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最新专利技术
  • 半导体器件结构、图像传感器
    半导体器件结构、图像传感器_思特威(深圳)电子科技有限公司_202411146545.3
    一种半导体器件结构及图像传感器，半导体器件结构包括芯片区和围绕芯片区的划片区，芯片区包括器件区和环绕所述器件区设置的保护区，保护区设有至少一个检测保护结构，检测保护结构环绕所述器件区设置，半导体器件结构包括堆叠设置的衬底层和互连层，检测保护...
    2026-03-16
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202411148075.4
    本发明提出一种芯片封装结构，包含：第一基板，包含上表面、下表面、侧表面以及走线，上表面具有粘芯区以及多个上接触点，下表面具有焊球阵列，多个上接触点经由走线电性连接焊球阵列；图像传感芯片，固着于粘芯区，其主动面包含图像传感区以及多个焊垫；第一...
    2026-03-16
  • 一种图像传感器的形成方法及图像传感器
    一种图像传感器的形成方法及图像传感器_格科微电子(上海)有限公司_202411149152.8
    本发明公开一种图像传感器的形成方法及图像传感器，所述图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；所述衬底包括像素区和逻辑区；在所述像素区外围和/或所述逻辑区的不同模块外围形成隔离结构，用于隔离所述逻辑区的器件产生的光、热和/或电子扩散；所述隔离结...
    2026-03-16
  • 基于电磁屏蔽的图像传感器芯片及其制造方法
    基于电磁屏蔽的图像传感器芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202511837060.3
    本发明提供一种基于电磁屏蔽的图像传感器芯片及其制造方法，包括：提供具有感光区的衬底晶圆；覆盖感光区外衬底晶圆表面的屏蔽层；形成贯穿屏蔽层的导电通孔；形成覆盖屏蔽层表面的第一金属层，以得到具有电磁屏蔽的芯片半成品；提供玻璃并形成透明导电膜层；...
    2026-03-16
  • FDSOI图像传感器及其制造方法
    FDSOI图像传感器及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746011.9
    本发明公开了一种FDSOI图像传感器，像素单元结构包括：形成于SOI层上的FDSOI晶体管和形成于底部半导体衬底中的光电二极管，光电二极管包括感光阱区。光电二极管位于FDSOI晶体管的正下方并延伸到FDSOI晶体管的形成区域的外侧；在FDS...
    2026-03-16
  • 一种含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件及图像传感器
    一种含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件及图像传感器_广州光达创新科技有限公司_202511752172.9
    本发明公开了一种含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件以及图像传感器，其中感光像素元件包括：衬底；电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极；介电层，其覆盖在电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极三者上方，且设有开口部；单层或双层的P型薄膜...
    2026-03-16
  • III-V族半导体晶圆与CMOS晶圆的晶圆级异质集成方法及结构
    III-V族半导体晶圆与CMOS晶圆的晶圆级异质集成方法及结构_苏州镓港半导体有限公司_202511921817.7
    本发明公开了一种III‑V族半导体晶圆与CMOS晶圆的晶圆级异质集成方法及结构，晶圆级异质集成方法包括：提供III‑V晶圆，在III‑V晶圆表面制备第一电介质层，并在第一电介质层上制备第一高熵合金薄膜；提供CMOS晶圆，在CMOS晶圆表面制...
    2026-03-16
  • 利用晶圆制备光芯片的方法
    利用晶圆制备光芯片的方法_中国科学院半导体研究所_202511609344.7
    本发明提供了一种利用晶圆制备光芯片的方法，涉及集成光子芯片制造技术领域，该方法包括：在位于晶圆正面开设深刻蚀窗口，基于深刻蚀窗口自光芯片保护层沿厚度方向刻蚀至光芯片衬底内部，以暴露光接口的侧面，并在光芯片衬底边缘形成底部台阶；将经过深刻蚀工...
    2026-03-16
  • 一种太阳电池负间距组件的制备方法
    一种太阳电池负间距组件的制备方法_陕西众森电能科技有限公司_202411170650.0
    本发明涉及光伏电池的串联连接，具体涉及一种太阳电池负间距组件的制备方法，用于解决常规串焊工艺无法处理焊带数量不一致的电池，以及叠片工艺中重叠区域的电池在层压后受到的应力较大，易产生隐裂，造成电池失效的不足之处。该太阳电池负间距组件的制备方法...
    2026-03-16
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202411181542.3
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，太阳能电池的制备方法包括：获取N型硅片，并在N型硅片的第一接触区域上依次沉积第一掩膜层、第二掩膜层，对N型硅片进行第一丝网印刷处理，以在第一接触区域上的第一预设区域上印刷第一浆料，...
    2026-03-16
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202411352531.7
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域上设有第一隧穿钝化接触结构，所述第一区域和第二区域上设有第二钝化结构，所述第一区域上的...
