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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480024729.4
    根据实施方式，半导体装置包括：第一基板，设置有第一电极、第二电极以及第三电极；第二基板，设置有第四电极、第五电极以及第六电极，与第一基板在第一方向上排列配置；第一晶体管，漏极与第一电极连接，栅极与第二电极连接，源极与第三电极连接；第二晶体管...
    2025-11-21
  • 包括集成电容器器件的堆叠式集成电路器件
    包括集成电容器器件的堆叠式集成电路器件_高通股份有限公司_202480025662.6
    堆叠式集成电路(IC)器件包括第一管芯，该第一管芯包括有源电路系统和功率分配网络(PDN)。第一管芯在第一管芯的第一侧上具有第一触点集合。堆叠式IC器件还包括第二管芯，其在第二管芯的第一侧上耦合到第一管芯的第一侧。第二管芯还包括在第二管芯的...
    2025-11-21
  • 具有半导体元件和衬底的半导体组件
    具有半导体元件和衬底的半导体组件_西门子股份公司_202480018924.6
    本发明涉及一种具有电子部件(4)和衬底(6)的组件(2)。为了减小这种组件(2)的结构空间并且实现改进的散热，提出的是，衬底(6)具有金属化部(10)，所述金属化部至少具有第一导体结构(16)和第二导体结构(18)，其中，所述第一导体结构(...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480017965.3
    实施方式的半导体装置具备：绝缘基板；框体；绝缘基板之上的第一半导体芯片，包含第一上部电极、第一下部电极以及第一半导体层；第一电极端子，包含第一平板部分，与第一上部电极或者第一下部电极中的一方电连接；第二电极端子，包含与第一平板部分对置的第二...
    2025-11-21
  • 摄像模组以及电子设备
    摄像模组以及电子设备_华为技术有限公司_202480018265.6
    本申请提供一种摄像模组以及电子设备。摄像模组包括电路组件、马达、镜头、图像传感器、粘接胶以及滤光片。马达固定于电路组件。镜头安装于马达。图像传感器固定且电连接于电路组件。图像传感器的第一面朝向镜头设置。第一面包括成像区和环绕成像区的边缘区。...
    2025-11-21
  • 布线板的制造方法
    布线板的制造方法_味之素株式会社_202480021146.6
    提供能够实现微细布线化的布线板的制造方法，其在形成通孔或沟槽时无需进行掩模的形成、去除，绝缘材料层的绝缘性能和电特性优异。布线板的制造方法，其包括：(1)准备具备导体电路和在该导体电路上由热固性材料的固化物形成的绝缘材料层的基板，对绝缘材料...
    2025-11-21
  • 布线基板、电子装置及电子模块
    布线基板、电子装置及电子模块_京瓷株式会社_202480021077.9
    既实现布线基板的小型化，又减少高频信号在信号布线与信号贯通导体的连接部的反射损耗。差动布线具有排列配置于层叠方向上相邻的绝缘层之间或绝缘基板的第一面的一对信号布线。差动贯通导体具有排列贯通至少一个绝缘层的一对信号贯通导体。信号贯通导体的一部...
    2025-11-21
  • 键合处理的虚设晶粒材料选择与定位
    键合处理的虚设晶粒材料选择与定位_应用材料公司_202480026142.7
    在一些实施方式中，提供了一种方法，所述方法基于获得更均匀的热膨胀系数或热导率控制来选择用于键合晶片的虚设晶粒的热机械三维特性以改变热提取。在一些实施方式中，提供了一种方法，所述方法还基于将晶粒键合到键合晶片之后发生的后续处理来选择虚设晶粒的...
    2025-11-21
  • 在高深宽比(HAR)特征部中沉积的方法
    在高深宽比(HAR)特征部中沉积的方法_东京毅力科创株式会社_202480021909.7
    一种用于处理衬底的方法，该方法包括：图案化在电介质层上的碳基硬掩模层以在碳基硬掩模层中形成第一凹部，该第一凹部具有锥形轮廓，使得该第一凹部在第一高度处的宽度大于该第一凹部在低于第一高度的第二高度处的宽度；在该经图案化的碳基硬掩模层上沉积含金...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202480024067.0
    逆导型IGBT(1、2)的半导体衬底(10)具备设置于IGBT区域(102)和边界区域(104)并且与集电极(22)相接的p型的集电区层(11)。集电区层(11)具有设置于IGBT区域(102)的第一集电区层(11a)和设置于边界区域(10...
