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  • 本申请提供了一种发光二极管,尤其是高电压驱动发光板二极管,其中相邻发光单元之间形成有连接结构,该连接结构包括填充层以及隔绝层,填充层位于相邻发光单元之间的隔离槽内,隔绝层位于填充层靠近半导体外延叠层的背面的一侧。连接结构作为相邻发光单元之间...
  • 本发明公开了一种反极性发光二极管及其制造方法,所述反极性发光二极管包括一半导体叠层,所述半导体叠层具有一台面结构,所述台面结构包括一顶部表面和一侧壁表面,还包括:一侧壁布拉格反射镜,设置在所述半导体叠层的所述侧壁表面上;以及一焊盘下布拉格反...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种发光二极管外延结构,包括衬底,在所述衬底上依次层叠石墨烯复合纳米层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层;所述石墨烯复合纳米层包括依次层叠的改性石墨烯层和ZnO子层,所述改性石墨烯层设于所述衬底上...
  • 本公开提供了一种具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法,属于半导体器件领域。该制备方法包括:制备N型GaN层;在N型GaN层的一面制备有源层;在有源层的一面制备第一P型GaN层,第一P型GaN层包括依次制备的第一子层、第二子层和第三子层,第...
  • 本公开提供了一种具有高外量子效率的发光二极管及其制备方法,属于半导体器件领域。该制备方法包括:制备N型GaN层;在N型GaN层的一面制备有源层;在有源层的一面制备P型GaN层;在P型GaN层的一面制备P型接触层,P型接触层包括依次制备的第一...
  • 本发明揭示一种LED灯丝及其制作方法,涉及LED发光器件技术领域。该LED灯丝包括基底、发光器件、荧光层和折射层,基底至少一端设发光位,发光器件嵌入发光位内,荧光层包覆基底外表面并覆盖发光位,折射层包覆于荧光层外表面。该LED灯丝既保留柔性...
  • 本发明公开了一种一体化液冷高功率LED光学模块及其控制方法,通过设置LED封装单元、接线单元和温度感应单元,散热组件包括第二基板、液冷循环单元和多组散热鳍片,温度感应单元检测LED封装单元的温度信号,控制冷却液驱动组件驱动液冷微流管内的冷却...
  • 本申请提供一种单面出光的高亮LED器件及其制备方法、车灯,高亮LED器件的制备方法包括:将色转换膜片与LED芯片固定连接,形成一发光单元;将发光单元设置于一承载板上,其中,LED芯片位于色转换膜片远离承载板的一侧;利用一第一粘结层将一介质膜...
  • 本申请公开了一种显示面板的制备方法及显示面板,该制备方法包括:在驱动背板上形成第一平坦化层,并图案化第一平坦化层,形成裸露出第一电极的多个通孔,第一电极与驱动背板中的驱动电路电连接;形成第一键合层,其中,第一键合层部分填充在通孔中而与第一电...
  • 提供了发光元件和用于制造发光元件的方法。根据本公开内容的一方面,用于制造发光元件的方法包括:在晶片上形成具有多个凹槽的外延层的步骤;在外延层上形成多条组装线的步骤;通过向多条组装线施加电压来使多个光提取颗粒在多个凹槽中的每一个中自组装的步骤...
  • 本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包括:提供第一晶圆;提供多个外延芯片;将多个外延芯片的第二介质层与第一晶圆的第一介质层采用直接键合的方式键合;图案化第一电极层以及外延层,形成多个微型发光二极管;微型发光二极管包括依次...
  • 本发明涉及LED芯片技术领域,公开一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法。制备方法包括:在图形化衬底上制备外延层、反射层;在N型导电台阶的表面进行两阶段的ICP刻蚀,形成底部平整的隔离槽,将外延层分隔为若干个独立的发光单元;在反射层及反射层...
  • 本申请提供一种显示面板的制作方法、显示面板及电子设备,涉及显示面板技术领域,所述方法包括:提供一驱动背板,驱动背板的一侧包括至少一个焊盘;在驱动背板设置有焊盘的一侧形成绝缘层;在绝缘层上形成暴露出焊盘的第一凹槽及至少一个与第一凹槽相邻的第二...
  • 本发明涉及一种LED芯片组件及其制作方法。其中LED芯片组件制作方法包括:提供一红光外延片,所述红光外延片包括衬底,以及依次层叠在所述衬底上的欧姆接触层、第一半导体层、发光层和第二半导体层;于所述第二半导体层上蒸镀键合金属层;通过所述键合金...
  • 本发明涉及显示设备技术领域,公开了一种暂态基板及巨量转移方法,该暂态基板包括:第一基板,第一基板的第一侧具有N个微型槽,N个微型槽呈阵列排布,且N个微型槽的排布与驱动背板上的N个像素驱动单元的排布一致,N个微型槽的深度相同,微型槽用于容纳发...
  • 本发明涉及Micro LED芯片巨量转移技术领域,特别涉及一种巨量转移的运动误差补偿方法及设备。在转移前,根据转移能量和芯片质量预测并提前修正由爆破和惯性带来的位移误差,实现转移前的预补偿。并根据基板的理论速度与实际速度的偏差确定出上一换区...
  • 本发明涉及芯片转移技术领域,特别涉及双层基板芯片转移方法及激光巨量转移平台。先根据转移基板第一方向上待转移芯片位置之间的第一间距、承接基板第一方向上对应芯片承接位置之间的第二间距以及能量阵列中第一方向上的能量作用点的第一数量,划分出每个芯片...
  • 本发明公开了一种侧发光高集成度动态幻彩LED灯珠、制备方法及装置,涉及幻彩LED灯珠领域,包括SMD封装基板,所述SMD封装基板上固定连接有散热框,所述散热框内固定连接有反光侧板,该一种侧发光高集成度动态幻彩LED灯珠、制备方法及装置,通过...
  • 本发明提供一种柔性发光膜及制备方法,涉及发光膜技术领域,包括第一主体层、导通结构、LED芯片和第二主体层,第一主体层具有一第一界面层;导通结构粘贴于第一界面层上,导通结构由若干经线组成,经线为金属线;LED芯片的正极与负极分别与导通结构相导...
  • 本申请涉及一种LED模组的单面集成封装结构及显示设备,LED模组的单面集成封装结构包括:基板,基板上排列有至少一颗LED灯珠,且基板上设置有驱动IC,驱动IC与LED灯珠位于基板的同一面,驱动IC与LED灯珠电连接,且一颗驱动IC控制至少一...
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