    2026-03-16
  • 用于自供电日盲紫外探测器的Nafion涂层氧化镓/MXene异质结的制备方法
    用于自供电日盲紫外探测器的Nafion涂层氧化镓/MXene异质结的制备方法_重庆文理学院_202511551555.X
    本发明提供一种用于自供电日盲紫外探测器的Nafion涂层氧化镓/MXene异质结的制备方法。该方法采用水热、旋涂及后退火工艺在钛片衬底上制备氧化镓纳米棒阵列，然后通过旋涂、加热和封装工艺构筑Nafion涂层MXene/氧化镓异质结光阳极。测...
    2026-03-16
  • 一种OBB太阳能电池制造拼接方法
    一种OBB太阳能电池制造拼接方法_丽瀑光能(常熟)有限公司_202511672164.3
    本发明公开了一种OBB太阳能电池制造拼接方法，所述OBB太阳能电池制造拼接方法包括以下步骤：第一步 将焊带与电池片上的主栅通过点焊的方式连接；第二步 在焊带与主栅的连接区域进行点胶，增加焊带与电池片之间的结合力；第三步 将电池片层压封装。通...
    2026-03-16
  • 太阳能电池及其制作方法
    太阳能电池及其制作方法_苏州捷得宝机电设备有限公司_202511790700.X
    本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，本发明的方法包括在电池前体上制备TCO层的步骤，其特征在于，还包括在TCO层外侧制备介质层的步骤，介质层包括位于TCO层的远离电池前体的一侧的表面的第一介质层，和位于TCO层的侧面的第二介质层，第二介...
    2026-03-16
  • 一种改善PERC电池硅片表面亲水性的退火方法
    一种改善PERC电池硅片表面亲水性的退火方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511799517.6
    本发明公开了一种改善PERC(PassivatedEmitterandRearCell，钝化发射极和背面接触)电池硅片表面亲水性的退火方法，属于光伏电池制造技术领域。该方法针对传统低压炉管退火工艺对硅片表面亲水性调控不足的缺陷，通过精准优化...
    2026-03-16
  • 一种提升耐候性的光伏组件一体化成型工艺
    一种提升耐候性的光伏组件一体化成型工艺_广德协鑫新能源科技有限公司_202511809333.3
    本发明公开了一种提升耐候性的光伏组件一体化成型工艺，涉及光伏组件技术领域，通过全流程协同工艺，实现光伏组件耐候性能与结构稳定性的同步提升，本发明优化了基材表面改性工艺与复合封装材料体系，采用一体化层压成型技术消除层间界面缺陷，配合精准的工艺...
    2026-03-16
  • 一种电池片高效成串设备、方法及电池串
    一种电池片高效成串设备、方法及电池串_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202511822572.2
    本发明涉及光伏组件制造技术领域，具体公开了一种电池片高效成串设备、方法及电池串。该电池片高效成串设备包括复合平台及成串输送线，复合平台包括工作台及转台，转台沿工作台的第一工位、第二工位、第三工位及第四工位循环转动；转台顶面设置有四个放置位，...
    2026-03-16
  • 改善异质结单体与叠层底电池电极-薄膜界面性能的方法
    改善异质结单体与叠层底电池电极-薄膜界面性能的方法_晋能清洁能源科技股份公司_202511839492.8
    本发明公开了一种改善异质结单体与叠层底电池电极‑薄膜界面性能的方法，涉及太阳能电池领域，所述方法为采用渐变式热光固化工艺；具体为在光固化过程中固化温度从初始温度逐渐递增，通过改变异质结电池银电极的烘干固化方式来改善太阳能电池电极与薄膜界面的...
    2026-03-16
  • 一种降低PERC电池中心漏电的改善方法
    一种降低PERC电池中心漏电的改善方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511847474.4
    本发明公开了一种改善PERC电池中心位置漏电的方法，属于太阳能电池技术领域。该方法针对PERC电池(钝化发射极背表面电池)制造中激光开孔导致的中心漏电问题，通过以下步骤实现改善：1)在PERC电池背面形成至少一层钝化膜层；2)采用激光设备对...
    2026-03-16
  • 基于厚胶工艺的铟柱制备方法及红外焦平面探测器
    基于厚胶工艺的铟柱制备方法及红外焦平面探测器_安徽晶芯科技有限公司_202511847878.3
    本发明公开了一种基于厚胶工艺的铟柱制备方法及红外焦平面探测器，涉及半导体器件制造技术领域；本发明基于胶厚≥12μm的光刻厚胶工艺，采用75~85s的深度显影构建底部高度清洁无残留的光刻图形，为后续的剥离步骤创造出无粘连剥离的先决条件，沉积目...
    2026-03-16
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