阳能电池片光电转换效率的方法，该方法的包括：固定第一电池片正面副栅线的印刷参数，调整印刷第一电池片背面副栅线的第一印刷参数，获取二道浆料湿重和光电转换效率的第一对应关系；固定第二电池片背面副栅线的印刷参数，调整印刷第二电池片正面...
    2026-02-03
  • 横向刻蚀深度的量测方法和工艺评估方法及其装置
    横向刻蚀深度的量测方法和工艺评估方法及其装置_北京超弦存储器研究院_202410772621.5
    本申请公开了一种横向刻蚀深度的量测方法和工艺评估方法及其装置，涉及半导体技术领域。量测方法包括：建立对准标记的几何模型，对准标记包括纵向刻蚀标记和横向刻蚀标记，纵向刻蚀标记沿垂直于衬底的方向延伸，横向刻蚀标记自纵向刻蚀标记沿远离纵向刻蚀标记...
    2026-02-03
  • 一种芯片封装键合设备
    一种芯片封装键合设备_贵州中芯微电子科技有限公司_202511034985.4
    本申请涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种芯片封装键合设备，包括有供料组件、键合头组件、键合平台；所述供料组件包括有芯片吸附头、XYZ三轴滑台；所述键合头组件包括6‑DoF压电平台、微孔阵列吸盘和机器视觉定位模块；所述键合平台为伸缩结构的可...
    2026-02-03
  • 一种改善化镀电位差的晶圆凸块制备工艺
    一种改善化镀电位差的晶圆凸块制备工艺_江苏晶度半导体科技有限公司_202511281854.6
    一种改善化镀电位差的晶圆凸块制备工艺，包括以下步骤：S1、清洁晶圆表面，沉积导电层；S2、在导电层表面涂敷光刻胶，通过光蚀刻的方式在光刻胶上开口得到待电镀区域；S3、将晶圆浸入电镀液，在待电镀区域电镀沉积得到凸块；S4、去除晶圆表面残留镀液...
    2026-02-03
  • 一种提高化镀层均匀度的晶圆凸块制备工艺
    一种提高化镀层均匀度的晶圆凸块制备工艺_江苏晶度半导体科技有限公司_202511281850.8
    一种提高化镀层均匀度的晶圆凸块制备工艺，包括以下步骤：S1、清洁晶圆表面，沉积导电层；S2、在导电层表面涂敷光刻胶，通过光蚀刻的方式在光刻胶上开口得到待电镀区域；S3、将晶圆浸入电镀液，在待电镀区域电镀沉积得到凸块；S4、去除晶圆表面残留镀...
    2026-02-03
  • 多晶粒芯片封装方法、封装芯片及穿戴式设备
    多晶粒芯片封装方法、封装芯片及穿戴式设备_恒玄科技(上海)股份有限公司_202511161831.1
    本申请提供一种多晶粒芯片封装方法、封装芯片及穿戴式设备，涉及芯片封装领域。多晶粒芯片封装方法包括：获取第一晶圆、多个第二晶粒和多个基板；将各所述第二晶粒分别与所述第一晶圆上的不同所述目标区域焊接，得到第一连接结构；其中，在所述第一连接结构中...
    2026-02-03
  • 电子装置以及制造电子装置的方法
    电子装置以及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510548343.X
    本发明公开了电子装置以及制造电子装置的方法。一种制造电子装置的方法可以包括：提供沿着第一载体的上侧的对准导电焊盘和内部互连件，以及将连接部件的对准互连件耦接到对准导电焊盘。该方法还包括：将连接部件和内部互连件包封在下包封体中，以及用上基板覆...
    2026-02-03
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