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  • 本发明公开了一种基于宽贝塞尔曲线的太阳能电池电极栅线结构及布局方法,该电极栅线结构由多条形状尺寸可控的宽贝塞尔曲线构成,所述的宽贝塞尔曲线的形状尺寸由贝塞尔曲线的控制点坐标和贝塞尔曲线控制点处的宽度值共同控制,通过优化所述的贝塞尔曲线控制点...
  • 本发明公开了一种基于宽贝塞尔曲线的太阳能电池电极栅线结构及布局方法,该电极栅线结构由多条形状尺寸可控的宽贝塞尔曲线构成,所述的宽贝塞尔曲线的形状尺寸由贝塞尔曲线的控制点坐标和贝塞尔曲线控制点处的宽度值共同控制,通过优化所述的贝塞尔曲线控制点...
  • 本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及一种太阳电池及光伏组件。太阳电池包括硅基底、设于硅基底的背光面且彼此之间呈叉指排布的P型掺杂区和N型掺杂区;在P型掺杂区之间和N型掺杂区之间分别设有分隔区和导通区,分隔区具有第一宽度,导通区具有第二宽度;其中...
  • 一种太阳能模组,包括多个太阳能电池片和承载板,承载板包括前盖板和后盖板。各太阳能电池片以串联焊接方式定义出多个太阳能电池串组,多个太阳能电池片在第一方向以预设间隔距离串接形成各太阳能电池串组,各太阳能电池片在第一方向的宽幅为第一长度,在第二...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件,制造方法包括:提供初始电池片;对初始电池片进行开槽处理,以在初始电池片上形成具有凹槽的第一区和不具有凹槽的第二区;形成钝化层,位于初始电池片中具有凹槽的表面;其中,钝化层包括...
  • 本发明公开了一种基于反应离子刻蚀增强突触效应的氧化镓光电探测器制备方法,包括如下具体步骤:步骤一:在衬底上生长氧化镓层;步骤二:在氧化镓层上光刻进行图案化处理;步骤三:对氧化镓层进行刻蚀处理;步骤四:在刻蚀后的氧化镓层上光刻形成氧化镓基底,...
  • 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及太阳能电池的技术领域,包括(a)在硅基底的背面依次叠层制备隧穿氧化层、本征非晶硅层、BSG层和PSG层;(b)对硅基底背面的正极区进行激光掺杂,形成掺硼多晶硅层;(c)在负极区形成...
  • 本申请实施例涉及光伏技术领域,并提供一种太阳能电池及其制备方法、太阳能电池生产线。该太阳能电池的制备方法包括:在N型硅基底的第一面上形成包括第一隧穿层、硼掺杂多晶硅层和第一掩膜层的第一叠层;去除第一叠层及N型硅基底在第二区和至少部分间隔区的...
  • 本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法以及应用。太阳能电池制备方法包括以下步骤:在基底的一侧表面上制备第一掺杂区、隔离区以及第二掺杂区,第一掺杂区以及第二掺杂区被隔离区电隔离;在第一掺杂区、隔离区以及第二掺杂区上制备第一钝化层,在基底的另一...
  • 本发明公开一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池。该制备方法包括:提供晶硅基体,晶硅基体第一主表面包括交替排列的第一功能区和第二功能区,相邻的第一功能区和第二功能区之间设置有隔离区;在晶硅基体第一主表面顺序层叠形成隧穿钝化层、本征...
  • 本发明提供了一种基于溶胶凝胶法制备用于CZTSSe太阳能电池的SnO2电子传输层的方法,对CZTSSe/CdS薄膜进行旋涂、退火、冷却等操作,制得SnO2电子传输层。该制备方法包括:CZTSSe/CdS薄膜进行紫外‑臭氧处理;对处理后的薄膜...
  • 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。制备方法包括以下步骤:在硅基体的背面沿着远离硅基体的方向依次排布有隧穿氧化层、p+掺杂非晶碳化硅层和p+掺杂非晶硅层;在p+掺杂非晶硅层上形成间隔分布且贯穿p+掺杂非晶硅层的凹槽,然后在凹槽和...
  • 本发明涉及一种背接触电池栅线修复方法及装置,属于太阳能电池制造技术领域,采用激光光源对背接触电池的含有硫化银的银栅线加工,以去除所述太阳电池中银栅线上的被硫化物氧化而生成的硫化银;恢复栅线导电性能,通过激光设备进行修复无需新增设备,可直接集...
  • 本申请涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳的电池,涉及光伏电池技术领域,本申请的太阳能电池的制备方法可以包括提供双面具有功能层的电池结构;在电池结构上进行栅线制备、电池切割,以及切割区域刻蚀及切割面钝化,使得电池结构形成多个切割面具有钝化层的...
  • 本发明公开了一种提升硼扩散制备硼镓共掺杂改性硅片的方法及其应用,属于晶硅太阳电池制造的技术领域,该方法将磷掺杂硅片放入管式炉中,通入BCl3与GaCl3,再通入氧气,进行置换反应,置换出硼、镓单质原子并扩散沉积在硅片上,得到硼镓共掺杂改性硅...
  • 本发明涉及一种隧穿氧化层的制备方法、太阳能电池及其制备方法,隧穿氧化层的制备方法包括如下步骤:在硅片表面沉积第一非晶硅层,经氧化处理形成氧化非晶硅层;对氧化非晶硅层进行退火处理,制得隧穿氧化层。本发明所述的制备方法不仅能够调节隧穿氧化层的微...
  • 本发明公开了一种改善TOPCon电池UVID衰减的方法,将待加工的电池硅片放于ALD炉体炉中,炉体内部升温至270℃,关闭炉门,并密封;炉体设置预留口密封连接抽真空装置,将炉体内部腔体压力抽至真空状态;在炉体底部设置恒温加热装置,智能控制恒...
  • 本发明涉及光伏组件制造技术领域,尤其为一种柔性叠瓦便携组件的制备方法,包括以下步骤:使用激光划片将单晶或多晶硅电池片切割成若干小片,切割深度为电池片厚度的40%‑60%;在电池片主栅线位置,使用导电胶将≥2个小片串联叠合;采用电磁加热焊接工...
  • 本发明公开了一种基于新型前驱体溶液添加剂制备高效铜铟硒薄膜太阳能电池的方法,该方法在制备铜铟硒薄膜太阳能电池吸收层的前驱体溶液中加入浓盐酸溶液作为添加剂,其可以有效解决溶液法制备CIGS吸收层结晶度差、杂质残余量高影响CIGS薄膜太阳电池光...
  • 本申请涉及一种异质结太阳能电池的制备方法、异质结太阳能电池及设备,涉及光伏电池技术领域。本申请的异质结太阳能电池的制备方法可以包括提供一衬底,对衬底进行清洗制绒;通过干法刻蚀去除衬底表面的自然氧化层;采用真空薄膜沉积技术在衬底的表面形成目标...
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