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最新专利技术
  • 可独立装配无源元件的集成电路封装及其制造方法
    可独立装配无源元件的集成电路封装及其制造方法_立锜科技股份有限公司_202510118974.8
    本发明提供一种可独立装配无源元件的集成电路封装及其制造方法。该可独立装配无源元件的集成电路封装包含：集成电路，用以安装于电路板上；以及散热结构，其独立制造且具有：第一层平板，配置于集成电路之上，并与集成电路热接触；及空腔，位于第一层平板的一...
    2026-04-13
  • 功率组件、功率变换设备及制造方法
    功率组件、功率变换设备及制造方法_阳光电源股份有限公司_202510864078.6
    本申请公开了一种功率组件、功率变换设备及制造方法，属于电力电子设备技术领域，本申请的功率组件，包括：基板，包括相背分布的第一表面和第二表面，第一表面设置有焊料，基板具有容纳腔，容纳腔用于填充相变介质；功率模块，设置于焊料上；第一加强结构，至...
    2026-04-13
  • 功率模块散热模组
    功率模块散热模组_苏州汇川联合动力系统股份有限公司_202511793536.8
    本申请提供一种功率模块散热模组，通过将芯片设置在集成散热器式金属基板的表面或者嵌入在集成散热器式金属基板内，然后在芯片及集成散热器式金属基板形成的组合体的上方压合第一绝缘层和第一导电层，以对芯片进行封装，然后在第一绝缘层和第一导电层贯穿设置...
    2026-04-13
  • 一种用于IGBT模块的陶瓷歧管微通道散热装置
    一种用于IGBT模块的陶瓷歧管微通道散热装置_重庆理工大学_202512011059.1
    本申请提供了一种用于IGBT模块的陶瓷歧管微通道散热装置，该散热装置包括：陶瓷基板，陶瓷基板上开设有散热通道，用于承载IGBT模块，并通过散热通道对冷却介质进行扩散，盖板，与陶瓷基本密封连接并形成密封空间，盖板上设置有用于供冷却介质流入密封...
    2026-04-13
  • 一种无芯式硅胶基柔性均热板
    一种无芯式硅胶基柔性均热板_西安交通大学_202512011258.2
    本发明公开了一种无芯式硅胶基柔性均热板，属于均热板技术领域，包括沿厚度方向依次设置的超亲水蒸发端硅胶板、硅胶支撑结构和超疏水冷凝端硅胶板；硅胶支撑结构位于超亲水蒸发端硅胶板和超疏水冷凝端硅胶板形成的封闭腔体内，超亲水蒸发端硅胶板内壁、超疏水...
    2026-04-13
  • 一种芯片封装散热结构
    一种芯片封装散热结构_中国科学院微电子研究所_202512011296.8
    本发明公开一种芯片封装散热结构，包括：芯片；引线框架，具有第一面和第二面，第一面设置有内引脚，引线框架对应芯片的位置开设有凹槽或贯通孔，凹槽位于第一面，贯通孔贯穿第一面和第二面，芯片引脚与内引脚电气连接；热电散热器件，嵌装于凹槽或贯通孔中，...
    2026-04-13
  • 一种芯片封装散热结构
    一种芯片封装散热结构_中国科学院微电子研究所_202512011373.X
    本发明公开一种芯片封装散热结构，包括：封装壳体；基座，设置于封装壳体内；热电散热器件，包括制冷端和制热端，热电散热器件位于封装壳体内，热电散热器件与基座连接；常温芯片，位于封装壳体内，且与热电散热器件的制冷端导热连接；耐高温芯片，位于封装壳...
    2026-04-13
  • 冷却器
    冷却器_富士电机株式会社_202511222995.0
    本发明提供一种能够抑制冷却性能降低的冷却器。冷却器具有壳体构件，该壳体构件具备：制冷剂的流入口；所述制冷剂的流出口；第一构件，其包括接受来自被冷却体的热的第一面和所述第一面的相反侧的第二面；第二构件，其具有与所述第二面相对的第三面；多个突起...
    2026-04-13
  • 一种带有高散热结构的半导体封装基板及其制备方法和应用
    一种带有高散热结构的半导体封装基板及其制备方法和应用_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511492079.9
    本发明公开了一种带有高散热结构的半导体封装基板及其制备方法和应用，包括先在铜基板上制造出微通道图形，然后用一种牺牲材料临时填充微通道图形，以便在其上方平稳地构建电路和再布线层，最后移除牺牲材料并填入最终的冷却介质，并在微通道图像的一端连接冷...
    2026-04-13
  • 一种功率模块、倒装散热封装方法和逆变器
    一种功率模块、倒装散热封装方法和逆变器_国网四川省电力公司电力科学研究院_202511814319.2
    本发明公开了一种功率模块、倒装散热封装方法和逆变器，涉及功率模块封装领域，其技术方案要点是：功率模块包括上基板和下基板；其中，所述上基板与下基板之间通过框架形成具有间隔空间的矩形体；在所述上基板的下底面设置有第一半导体器件；在所述下基板的上...