    2025-11-21
  • 等离子体处理装置和吸附控制方法
    等离子体处理装置和吸附控制方法_东京毅力科创株式会社_202480026092.2
    本发明的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基座、静电吸盘、第一电极、第二电极、电源和控制部。基座配置在等离子体处理腔室内。静电吸盘配置于基座的上部，具有基片支承面和环支承面。第一电极配置于静电吸盘内的基片支承面的下方，利用静电力吸附基片...
    2025-11-21
  • 基板支承台以及基板处理装置
    基板支承台以及基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021083.4
    本发明提供一种提高基板的冷却性的基板支承台以及基板处理装置。本发明的基板支承台具备：基座，其具有下表面、与所述下表面相反侧的圆形状的第一上表面、作为与所述下表面相反侧的面的、形成在比所述第一上表面靠所述下表面侧且包围所述第一上表面的周围的圆...
    2025-11-21
  • 基板收纳容器及基板收纳容器的制造方法
    基板收纳容器及基板收纳容器的制造方法_信越聚合物株式会社_202380095894.4
    一种基板收纳容器，具备能够收纳基板的容器主体，容器主体具备：壁部，划定用于收纳基板的收容空间；薄片部，与壁部一体形成且比壁部薄；以及一条或多条分型线，设置于壁部的外表面上，并且沿着在容器主体的注射成型中使用的模具主体与镶件之间的边界形成，一...
    2025-11-21
  • 用于半导体制造过程的数字模拟
    用于半导体制造过程的数字模拟_应用材料公司_202480020447.7
    本公开内容描述了用于在通过数字孪生体模型对制造过程进行并行实时模拟的情况下操作制造过程的方法和系统。表明正在进行的制造过程的参数的传感器数据被输入数字孪生体模型，并用于预测所述制造过程的输出。将所述经预测的输出与目标输出进行比较。一个或多个...
    2025-11-21
  • 用于单一处理室中EUV图案化的干法显影与蚀刻工艺的集成
    用于单一处理室中EUV图案化的干法显影与蚀刻工艺的集成_朗姆研究公司_202480019801.4
    工艺条件管理有利于将干法显影与蚀刻组合于单一处理室中；不需在半导体制造期间进行干法显影后烘烤步骤。用于快速地使处理室压强大幅下降的方法及装置允许在不进行晶圆转移下进行热干法显影及O2闪蒸处理或热干法显影与等离子体硬掩模开孔操作。
    2025-11-21
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202480025867.4
    实施方式的半导体装置具备：第一金属层；半导体芯片，其包含上部电极、下部电极、设置在上部电极与下部电极之间的半导体层、及设置在上部电极之上且包含第一树脂的第一树脂层；第二金属层，设置在第一金属层与下部电极之间，且包含银(Ag)或铜(Cu)；第...
    2025-11-21
  • 配方推荐装置、配方推荐方法以及配方推荐系统
    配方推荐装置、配方推荐方法以及配方推荐系统_株式会社日立高新技术_202480007254.8
    本发明的目的在于提供一种将基于AI模型的预测的不确定性活用于配方的搜索的技术。本发明的配方推荐装置之一具有处理器以及存储能够由所述处理器执行的程序的存储器，在用于得到蚀刻形状的配方的搜索过程中，对过去的实验的结果数据进行分析，决定表示分析结...
    2025-11-21
  • 信息处理装置、基板处理装置以及处理条件决定方法
    信息处理装置、基板处理装置以及处理条件决定方法_株式会社斯库林集团_202380096257.9
    信息处理装置用于管理基板处理装置，具有：预测算法获取部，获取预测算法，所述预测算法根据包括第一参数以及第二参数的处理条件预测基板处理装置按照处理条件所执行的处理的处理结果；处理条件生成部，生成暂时的处理条件；预测处理结果获取部，获取通过预测...
    2025-11-21
  • 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质_东京毅力科创株式会社_202580001843.X
    基板处理装置具备处理槽、盖体、药液供给部、加压部以及控制部。处理槽在上部具有开口部，用于将基板浸在药液中来对基板进行处理。盖体构成为能够将处理槽的开口部密闭。药液供给部向处理槽供给药液。加压部在比药液供给部靠上游侧的位置处将药液进行加压。控...
    2025-11-21
  • 处理液、被处理物的处理方法
    处理液、被处理物的处理方法_富士胶片株式会社_202480025926.8
    本发明的课题为提供一种处理液，及使用了上述处理液的被处理物的处理方法，该处理液为用于半导体器件的处理液且抑制包含钴的金属膜的表面粗糙度的性能优异。本发明的处理液为用于半导体器件的处理液，该处理液包含：水；第1成分，其为包含氮原子作为成环原子...
    2025-11-21
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