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最新专利技术
  • 绿色有机电致发光材料、器件及显示装置
    绿色有机电致发光材料、器件及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510393461.8
    本申请公开了一种绿色有机电致发光材料、器件及显示装置，属于显示技术领域。本申请实施例提供了一种绿色有机电致发光材料，所述绿色有机电致发光材料包括：主体材料、荧光材料和磷光材料，所述荧光材料和所述磷光材料的水平发射偶极子比分别为80％～100...
    2025-12-04
  • 一种显示面板及其裂纹检测方法、显示装置
    一种显示面板及其裂纹检测方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510400032.9
    本申请提供一种显示面板及其裂纹检测方法、显示装置，涉及显示技术领域，显示面板包括显示区和边框区，边框区设置有裂纹检测线和控制电路；裂纹检测线包括第一检测线和第二检测线，第一检测线和第二检测线位于显示面板的中轴线两侧，第一检测线的第一端与第一...
    2025-12-04
  • 显示面板及其制造方法
    显示面板及其制造方法_京东方科技集团股份有限公司_202510392089.9
    本申请公开了一种显示面板及其制造方法，属于显示技术领域。该显示面板的制造方法包括：在像素定义层背离驱动背板的一侧形成层叠设置的第一牺牲层和第一发光层。去除第一牺牲层，以去除第一发光层中与第一牺牲层交叠的部分。第一发光层中通过第一牺牲层中第一...
    2025-12-04
  • 一种钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池
    一种钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202510395980.8
    本申请提出了一种钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池，其中制备方法利用含有多个作用位点的有机胺盐酸盐制备改良溶液；将所述改良溶液与钙钛矿前驱体溶液按照设定比例混合制备第一钙钛矿薄膜；或者利用所述改良溶液涂覆在钙钛矿基膜的至少一个表面上形...
    2025-12-04
  • 深层次缺陷钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池
    深层次缺陷钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202510395979.5
    本申请提出了深层次缺陷钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池，其中制备方法包括利用缺陷钝化分子制备钝化溶液；将所述钝化溶液与钙钛矿前驱体溶液按照设定比例混合制备第一钙钛矿薄膜；或者利用所述钝化溶液涂覆在钙钛矿前驱体溶液形成的钙钛矿基...
    2025-12-04
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法、电子设备
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法、电子设备_合肥京东方光能科技有限公司_202510410832.9
    本公开提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、电子设备，属于太阳能电池技术领域。本公开的钙钛矿太阳能电池的制备方法包括：在衬底基板上形成第一电极，并对第一电极进行激光刻蚀，形成多条第一划线；在第一电极背离衬底基板一侧及相邻第一划线之间依次形成...
    2025-12-04
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202510409164.8
    显示面板和显示装置。显示面板包括衬底基板，衬底基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域，周边区域包括位于显示区域一侧的绑定区域；多个子像素，位于衬底基板的一侧且位于显示区域；多条信号线，位于衬底基板的一侧，多条信号线与多个子像素电连接，多条...
    2025-12-04
  • 显示基板、显示装置、裂纹检测方法
    显示基板、显示装置、裂纹检测方法_京东方科技集团股份有限公司_202510397922.9
    本公开实施例提供一种显示基板、显示装置、裂纹检测方法。显示基板包括显示区域的以及位于显示区域周围的边框区域，边框区域包括检测单元和至少一个第一防静电单元，检测单元至少包括第一检测线和第二检测线，第二检测线位于第一检测线远离显示区域的一侧，第...
    2025-12-04
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510397629.2
    本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。该显示面板的制备方法，包括在衬底基板的一侧依次形成驱动层和像素层；其中，形成像素层包括：在所述驱动层远离所述衬底基板的一侧形成无机阻隔层；在所述无机阻隔层远离所述衬底基板的一侧...
    2025-12-04
  • 一种柔性3D显示器及其制备方法
    一种柔性3D显示器及其制备方法_中国科学技术大学_202510410917.7
    本发明公开了一种柔性3D显示器及其制备方法，属于圆偏振发光材料技术领域。所述柔性3D显示器包括依次连接的柔性基底、第一导电层、电致发光层、第二导电层、圆偏振光转化层；所述圆偏振光转化层由宏观共组装能力分子、有机手性掺杂剂、油水两亲性物质和聚...
    2025-12-04
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202510400080.8
    本申请属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底基板、像素定义层和多个防窥结构，像素定义层具有多个相互间隔设置的像素开口，每个防窥结构均包括防窥发光二极管以及设于防窥发光二极管远离衬底基板一侧的遮光部，防窥发光二极管...