    2026-04-13
  • 一种结合HPD封装的IGBT模块的歧管微通道结构
    一种结合HPD封装的IGBT模块的歧管微通道结构_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202511989167.X
    本申请涉及微通道结构技术领域，尤其涉及一种结合HPD封装的IGBT模块的歧管微通道结构。其技术方案包括散热器主体、设于其内部的散热器水道及歧管结构，以及固定于散热器主体上的HPD封装基板与HPD模块。其中，歧管结构安装在散热器水道内，用于分...
    2026-04-13
  • 一种大功率相变冷板及液冷方法
    一种大功率相变冷板及液冷方法_广州高澜创新科技有限公司_202512031774.1
    本申请涉及电子设备热管理技术领域，特别涉及一种大功率相变冷板及液冷方法。一种大功率相变冷板，包括：散热基板及分液组件；散热基板上设有传热部；传热部与发热芯片相接触，且传热部上设有传热齿；传热齿上设有用于扩大传热面积的传热槽；分液组件包括抵接...
    2026-04-13
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511911616.9
    本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；元胞结构，位于衬底的部分表面上；划片道结构，位于衬底的剩余部分表面上，且与元胞结构的侧壁接触，划片道结构的材料包括低K介质材料和/或高导热介质材料，低K介质材料的相对介电常数小...
    2026-04-13
  • 电容器组结构、半导体封装结构及其制造方法
    电容器组结构、半导体封装结构及其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202610000881.X
    本揭露涉及电容器组结构、半导体封装结构及其制造方法。一种电容器组结构包括：电容器，其包含多个第一电极和与多个第一电极相对的多个第二电极；多个导电衬垫，其电连接到电容器；第一保护材料，覆盖电容器和多个导电衬垫的侧壁；以及第二保护材料，覆盖第一...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510729007.5
    本文提供了一种半导体装置。半导体装置包括：晶圆，其在第一方向和第二方向上的平面中延伸；在晶圆的表面上方在第三方向上依次层叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；多个下游标图案，其设置在第一绝缘层和第二绝缘层中；以及多个虚设图案，其设置在第三...
    2026-04-13
  • 包括标记框架和由标记框架限定的标记图案的半导体封装件及其制造方法
    包括标记框架和由标记框架限定的标记图案的半导体封装件及其制造方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511935584.6
    提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；模制层，在基底上覆盖半导体芯片，模制层包括封装主体和位于封装主体上的标记图案；以及标记框架，在模制层的封装主体上，标记框架包括用于在去除时限定标记区域的可去...
    2026-04-13
  • 形成功率模块连接的方法
    形成功率模块连接的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511343097.0
    一种形成功率模块连接的方法，包括：从伸长导电体的第一区段和第二区段中的每一者去除电绝缘涂层；使伸长导电体在一个或多个维度上弯曲，以形成伸长导电体的弯曲段；从伸长导电体的块体切下伸长导电体的弯曲段，使得伸长导电体的第一区段和第二区段中的每一者...
    2026-04-13
  • 基于协同化上料结构的芯片基板多工位激光封边设备
    基于协同化上料结构的芯片基板多工位激光封边设备_苏州恩欧西智能科技有限公司_202511757670.2
    本发明芯片基板加工技术领域，尤其涉及基于协同化上料结构的芯片基板多工位激光封边设备，包括U型输送台，位于U型输送台两侧内壁的环形轨道，环形轨道之间设置有用于自检芯片基板放置面并吸附固定的送料工位，U型输送台上设置有协同送料工位对堆叠芯片基板...
    2026-04-13
  • 一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法
    一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法_南通威斯派尔半导体技术有限公司_202511883940.4
    本发明公开了一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法，包括：步骤S1，AMB基板基础层厚设定及减铜工艺，其中，AMB基板自上而下为正面铜箔层、陶瓷基板、背面铜箔层；步骤S2，根据正面铜箔层电路导条沟槽的密度差异，将正面划分为高密度区与低...
    2026-04-13
  • 一种常压等离子电极陶瓷片的制备方法
    一种常压等离子电极陶瓷片的制备方法_苏州高芯众科半导体有限公司_202511925149.5
    本申请涉及一种常压等离子电极陶瓷片的制备方法，包括如下步骤：原料检查；生瓷片高温老化；将生瓷片与贴片框固定；生瓷片表面进行打孔，形成过孔，然后将导电浆料填入过孔中，并使得陶瓷坯体表面平整光滑；通过丝网印刷，将导电浆料传输至陶瓷坯体上；使用激...
    2026-04-13
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