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最新专利技术
  • 图形化刻蚀方法
    图形化刻蚀方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066241.0
    本发明公开了一种图形化刻蚀方法，包括步骤：形成第一工艺层。形成第一SOC层。生长第一厚度的LTO层。形成第二SOC层。涂布光刻胶并进行曝光将第一区域打开。进行第一次等离子体刻蚀工艺将第一区域的第二SOC层去除并停止在LTO层上。进行第二次等...
    2025-12-03
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511074441.0
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括功能区和划片区，在衬底上形成图形化的硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜，刻蚀衬底，在衬底中的功能区形成若干间隔的沟槽，刻蚀气体包括：SF6、O2和He；同时，在衬底中的划片区形成测试凹槽，...
    2025-12-03
  • 一种刻蚀掩膜层的方法
    一种刻蚀掩膜层的方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410567019.8
    本发明公开了一种刻蚀掩膜层的方法，包含：提供一基片，其包含设置在刻蚀主体层上的掩膜层，其表面具有开口图形；第一刻蚀阶段：通入刻蚀气体，纵向刻蚀掩膜层至设定深度，形成开口；过渡沉积步骤：通入含硅前驱体，以在开口侧壁粘附；然后，通入含氧气体，在...
    2025-12-03
  • 沟槽的刻蚀方法
    沟槽的刻蚀方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510969209.7
    本申请提供一种沟槽的刻蚀方法，通过脉冲等离子体刻蚀工艺刻蚀部分厚度的衬底，以在衬底中形成深沟槽，其中，参与刻蚀的气体至少包括：O2和SF6，O2和SF6的比例在刻蚀过程中随着刻蚀时间线性递增，并且偏置电压的占空比随着刻蚀周期递减。本申请在刻...
    2025-12-03
  • 一种凸起区窗口的制备方法
    一种凸起区窗口的制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511135885.0
    本发明提供了一种凸起区窗口的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括：制备一基体结构，基体结构包括基础层和至少一个位于基础层顶面处的凸起结构；在基体结构上依次沉积介质膜层和保护膜层；在第一刻蚀条件下刻蚀保护膜层，以使得保护膜层减薄至低于凸起...
    2025-12-03
  • 一种Bi3O2.5Se2半导体材料及其制备方法和应用
    一种Bi3O2.5Se2半导体材料及其制备方法和应用_中国科学院上海技术物理研究所_202511094247.9
    本发明涉及Bi3O2.5Se2半导体材料技术领域，尤其涉及一种Bi3O2.5Se2半导体材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种Bi3O2.5Se2半导体材料的制备方法，包括以下步骤：将氟晶云母衬底置于硒化铋的上方，且所述氟晶云母衬底的裂解...
    2025-12-03
  • 应用于半导体器件制备过程中的工艺方法
    应用于半导体器件制备过程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511055372.9
    本申请公开了一种应用于半导体器件制备过程中的工艺方法，包括：在衬底的正面沉积保护薄膜层，该保护薄膜层覆盖形成于衬底上的半导体器件，衬底的背面形成有背面氮化物层；通过ALD工艺在保护薄膜层上形成第一应力薄膜层；通过PE CVD工艺在第一应力薄...
    2025-12-03
  • 一种碳化硅衬底的外延生长工艺
    一种碳化硅衬底的外延生长工艺_江苏卓远半导体有限公司_202410582620.4
    本发明公开一种碳化硅衬底的外延生长工艺，包括如下步骤：对放置于反应腔室内的碳化硅衬底进行刻蚀；对反应腔内通入刻蚀气体氢气，刻蚀温度为1750‑1800℃；在完成刻蚀的碳化硅衬底上生长缓冲层；缓冲层的生长中，对反应腔内通入碳源气体、硅源气体以...
    2025-12-03
  • 废旧铝背场电池片的分离回收方法
    废旧铝背场电池片的分离回收方法_天合光能股份有限公司_202410560576.7
    本申请涉及一种废旧铝背场电池片的分离回收方法，包括如下步骤：将废旧铝背场电池片依次浸泡于盐酸溶液和硝酸溶液中，分离回收所述废旧铝背场电池片上的金属；将所述分离回收金属后的废旧铝背场电池片浸泡于氢氟酸溶液中，得到初步去除氮化硅的电池片；将所述...
    2025-12-03
  • 一种共聚焦成像辅助的二次离子提取系统的安装方法
    一种共聚焦成像辅助的二次离子提取系统的安装方法_中国地质科学院地质研究所_202511467495.3
    本申请提供一种共聚焦成像辅助的二次离子提取系统的安装方法，属于二次离子质谱领域。本申请提供的方法包括：一次离子光学系统发射的离子束轰击至样品，成像系统获取束斑成像图像，根据成像图像自动调整样品台位置使离子束的束斑中心与样品中心重合；确定样品...
