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  • 本申请提供了一种散热组件及光纤激光器,散热组件包括散热风扇和导热筋条;散热风扇安装在结构件上;结构件的一端为进风端,结构件的另一端为出风端;散热风扇位于出风端;发热元件靠近出风端设置;导热筋条设置在结构件的表面,导热筋条的长度方向沿着第一方...
  • 本发明公开了一种基于板条结构的大能量内腔受激拉曼激光器,属于激光器技术领域。所述激光器包括泵浦源、泵浦整形系统、混合谐振腔、板条结构的常规激光介质、偏振控制元件、电光调Q元件、受激拉曼后腔镜和板条结构的受激拉曼介质。激光晶体和拉曼晶体均采用...
  • 本发明提出了一种可控高重频倍增光纤激光器及系统,涉及激光器技术领域,包括可调重频锁模种子源、可调重频倍增模块以及重频控制模块,其中,可调重频锁模种子源与可调重频倍增模块连接;可调重频倍增模块用于将可调重频锁模种子源输出的皮秒脉冲光分为多路,...
  • 本发明公开了一种中远红外低噪声超宽带光谱发生装置,包括沿激光光路依次设置的飞秒光纤激光器、单模ZBLAN光纤、单模InF33光纤、第一模场适配器、空芯反谐振光纤、第二模场适配器、全正色散硫系光纤和气室,飞秒光纤激光器用于输出激光脉冲,激光脉...
  • 本发明公开了一种三参量自动重锁稳频单纵模激光器系统,涉及激光锁频、光学精密测量及人工智能技术领域。本发明的技术要点包括:在传统PDH锁频系统中加入三参量伺服控制器,为解决稳频问题,将采集到的两个误差信号输入至三参量伺服控制器进行分析计算:通...
  • 本申请公开了一种单发双脉冲激光放大系统、方法、设备、介质及产品,涉及激光放大技术领域,该方法包括信号发生模块,用于输出同轴双脉冲信号,同轴双脉冲信号包括第一脉冲信号光和第二脉冲信号光;泵浦模块包括第一泵浦激光器和第二泵浦激光器;其中,第一泵...
  • 本申请涉及超快激光技术领域,特别涉及一种产生GHz重复频率飞秒涡旋光束的光参量振荡器,所述光参量振荡器包括:泵浦源,用于产生GHz重复频率的飞秒激光作为泵浦光;泵浦整形模块,用于将泵浦光的光斑整形为椭圆形;谐振腔,用于基于光斑整形为椭圆形后...
  • 本发明公开了一种基于自由空间布里渊激光驱动的太赫兹激光器,涉及太赫兹波段激光器技术领域。该激光器包括第一泵浦源、第一电光调制模块、第一主振荡器功率放大器、第一45°合束镜、第一光隔离器、第一望远镜组件、第一二分之一波片、自由空间布里渊环形腔...
  • 本发明公开了一种高重频微腔光梳重频锁定装置及方法,所述装置包括相位调制器、强度调制器、射频源、功分器、移相器、第一和第二射频放大器、探测器和频谱仪;相位调制器产生泵浦激光的高阶边带,其中一个边带接近微腔光梳的一阶梳齿;强度调制器调制相位调制...
  • 本发明提供了一种激光系统。激光系统具有源激光器(例如,CBC),其耦合到与第二镜装置相对的第一镜装置并且被配置为在第一镜装置与第二镜装置之间生成共振激光束。在一个示例中,系统具有压电装置,该压电装置被配置到第二镜装置并且其特征在于其折射率能...
  • 本发明公开了基于硅电容与锗硅开关的芯粒互联一体化超快激光脉冲发射模块及发射方法,属于超快激光器及高速电子集成技术领域。其包括第一芯粒IC‑Die、第二芯粒Laser‑Die、芯粒间互联结构和系统级封装结构构成集成式激光发射模块。本发明解决了...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,涉及一种半导体激光元件及光发射装置。该元件包括衬底、外延结构、第一膜层、第二膜层、第一电极、第二电极、导热层;衬底具有相对的第一表面和第二表面;外延结构位于第一表面;衬底和外延结构的相对两侧具有出光腔面和非出...
  • 本申请涉及医疗器械领域,尤其涉及一种集成式主动散热激光发射系统,包括A区散热模块和B区供电控制模块;A区散热模块包括:集成式散热平台、蒸发器、冷凝器、与冷凝器连接的压缩机、变频器、以及风扇,集成式散热平台上表面布设有激光驱动模块、以及与激光...
  • 本发明公开了一种混合集成外腔调频连续波激光器,激光器由增益芯片与硅光芯片通过混合集成构成;硅光芯片上集成有片上滤波器件、片上波长锁定器件、片上选频器件以及片上分光器件;片上滤波器件由外腔相位区及微环共振器件组成,微环共振器件为两个或多个周长...
  • 本申请提供的一种多段式波导超对称横向耦合阵列激光器涉及半导体激光器技术领域。该激光器的外延片包括衬底、N限制层、N波导层、有源层、P波导层、P限制层和P接触层,所述的P接触层包括主波导、第一子波导和第二子波导。所述的第一子波导和第二子波导分...
  • 本发明涉及一种具有光场扩展层的半导体激光器及其制备方法,该半导体激光器沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层,其中在N型限制层和N型波导层之间插入组分渐变的N型光场扩展层,在P...
  • 本发明提供一种基于VCSEL的钻井抗干扰通信系统、VCSEL及其制造方法,其制造方法包括以下步骤:基于激光器的外延结构参数,通过本征模展开法与拉盖尔‑高斯模型计算高阶横模的光场强度分布:根据光场强度分布,确定在p‑DBR层表面开始向下进行环...
  • 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法,能够使光的波长稳定且提高效率。半导体激光元件具备:激光区域,使光进行激光振荡;放大区域,对所述光进行放大;有源区域,在所述激光区域以及所述放大区域中延伸;第一防反射膜,设置于所述激光区域的与所述放大...
  • 本公开提供了一种半导体激光器,从下至上依次包括:下层波导结构及上层波导结构;其中,下层波导结构包括有源层(7);上层波导结构包括模式扩展层(11);上层波导结构被刻蚀形成具有不同脊宽的脊形结构,沿激光器的出光方向,脊形结构包括相连的脊宽不变...
  • 本发明涉及激光技术领域,尤其涉及一种半导体激光器及其制备方法,包括从上自下依次层叠的P型电极层、P型覆盖层、P型波导层、有源区层、N型波导层、N型过渡层、N型损耗波导层、N型覆盖层、衬底层和N型电极层;通过在传统的n侧波导下方创造性的增加一...
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