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  • 本发明公开了一种基于金属单质溶液的TMDs薄膜的制备方法。制备金属单质溶液,同时对生长基材进行预处理,接旋涂金属单质溶液沉积金属膜,再进行硫化/硒化,制备方法简单,材料产出稳定,能够生长出连续、均匀的TMDs薄膜。另外,本发明所制备的TMD...
  • 本发明涉及一种用于蓝宝石镀膜原子气室的制备方法和系统,其中,制备方法包括:S1.将清洗后的原子气室放置于反应室的加热基台上,向反应室充入置换气以排出其中的残留气体;S2.向反应室充入铝源气体,在原子气室的壁面发生化学吸附以形成第一膜层;S3...
  • 本发明公开了一种FeNi‑C‑CNTs‑碳纤维复合材料及其制备方法和应用,包括下述的步骤:(1)将碳纤维切割成短纤维并分散成纤维束,然后将纤维束进行固定并进行静电分散;(2)在分散的碳纤维表面喷涂粘合剂,使碳纤维表面形成粘合剂层,然后进行粘...
  • 本发明公开了一种基于组合膜层性能差异的光学特性区域可控方法以及光学元件,本方法包括以下步骤:提供一基底;在所述基底表面沉积一复合膜层结构;所述复合膜层结构至少包括一第一膜层和一第二膜层;所述第二膜层沉积于所述第一膜层之上;所述第一膜层单独存...
  • 本发明涉及柔性透明导电膜镀膜技术领域,提出了一种用于柔性透明导电膜的镀膜装置及方法,包括基座、加工座、侧架、滑筒、张紧轮组、调控部件、镀膜机体和镀膜溅射源,其中,加工座设置在所述基座上,用于在竖直方向上支撑卷材;侧架设置在所述加工座的一侧。...
  • 本发明涉及一种真空腔体。真空腔体包括腔体本体和腔盖,腔盖盖设于腔体本体上,真空腔体还包括至少一个第一破真空机构和/或至少一个第二破真空机构,第一破真空机构设置于腔盖上,第一破真空机构与腔盖上的第一进气口连通,第一破真空机构包括第一进气板和第...
  • 本发明提供了一种多光谱伪装红外波长选择薄膜及其制备方法,属于光谱热辐射管理技术领域,包括:根据薄膜材料在3‑25μm波段内的光学常数,筛选在8‑14μm波段具有定向发射的材料作为定向发射层材料;将定向发射层材料与无损介质材料和金属材料进行组...
  • 本发明提供一种磁控溅射用在线调整磁场强度的方法、装置、设备及介质,所述方法包括:在计算机中输入设定的磁场强度参数,而后将指令发送至磁控溅射装置中的硬件调控组件;根据所述硬件调控组件中接收的指令,驱动磁棒调整组件调整磁场强度;第一实时监测磁控...
  • 本发明公开了一种工件镀膜工装,涉及真空镀膜技术,包括固定支架、背板、旋转机构,固定支架设置于真空腔室内;背板上设有夹持机构,能够将工件固定夹持于所述背板一侧;旋转机构安装于所述固定支架上,其一端与所述背板远离工件一侧固定连接,另一端连接有驱...
  • 本发明公开了一种曲面光学元件镀膜定位装置,包括基座模块,包括通过几何定位部连接的支撑基座和角度调节部;覆盖模块,包括具有功能孔区的承载框架以及至少两个装配式弹性压紧组件;所述弹性压紧组件包括螺纹调距连接件以及弹性力源产生部;基座模块与覆盖模...
  • 本发明涉及真空镀膜设备领域,本发明公开了一种旋转阴极磁场均匀保障装置,包括:靶筒,靶筒包括内腔,内腔包括主冷水口;磁棒,磁棒沿轴向设置在内腔之内;冷水管,冷水管沿轴向设置在内腔内,冷水管包括进水口和出水口,出水口与主冷水口连通;第一喷管,第...
  • 本发明涉及表面处理技术领域,公开了一种高硬度锯齿溅射镀膜方法,包括:多元缓蚀剂复合转化膜处理、含硼氮化物双层溅射镀膜、溶胶‑凝胶致密封闭层处理、化学气相渗透强化处理和低温等离子聚合封孔处理。该方法通过在锯齿基体表面依次形成Cr‑Mo‑W‑稀...
  • 本发明涉及溅射镀膜工艺技术领域,具体涉及一种磁控溅射装置,包括安装壳,该安装壳具有用于布置磁控溅射靶材的背板,安装壳中设有绕中心轴回转的底座,底座上设有磁体,磁体的磁场在磁体随底座回转过程中作用于所述磁控溅射靶材,磁体沿着与所述背板平行方向...
  • 本发明涉及耐磨涂层技术领域,尤其涉及一种GCr15轴承钢表面类石墨增强涂层及其制备方法。本发明的增强涂层,包括结合层和耐磨润滑层,通过磁控溅射依次沉积Ti结合层、Ti靶和复合靶共同溅射的耐磨润滑层而得到,所述复合靶材是通过二硫化钼‑石墨烯核...
  • 本发明提供了一种采用连续性磁控溅射进行真空镀膜的方法及其应用,采用连续性磁控溅射进行真空镀膜的方法包括基材除尘、清洗活化、镀附着力增强层,沉积铜膜层,反面镀膜等步骤;本发明还公开了在汽车承载和连接功率电子元件上进行镀膜的应用;通过控制镀膜功...
  • 本发明公开了一种提高高温接触角的高疏液态铅铋合金氮化物涂层的制备方法,通过对基体预处理后,采用磁控溅射在基体表面沉积FeCrAl涂层,然后对FeCrAl涂层进行氮化,得到氮化物涂层;本发明还公开了一种提高高温接触角的高疏液态铅铋合金氮化物涂...
  • 本发明属于固态电解质材料表面改性技术领域,涉及一种石榴石电解质表面原位去碳酸锂形成界面层的方法,包括:1、基体预处理:选取表面有Li2CO3杂质层的石榴石型固态电解质基体清洗、干燥;2、磁控溅射沉积金属氧化物薄膜:将预处理后的基体材料通过金...
  • 本发明公开了一种供气系统及磁控溅射镀膜设备,供气系统包括:排气件,具有出气腔,所述出气腔的腔壁包括第一壁和第二壁,所述第一壁和所述第二壁相对设置,所述第一壁设置有多个出气孔,多个所述出气孔和所述出气腔连通;进气件,包括进气端,所述进气件设置...
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备。所提供的半导体工艺腔室,包括:腔体、辅助起辉组件和溅射组件,腔体内具有工艺腔,腔体的侧壁设有安装孔;辅助起辉组件包括管路、阀门和电子发生器,管路设于...
  • 本发明提供一种h‑BN掺杂LiPON固态电解质薄膜制备方法,该方法采用分段磁控溅射,以Li3PO4与h‑BN作为溅射靶材,通过调控沉积的工艺参数,提高固态电解质薄膜致密度,提升其离子电导率;同时解决薄膜电解质与基底在溅射过程中因热膨胀系数导...
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