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最新专利技术
  • 一种阳极键合方法
    一种阳极键合方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511128470.0
    本申请提供了一种阳极键合方法，属于阳极键合技术领域。所述方法为：提供第一衬底和第二衬底，第一衬底为具有多层结构的硅基衬底，包括介质层和形成在介质层上的硅层；将第一衬底和第二衬底在竖直方向上对准，使第一衬底的硅层朝向第二衬底的待沉积表面，两者...
    2025-12-03
  • 一种功率模块的焊接方法及功率模块
    一种功率模块的焊接方法及功率模块_南方科技大学_202510861619.X
    本发明公开一种功率模块的焊接方法及功率模块，焊接方法包括步骤：提供基体和待焊物，基体的表面包括第一金属层，待焊物的表面包括第二金属层；在第一金属层上设置焊接层；对焊接层的表面和第二金属层的表面进行表面活化处理后相对设置，通过热压键合形成功率...
    2025-12-03
  • 面发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器
    面发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器_德氪微电子(深圳)有限公司_202511060607.3
    本发明提供面发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器，包括制作第一Pad和第二Pad后塑封，获取塑封体A；在塑封体A的上表面制作第一耦合电路，对第一耦合电路进行塑封，获取塑封体B；在塑封体B的上表面，制作与第一耦合电路在垂直方向上相对应的第二耦...
    2025-12-03
  • 侧发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器
    侧发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器_德氪微电子(深圳)有限公司_202511060606.9
    本发明提供侧发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器，方法包括：S1：通过RDL制作第一Pad和第二Pad；S2：对第一Pad和第二Pad进行塑封，获取塑封体A；S3：在塑封体A的上表面通过RDL制作在水平方向上相对应的第一耦合电路和第二耦合电...
    2025-12-03
  • 一种基于显示驱动芯片的铜镍金凸块生产工艺
    一种基于显示驱动芯片的铜镍金凸块生产工艺_江苏纳沛斯半导体有限公司_202510933911.8
    本发明公开了一种基于显示驱动芯片的铜镍金凸块生产工艺，其包括如下步骤：S1、晶圆前置清洗处理；S2、钝化层开口，暴露焊盘，在晶圆上蚀刻形成沉孔；S3、在沉孔内填充金属；S4、在晶圆进行黄光工艺，在晶圆上形成正面重布线层；S5、对晶圆进行减薄...
    2025-12-03
  • 用于在晶片级将金属主体附接到薄半导体管芯的方法
    用于在晶片级将金属主体附接到薄半导体管芯的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510587405.8
    一种方法包括提供厚度为250微米或更小的半导体晶片。半导体晶片包括多个管芯位点，每个管芯位点包括垂直功率半导体器件。该方法还包括将金属晶片附接到半导体晶片。金属晶片具有与半导体晶片类似的形状。在将金属晶片附接到半导体晶片之前或之后，将半导体...
    2025-12-03
  • TO-247分立器件功率模块及其封装方法
    TO-247分立器件功率模块及其封装方法_广东美创希科技有限公司_202410563900.0
    本申请涉及半导体封装技术领域，提供TO‑247分立器件功率模块及其封装方法，TO‑247分立器件功率模块的封装方法，包括：在基板表面涂覆焊膏，并将至少一个晶体管放置在基板的预设位置；按照预设温度曲线对焊膏进行温度控制，焊膏熔融，以形成晶体管...
    2025-12-03
  • 半导体晶圆及其制备方法
    半导体晶圆及其制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511472328.8
    本发明提供一种半导体晶圆及其制备方法，制备方法包括：提供晶圆，测量晶圆的翘曲数据，依据翘曲数据，在晶圆背面沉积弓形应力膜，其中，弓形应力膜满足以下规则：若晶圆正面x方向的翘曲，则由分布在背面y方向弓形应力膜校正；若晶圆正面y方向的翘曲，则由...
    2025-12-03
  • 一种混合键合封装结构及其制作方法
    一种混合键合封装结构及其制作方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410587605.9
    本发明提供一种混合键合封装结构及其制作方法，该混合键合封装结构的制作方法包括以下步骤：提供一包括多个间隔设置电极区的衬底晶圆，电极区中包括多个上表面与电极区的上表面齐平的第一电极；提供一牺牲晶圆，并于牺牲晶圆的上表面固定多个与电极区一一对应...
    2025-12-03
  • 具有载体支撑结构的半导体封装
    具有载体支撑结构的半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202510481315.0
    本公开内容涉及具有载体支撑结构的半导体封装。一种形成半导体封装的方法包括：提供引线框架，所述引线框架包括与外围结构连接的多条引线；提供多个管芯焊盘，每个管芯焊盘上安装有功率开关器件；提供第一电路载体，所述第一电路载体上安装有控制器器件，所述...
