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  • 本发明涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种使用六氟磷酸钾的钙钛矿太阳电池的刮涂制备方法,该方法通过引入的六氟磷酸钾能有效钝化钙钛矿薄膜缺陷,抑制离子迁移,从而从根源上降低器件的迟滞效应,其中,钾离子可以嵌入钙钛矿晶格的八面体间隙中,六氟磷酸根...
  • 一种钙钛矿膜层的制备方法、钙钛矿太阳能电池及组件,涉及一种钙钛矿膜层的制备方法,包括:在第一电荷传输层上涂布钙钛矿微晶溶液,进行第一退火处理,形成第一钙钛矿膜层;在第一钙钛矿膜层的表面涂布钙钛矿前驱体溶液,进行第二退火处理,形成第二钙钛矿膜...
  • 本发明涉及一种钙钛矿活性层的制备方法与钙钛矿太阳电池,制备方法包括:首先将纳米碳化硅于浓硫酸与过氧化氢的混合溶液中氧化处理,得到改性碳化硅;之后将改性碳化硅与钙钛矿前驱体原料于溶液中混合,涂覆,退火得到。与现有技术相比,本发明可在调制钙钛矿...
  • 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域,具体涉及一种FAPbI3钙钛矿膜层制备方法及钙钛矿太阳能电池。本发明提供的FAPbI3钙钛矿太阳能电池,所述FAPbI3钙钛矿膜层制备时,FAPbI3钙钛矿膜层前驱液中溶有添加剂二甘醇酸。与现有技术相比,...
  • 本发明提供一种钙钛矿前驱液的制备方法和抗辐照钙钛矿薄膜,属于钙钛矿材料技术领域,包括如下步骤:在松萝酸/α‑生育酚溶液中依次加入FAI、SnI2、SnF2、EDAI2,磁力搅拌,然后加入1, 4‑二乙烯基全氟丁烷、AIBN继续搅拌,再超声处...
  • 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域,公开了一种基于钙钛矿前驱体溶剂改性的喷涂法制备太阳能电池的方法,为一种局部溶剂挥发策略。该策略通过在钙钛矿前驱体溶剂中引入γ‑丁内酯并对其进行系统改性,有效调控了喷涂过程中溶剂的挥发行为。该方法能够快速、...
  • 本申请涉及一种隔热透明的钙钛矿光伏组件及其制备方法,把ITO磁控溅射沉积在透明衬底的玻璃表面上,形成阳极基板;对阳极基板的表面进行清洗;清洗后对阳极基板进行干燥处理;干燥后的阳极基板进行整体清洗;在整体清洗后的阳极基板上进行空穴传输层的制备...
  • 本发明公开了一种基于谷氨酸压印扩散的CsPbI3钙钛矿太阳能电池钝化方法,所述CsPbI3钙钛矿太阳能电池从上至下由金属电极、空穴传输层、钙钛矿薄膜吸光层、电子传输层和FTO导电玻璃组成,所述钙钛矿薄膜吸光层采用CsPbI3钙钛矿薄膜制成,...
  • 本发明公开了一种通过调控晶格应变抑制离子迁移提高宽禁带钙钛矿太阳能电池稳定性的方法,该方法有效解决了钙钛矿太阳能电池光活性层中由晶格应变与离子迁移引发相偏析的问题。针对钙钛矿薄膜普遍存在的晶格应变及相偏析问题,本发明通过在光活性层上引入多功...
  • 本发明公开了一种木质素添加剂提升钙钛矿太阳能电池性能的方法,属于钙钛矿太阳能电池制备领域,包括对电极衬底进行清洗;在电极衬底上旋涂溶液成膜作为空穴传输层,并在设定温度下对形成的空穴传输层进行退火处理;在空穴传输层上旋涂带有木质素的钙钛矿前驱...
  • 本发明公开了一种提高老化稳定性的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。制备方法包括以导电基底为工作电极构建电化学装置,启动电化学装置,对导电基底的表面进行电化学处理,使导电基底的表面形成纳米多孔结构,并在导电基底...
  • 本发明公开了一种钙钛矿活性层及其制备方法和应用,所述钙钛矿活性层具有A位点空位,所述A位点空位内嵌入二正丙胺盐酸盐。本发明的钙钛矿活性层中,所述A位点空位内嵌入二正丙胺盐酸盐,一方面可以有效填补钙钛矿活性层中A位点空位,提高钙钛矿活性层的结...
  • 本发明公开了一种纯碘宽带隙钙钛矿薄膜及其制备方法和应用,属于钙钛矿技术领域。该方法将碘化铷引入Cs0.3DMA0.2MA0.3FA0.2PbI3钙钛矿,铷离子(Rb+)掺入钙钛矿晶格,有效缓解钙钛矿薄膜中的拉伸应力,减少碘空位缺陷,同时实现...
  • 本发明涉及一种金属硫族化合物柔性热电膜的制备方法及柔性热电膜,其制备包括如下步骤:合成金属硫族化合物热电材料粉末;用砂纸打磨衬底材料,使其表面粗糙化;清洗并干燥衬底和网版;称量一定量的金属硫族化合物粉末在研钵中充分研磨,再加入松油醇和分散剂...
  • 本发明公开了一种基于N型Bi2SbSe3多晶的新型热电材料及其制备方法,属于热电材料制备技术领域,制备方法包括以下步骤:(1)对原料Bi单质、Sb单质、Se单质进行称量,确保Bi:Sb:Se的摩尔比为1 : 1 : 3,称量后将原料混合;(...
  • 一种利用脉冲电场和纳米复合相结合改性Bi2Te3薄膜的方法,本发明属于热电材料与薄膜改性研究领域。本发明要解决现有低维薄膜材料光热电性能低的问题。方法:一、纳米复合薄膜的制备;二、脉冲电场处理。本发明用于利用脉冲电场和纳米复合相结合改性Bi...
  • 本发明公开了一种低成本半导体制冷器的制造方法,属于半导体制冷器制造领域,包括以下步骤:S1, 陶瓷基板清洁并烘干以待图形化;S2, 将陶瓷基板装配形成图形转化装置,并将图形转化装置安装在镀锅上;S3, 将打底金属蒸镀到陶瓷基板上,在陶瓷基板...
  • 一种红外热电堆传感器及其制备方法,红外热电堆传感器包括衬底,所述衬底内具有空腔;支撑介质层,位于所述衬底表面;热电堆复合层,位于所述支撑介质层表面,所述热电堆复合层包括热电偶层、第一金属部、第二金属部以及热电绝缘层;阻挡绝缘层,位于所述热电...
  • 本发明涉及热电制冷技术领域,具体涉及一种高密度半导体电制冷器件及其能量循环利用方法,包括至少一个外部封装模组,其内部设有至少一个半导体制冷模组,至少一个温差发电模组,设置在所述外部封装模组的内部,一个电路适配模组,设置在所述外部封装模组的内...
  • 本发明公开了一种基于N型SnSe多晶的新型立方相热电材料及其制备方法,属于热电材料制备技术领域,所述热电材料为Pb、Te固溶和卤素掺杂的N型立方相SnSe多晶,化学通式为Sn0.55Se0.55‑xPb0.45Te0.45Mx,其中M为Cl...
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