    2025-12-03
  • 质量分析数据处理方法及质量分析装置
    质量分析数据处理方法及质量分析装置_株式会社岛津制作所_202510491309.3
    本发明涉及质量分析数据处理方法及质量分析装置。装置具备：测量部(1)，对试样执行质量分析获取数据；峰信息获取部(34)，对基于数据的m/z谱进行峰检测，收集包含检测到的多个峰的m/z值的峰信息；概算质量计算部(35)，对峰信息所包含的各峰的...
    2025-12-03
  • 一种等离子体处理及上电极集成降温系统、方法
    一种等离子体处理及上电极集成降温系统、方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511475944.9
    本发明公开了一种等离子体处理设备及上电极集成降温系统及方法，应用于半导体制造装备技术领域。其中，降温系统包括气源供应装置、无运动部件纯气动的气流增压装置和旋流场生成装置。冷却所需的初始气流经气流增压加速后，形成覆盖腔盖表面的高速螺旋气流，实...
    2025-12-03
  • 工艺腔室的清洁方法
    工艺腔室的清洁方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511050288.8
    本申请提供一种工艺腔室的清洁方法，在往工艺腔室中通入前驱体气体进行预处理操作，以在工艺腔室的内壁形成一富硅保护层之后，通过调节施加到工艺腔室的高频段射频频率和低频段射频频率，对残留的前驱体气体以及预处理操作过程中产生的反应副产物进行电离，并...
    2025-12-03
  • 等离子体蚀刻装置
    等离子体蚀刻装置_三星显示有限公司_202510469562.9
    本公开涉及等离子体蚀刻装置，所述等离子体蚀刻装置的实施例包括：室，在所述室中执行使用等离子体的蚀刻工艺，在所述蚀刻工艺之前，所述室的内部涂覆有绝缘层，在所述蚀刻工艺之后去除所述绝缘层；第一天线，连接至高频电力源并且定位在所述室上；第二天线，...
    2025-12-03
  • 低能大束流离子注入机束流控制优化方法
    低能大束流离子注入机束流控制优化方法_无锡诚承电子科技有限公司_202511083366.4
    本发明涉及离子注入技术领域，公开了低能大束流离子注入机束流控制优化方法。该方法通过传感器系统连续采集束流电流与能量监测值，实时处理生成束流状态表征指标；将该指标与预设范围对比，超出范围时触发异常信号；在异常状态下，固定周期收集束流位置数据集...
    2025-12-03
  • 一种复核架构下的真空保持装置
    一种复核架构下的真空保持装置_上海坚亥半导体设备有限公司_202511139087.5
    本发明属于半导体工艺技术领域，涉及一种复核架构下的真空保持装置。该装置包括外部结构件与内部结构件；内部结构件包括第一球体、第一轴体与第二轴体；第一轴体、第一球体与第二轴体均为实心结构，第一轴体的一端与第一球体的下部连接，第二轴体的一端与第一...
    2025-12-03
  • 分叉镜筒加速管扫描电子显微镜
    分叉镜筒加速管扫描电子显微镜_FEI公司_202510587909.X
    本公开的实施方案包括用于带电粒子成像和微量分析的系统、方法、算法以及存储计算机可读指令的非暂态介质。带电粒子束系统可包括物镜组件，限定与第一轴配合的孔。该系统可包括分叉加速管。加速管可包括主要段、与主要段相交的辅助段和至少部分地设置在孔中的...
    2025-12-03
  • 一种适用于月表原位探测的全静电小型化扫描电镜透镜
    一种适用于月表原位探测的全静电小型化扫描电镜透镜_中国科学院国家空间科学中心_202511024142.6
    本发明公开了一种适用于月表原位探测的全静电小型化扫描电镜透镜，属于月球探测技术领域。包括：沿轴顺序固定的电子枪、聚光镜模组、微通道板探测器和物镜系统。透镜采用全静电系统，并在聚光镜模组和物镜系统上设置有通孔，以引入月表天然真空环境。所述聚光...
    2025-12-03
  • 电子源器件及其制备方法
    电子源器件及其制备方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202410568176.0
    本发明提供一种电子源器件及其制备方法，包括步骤：使用自限制化学反应制备具有限定粒径的纳米晶粒；提供器件衬底，器件衬底包括相对的第一面和第二面，第一面具有导电区域；将纳米晶粒装配到器件衬底上，形成电子发射层；在电子发射层上制备顶电极结构，形成...
    2025-12-03
  • 一种电子枪结构及装配工艺、及栅网冶具和栅网加工工艺
    一种电子枪结构及装配工艺、及栅网冶具和栅网加工工艺_成都奕康真空电子技术有限责任公司_202511453641.7
    本申请涉及一种电子枪结构及装配工艺、及栅网冶具和栅网加工工艺，属于电子枪技术领域，包括阴极、阳极、聚焦极和陶瓷枪壳，所述阴极、阳极和聚焦极均设置在陶瓷枪壳内，还包括阴栅绝缘组件，所述阴栅绝缘组件位于阴极和阳极之间，所述阴栅绝缘组件包括栅网和...
    2025-12-03
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