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最新专利技术
  • 用于校正集成电路和关联设备的制造中的测量值的方法
    用于校正集成电路和关联设备的制造中的测量值的方法_ASML荷兰有限公司_202511244428.5
    公开了一种量测方法。方法包括：将辐射照射到衬底上；获得与衬底上的一个或多个结构中的每个结构的至少一个测量值相关的测量数据；使用傅里叶相关变换将测量数据变换为经变换的测量数据；以及从经变换的测量数据提取衬底的特征或者消除妨害性参数的影响。
    2026-01-29
  • 一种品质因数测算方法、晶圆的厚度测量方法和装置
    一种品质因数测算方法、晶圆的厚度测量方法和装置_华海清科股份有限公司_202511214116.X
    本发明提供一种品质因数测算方法、晶圆的厚度测量方法和装置，品质因数用于评价通过检测干涉光谱确定的晶圆的厚度值，品质因数测算方法包括：获取干涉光谱；根据干涉光谱确定晶圆的厚度值；根据干涉光谱对应的功率谱计算晶圆的厚度值对应的第一品质因数；根据...
    2026-01-29
  • 面向半导体封装的缺陷实时检测与智能诊断系统
    面向半导体封装的缺陷实时检测与智能诊断系统_深圳力迈电子有限公司_202511196385.8
    本发明属于半导体制造的技术领域，涉及了面向半导体封装的缺陷实时检测与智能诊断系统，包括：光学基础检测模块，执行光学基础检测生成光学检测结果包；热像联动检测模块，接收光学检测结果包，执行热像联动检测生成热力学特征包；振动信号采集模块，执行振动...
    2026-01-29
  • 一种用于MEMS探针卡测试的装置制造及使用方法
    一种用于MEMS探针卡测试的装置制造及使用方法_深圳市道格特科技有限公司_202511186306.5
    本发明涉及半导体测试领域，公开了一种用于MEMS探针卡测试的装置制造及使用方法，该一种用于MEMS探针卡测试的装置制造方法，包括以下步骤：光刻沉积：使用光刻技术在硅片上定义测试点的图案，并通过物理气相沉积或化学气相沉积方法沉积导电层，形成测...
    2026-01-29
  • 一种晶圆测试装置及方法
    一种晶圆测试装置及方法_北京寓茸科技有限公司_202511141957.2
    本发明公开了一种晶圆测试装置及方法，属于晶圆测试领域。一种晶圆测试装置，包括底座、吸附设备以及探针台，还包括：测试平台，设置在吸附设备上，测试平台上设置有吸附盘，吸附盘与吸附设备相连通，测试平台上设置有定位机构，用于将晶圆移动至吸附盘的中心...
    2026-01-29
  • 一种硅片边缘面的污染类型的检测方法
    一种硅片边缘面的污染类型的检测方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511105366.X
    本发明涉及半导体加工技术领域，提供一种硅片边缘面的污染类型的检测方法，包括：获取包括待测区域的硅片切片；通过座滴法测量待测区域与水性液体的接触角，得到待测区域接触角的实际测试值，记作θa；取标准清洁硅片重复上述步骤，得到标准清洁硅片的接触角...
    2026-01-29
  • 一种BGA器件的检测方法及系统
    一种BGA器件的检测方法及系统_深圳市华汉伟业科技有限公司_202511086389.0
    一种BGA器件的检测方法及系统，用于对BGA器件中锡球的表面缺陷进行检测；根据待测BGA器件的实时图像得到待测BGA器件的初始检测范围，进而得到待测BGA器件的实际检测范围；根据所述实际检测范围得到每个锡球的检测区域；获取每个锡球的检测区域...
    2026-01-29
  • 一种侧面进线的超细间距焊线劈刀结构及其使用方法
    一种侧面进线的超细间距焊线劈刀结构及其使用方法_宁波市鑫瑞鸿新材料科技有限公司_202511224293.6
    本发明公开了一种侧面进线的超细间距焊线劈刀结构及其使用方法，涉及半导体封装技术领域，包括工作台、升降台、升降计数机构、转换机构、放线管、劈刀机构和吸烟机构，升降台滑动设置于工作台与安装架之间，升降计数机构设置于安装架上，转换机构设置于升降台...
    2026-01-29
  • 一种单头植球机
    一种单头植球机_湖南健坤精密科技有限公司_202511612556.0
    本发明涉及植球机技术领域，具体涉及一种单头植球机，包括支座和植球机构。植球机构包括壳体、植球导管和超声波震动圈。壳体上开设有植球腔，锡球放置在植球腔内，植球导管安装于壳体上且与植球腔连通，超声波震动圈安装于壳体上，超声波震动圈位于植球导管上...