    2025-12-03
  • 封装基板制作方法及封装基板
    封装基板制作方法及封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511466955.0
    本申请提供一种封装基板制作方法及封装基板，属于封装基板技术领域，所述封装基板制作方法包括：提供一封装基板，在所述封装基板上压合绝缘层；对所述封装基板进行固化烘烤，使所述绝缘层固化；对所述封装基板进行退火烘烤，所述退火烘烤的温度低于所述绝缘层...
    2025-12-03
  • 封装基板的镭射加工方法、装置、电子设备及存储介质
    封装基板的镭射加工方法、装置、电子设备及存储介质_浙江创豪半导体有限公司_202511462624.X
    本公开提供一种封装基板的镭射加工方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：获取待处理的封装基板，并确定所述待处理的封装基板的所在层数；响应于确定所述所在层数为奇数层，直接对处于初始位置的所述待处理的封装基板进行镭射加工；响应于确定所述所...
    2025-12-03
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_极芯拓方技术(上海)有限公司_202511453105.7
    本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件的制造方法。该制造方法包括：从晶圆的第一面修整晶圆的边缘区形成台阶，台阶包括台阶面和台阶侧面，台阶面的宽度小于等于边缘区的宽度；在晶圆的第一面和台阶侧面形成粘合层，以将晶圆固定在载片上；其中，台...
    2025-12-03
  • 无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板
    无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511449988.4
    本申请实施例提供一种无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板，包括：提供支撑板，支撑板包括基材、附着于基材两侧的第一铜箔、附着于第一铜箔的第二铜箔；在第二铜箔上压合第一半固化片和第三铜箔；在第三铜箔上进行图形制作，以形成电路图形；在第三铜箔上压...
    2025-12-03
  • 桥连封装方法和封装结构
    桥连封装方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511438888.1
    本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该桥连封装方法包括提供具有金属层的可分离基底；金属层设有凹槽。在金属层上形成第一金属柱；在凹槽贴装第一芯片。第一芯片包括芯片主体和边缘层，芯片主体设有第一导电柱和第二金属柱。边缘层超出芯片主体的边缘；...
    2025-12-03
  • 共晶设备及共晶工艺
    共晶设备及共晶工艺_江苏联赢半导体技术有限公司_202511224970.4
    本发明提供了一种共晶设备及共晶工艺，共晶设备包括横梁、第一贴片机构、第二贴片机构、第一备料机构、第二备料机构和加热台，其中：第一贴片机构与第二贴片机构均可移动地设置于横梁，第一贴片机构包括支撑板和第一滑台，第一滑台沿第一方向可移动地设置于横...
    2025-12-03
  • 半导体器件制备方法
    半导体器件制备方法_甬江实验室_202511100104.4
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件制备方法，用于在玻璃基板上形成通孔。玻璃基板的一侧叠置有硬掩膜层，硬掩膜由高稳定性材料制成，使得硬掩膜层的结构稳定，这样硬掩膜层在干法刻蚀工艺过程中的蚀刻速率较低，硬掩膜层相对于玻璃基板的选择比...
    2025-12-03
  • 一种封装基板线路制备方法
    一种封装基板线路制备方法_广东工业大学_202511086837.7
    一种封装基板线路制备方法，包括以下步骤：S1、将铜粉与聚酰亚胺溶液混合形成复合材料；S2、将所述复合材料图案化沉积于封装基板的表面，形成线路图案复合材料层；S3、对沉积后的线路图案复合材料层进行干燥，在封装基板的表面形成干燥的复合材料层；S...
    2025-12-03
  • 基于缺陷地结构BGA型SiP封装结构及其高阻线设计方法
    基于缺陷地结构BGA型SiP封装结构及其高阻线设计方法_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202511027920.7
    本发明涉及微波毫米波电路领域，提供一种基于缺陷地结构BGA型SiP封装结构的高阻线设计方法，该设计方法包括：在BGA型SiP封装结构中，去除BOTTOM层的部分大面积金属地，使得RF层射频带线的下层参考地为PCB复合基板的TOP层。本发明通...
    2025-12-03
  • 图形化刻蚀方法
    图形化刻蚀方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066241.0
    本发明公开了一种图形化刻蚀方法，包括步骤：形成第一工艺层。形成第一SOC层。生长第一厚度的LTO层。形成第二SOC层。涂布光刻胶并进行曝光将第一区域打开。进行第一次等离子体刻蚀工艺将第一区域的第二SOC层去除并停止在LTO层上。进行第二次等...
    2025-12-03
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