    2025-12-04
  • 显示基板及其制备方法和显示装置
    显示基板及其制备方法和显示装置_云南创视界光电科技有限公司_202510397082.6
    提供了一种显示基板及其制备方法和显示装置。显示基板包括：衬底基板和依次远离衬底基板的第一电极层、像素限定层、发光层和第二电极层。像素限定层具有多个像素开口、多个像素间隔区和至少一个像素限定部，至少一个像素限定部位于相邻的像素开口和像素间隔区...
    2025-12-04
  • 一种基于金属氧化物类电子传输层的钙钛矿基太阳能电池及该电子传输层的制备方法
    一种基于金属氧化物类电子传输层的钙钛矿基太阳能电池及该电子传输层的制备方法_南开大学_202510387014.1
    本发明提供了一种基于金属氧化物类电子传输层的钙钛矿基太阳能电池及该电子传输层的制备方法，属于太阳能电池技术领域，该电池为P‑I‑N结构，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、金属电极。所述电子传输层为通过...
    2025-12-04
  • 一种基于S-(2-氨乙基)异硫脲溴鎓氢溴酸盐场钝化无机钙钛矿太阳电池的制备方法
    一种基于S-(2-氨乙基)异硫脲溴鎓氢溴酸盐场钝化无机钙钛矿太阳电池的制备方法_南开大学_202510386891.7
    一种基于S‑(2‑氨乙基)异硫脲溴鎓氢溴酸盐场钝化无机钙钛矿太阳电池的制备方法，通过将S‑(2‑氨乙基)异硫脲溴鎓氢溴酸盐作为钝化材料应用于无机钙钛矿薄膜的表面，在钙钛矿表面形成了一层均匀的钝化层，显著改善了钙钛矿层与电子传输层之间的电场分...
    2025-12-04
  • 一种微显示芯片及其制备方法
    一种微显示芯片及其制备方法_镭昱光电科技(苏州)有限公司_202510397541.0
    本申请提供一种微显示芯片及其制备方法，属于微显示芯片技术领域，本申请实施例的微显示芯片通过在发光元件中设置第一衬底，并将其置于发光单元与光转换单元之间，显著提升了发光元件的整体结构强度。第一衬底一方面为发光单元和光转换单元提供机械支撑，减少...
    2025-12-04
  • 微型发光器件及其制作方法
    微型发光器件及其制作方法_深圳市思坦科技有限公司_202510396156.4
    本申请涉及一种微型发光器件及其制作方法，微型发光器件包括至少一个微型发光单元，微型发光单元包括微型发光结构，微型发光结构包括：台阶结构，台阶结构包括依次层叠设置的第一半导体层、第一发光层、第二半导体层、第二发光层和第三半导体层，其中，第二半...
    2025-12-04
  • Mini-LED晶圆测试方法、分选方法、电子设备及存储介质
    Mini-LED晶圆测试方法、分选方法、电子设备及存储介质_江西耀驰科技有限公司_202510394911.5
    本发明涉及LED生产技术领域，具体公开了一种Mini‑LED晶圆测试方法、分选方法、电子设备及存储介质。测试方法包括以下步骤：S1、获取Mini‑LED晶粒的位置信息；S2、根据位置信息及多通道探针组的探针排布信息生成多个初始测试组；S3、...
    2025-12-04
  • 一种等高电极的Micro-LED芯片及其制备方法和显示面板
    一种等高电极的Micro-LED芯片及其制备方法和显示面板_武汉大学_202510387183.5
    本发明公开了一种等高电极的Micro‑LED芯片及其制备方法和显示面板，包括形成在衬底上的外延结构，以及电极结构；外延结构由下至上包括结合层、n型材料层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型材料层和透明导电层，外延结构中设置有直达n型材料层的n...
    2025-12-04
  • 改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法
    改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510392933.8
    本公开提供了一种改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层、电流阻挡层和透明导电层，外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽；电流阻...
    2025-12-04
  • 一种改善UV衰减TopCon电池制备方法
    一种改善UV衰减TopCon电池制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202510409979.6
    本发明属于光伏技术领域，具体涉及一种改善TopCon电池UV衰减的制备方法。一种改善TopCon电池UV衰减的制备方法，前序步骤，改良RCA工序，其中在RCA工序中的两次水洗一次酸洗后用臭氧水清洗，形成氧化层，后续步骤。本发明在抗UV衰减方...
    2025-12-04
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