    2026-01-29
  • 一种CoWoS制程方法
    一种CoWoS制程方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511244220.3
    本发明公开了一种CoWoS制程方法，包括步骤一：准备玻璃晶圆；步骤二：在所述玻璃晶圆上方植铜针或电镀铜针；步骤三：通过塑封胶形成的塑封体将玻璃晶圆和铜针包裹；步骤四：对所述塑封体进行研磨，使所述铜针露出；步骤五：在所述铜针上方进行微凸块制作...
    2026-01-29
  • 一种半导体器件的制造方法、封装结构
    一种半导体器件的制造方法、封装结构_湖北星辰技术有限公司_202511233900.5
    本公开实施例提供一种半导体器件的制造方法、封装结构。所述方法包括：提供待键合的器件晶圆和多个待键合的第一芯片；待键合的第一芯片包括第一载片、第一器件层、第一衬底和第一键合层，第一器件层位于第一衬底的正面，第一键合层位于第一衬底的背面；器件晶...
    2026-01-29
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511212089.2
    一种半导体结构及其形成方法、电子设备，在半导体结构的形成方法中，凸块结构形成在凹槽结构上，且导电层电连接相邻凸块结构，从而各个凸块结构呈短路状态。在对凸块结构进行热回流处理的步骤中，以及将晶圆的多个芯片区相分离的步骤中，即使在半导体结构中产...
    2026-01-29
  • 一种用于芯片生产的集成封装设备
    一种用于芯片生产的集成封装设备_长春曦彩科技有限公司_202511200436.X
    本发明公开了一种用于芯片生产的集成封装设备，涉及芯片封装技术领域。该用于芯片生产的集成封装设备，包括：封装仓和输送设备，所述封装仓的内部装配有可进行移动的点胶头和封装模具，所述封装仓的内部装配有由线性电机驱动的移动杆，所述移动杆的侧面装配有...
    2026-01-29
  • 芯片封装打线方法及芯片
    芯片封装打线方法及芯片_深圳市紫光同创电子股份有限公司_202511028227.1
    本申请公开了一种芯片封装打线方法及芯片。所述芯片封装打线方法包括：在裸片上自外向内设置多圈裸片焊盘，以及在四方扁平无引脚封装结构的引线框架上自外向内设置多圈引脚；配置高速差分信号的正信号的引线键合线和高速差分信号的负信号的引线键合线的夹角处...
    2026-01-29
  • 一种纳米铜膏辅助混合键合的方法
    一种纳米铜膏辅助混合键合的方法_广东工业大学_202510901410.1
    本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种纳米铜膏辅助混合键合的方法，基板布线完成后，经机械化学抛光和预处理，所述基板的待键合面具有铜凸块和介电层，所述铜凸块的顶面低于所述介电层的顶面；基板的待键合面设置掩膜版，使所述待键合面的铜凸块裸露；向...
    2026-01-29
  • 光电合封器件的封装方法
    光电合封器件的封装方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511303001.8
    一种光电合封器件的封装方法，包括：提供电子集成电路晶圆，电子集成电路晶圆键合有支撑晶圆；对电子集成电路晶圆进行处理形成未贯穿的第一切割沟槽；将电子集成电路晶圆贴附胶带膜；剥离支撑晶圆；对电子集成电路晶圆进行切割形成第二切割沟槽，以将其分割为...
    2026-01-29
  • 芯片封装方法和电路板
    芯片封装方法和电路板_天芯互联科技有限公司_202510973747.3
    本申请提供了一种芯片封装方法和电路板，其中，芯片封装方法包括：获取带有承载层的第一线路层，并将第一芯片嵌设于所述第一线路层内；从所述承载层靠近所述第一芯片一侧进行塑封，形成第一封装层，并去除所述承载层，以暴露所述第一芯片的一侧端面；将第二芯...
    2026-01-29
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410708044.3
    本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括氮化物薄膜；进行化学预处理以形成隔离阻挡层于氮化物薄膜上方；形成光刻胶层于隔离阻挡层上方并图形化光刻胶层；基于图形化后的光刻胶层对氮化物薄膜进行刻蚀以...
    2026-01-29
  • 一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法
    一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511186211.3
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法，包括如下步骤：S1：进行第一层的金属布线，在玻璃基板上通过溅射或蒸发沉积金属层，采用光刻和刻蚀工艺形成互连线路，得到RDL1；S2：铺设PI层和PVDF层；S...
    2026-01-29
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202510738072.4
    在本公开中，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，能够抑制在控制器芯片周围产生空隙。半导体装置的制造方法具有：准备层叠体的工序，所述层叠体中，跨及粘合膜与绝缘粘合膜双方而埋入有控制器芯片；以及使所述层叠体中的所述绝缘粘合膜侧与基板相向，...
    2026-01-29
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