Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法
    集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474389.8
    本申请的实施例公开了集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法。IC器件包括位于衬底中的静态随机存取存储器(SRAM)器件，该SRAM器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)、第二CFET、第三CFET和第四CFET，其中第一互补场...
    2026-02-20
  • 半导体器件
    半导体器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474390.0
    本申请的实施例提供了半导体器件。半导体器件使用互补场效应晶体管。半导体器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)对。第一CFET对包括第一n型晶体管，具有与差分对的第一输入端耦合的第一栅电极。第一CFET对包括第一p型晶体管，具有与差分对的第...
    2026-02-20
  • 集成电路器件及其形成方法
    集成电路器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474395.3
    本申请的实施例公开了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件包括沿第一方向延伸的一对堆叠的有源区结构。集成电路还包括第一开关栅极导体、第一CFET栅极导体、第二CFET栅极导体和第二开关栅极导体，它们与一对堆叠有源区结构相交，并与沿第二方向延...
    2026-02-20
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511768652.4
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用以至少缓解相关技术中第一走线的边缘段上方形成较高台阶的技术问题。显示面板包括衬底以及位于衬底上且依次设置的第一走线、无机绝缘层、第二走线、第一平坦层和第三走线。第一走线包括相互连接的第...
    2026-02-20
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788410.1
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括：阵列基板，包括：第一衬底；栅极驱动电路层，设于第一衬底的非显示区；公共电极转接层，设于第一衬底且位于栅极驱动电路层靠近显示区一侧，包括第一凸起部和第一透明导电层；第一凸起部顶面设有凹槽；在非...
    2026-02-20
  • 一种阵列基板、显示面板和电子装置
    一种阵列基板、显示面板和电子装置_深圳莱宝高科技股份有限公司_202411050771.1
    本发明涉及平板显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板和电子装置，该阵列基板包括衬底、多条扫描线、多条扫描总线、多条数据线、第一绝缘层、第二绝缘层和主动元件，每个像素区域内均设置有一个像素电极，第二绝缘层上开设有通孔，每一行的扫描线通过通...
    2026-02-20
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202511089516.2
    本公开涉及显示装置和电子装置。显示装置包括：基底，包括具有多个发射区域的显示区域和布置在显示区域周围的非显示区域；电路层，设置在基底上；多个发光元件，设置在发射区域中并设置在电路层上，其中，电路层包括：发光像素驱动器，电连接到多个发光元件中...
    2026-02-20
  • 一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路及其制备方法
    一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路及其制备方法_东南大学_202511369856.0
    本发明公布了一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路及其制备方法，本发明利用铁电薄膜晶体管的极化特性，设计了一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路，并优化制备工艺降低退火温度，每一个驱动单元包含一个铁电晶体管和一个普通晶体管，并通过布线连接，...
    2026-02-20
  • 具有正面和背面连接的双单元高度架构
    具有正面和背面连接的双单元高度架构_英特尔公司_202510914477.9
    本文中提供技术以形成具有双高度标准单元布局的集成电路，该布局能够既利用正面连接又利用背面连接。该布局涉及将晶体管中的两个晶体管合并成单个更宽的晶体管，该更宽的晶体管沿着双高度标准单元布局的中线延伸。因此，双高度标准单元布局可包括总共三个晶体...
    2026-02-20
  • 包括背侧布线的集成电路及其设计方法
    包括背侧布线的集成电路及其设计方法_三星电子株式会社_202510994540.4
    示例集成电路包括多个单元，该多个单元位于在第一水平方向上延伸的多个行中。该多个单元包括设置在第一行中的第一单元。第一单元包括在第一水平方向上延伸的第一有源图案和在竖直方向上与第一有源图案重叠并在第一有源图案下方的第一背侧布线层中沿第一水平方...
    2026-02-20
  • 一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法
    一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511424933.8
    本发明公开了一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法，涉及机器人关节驱动控制技术领域。其中的结构包括三个基本单元，每个单元内含两个HEMT器件，通过将第一HEMT器件的源极与第二HEMT器件的漏极互联，构成三相半桥拓扑，其三个输出端...
    2026-02-20
  • 静电防护半导体器件和集成电路
    静电防护半导体器件和集成电路_杰华特微电子股份有限公司_202510031149.4
    公开了一种静电防护半导体器件和集成电路，静电防护半导体器件包括：衬底、漂移区、分布在漂移区的两个端部的第一阱区和第二阱区、间隔分布在第一阱区上部的第一N+注入区和第一P+注入区、间隔分布在第二阱区上部的第二P+注入区和第二N+注入区、位于第...
    2026-02-20
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511949524.X
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有交替设置的钝化接触区以及非钝化接触区；所述非钝化接触区的基底表面具有多个第一凸起结构；隧穿介质层，所述隧穿...
    2026-02-20
  • 一种钝化接触晶硅异质结太阳电池及其制备方法
    一种钝化接触晶硅异质结太阳电池及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511706862.0
    本申请提供了一种钝化接触晶硅异质结太阳电池，可以应用于太阳电池技术领域。该钝化接触晶硅异质结太阳电池：包括依次层叠的第一透明导电层、N型微晶硅氧层、第一本征非晶硅氧钝化层、N型晶体硅、第二本征非晶硅氧钝化层、无掺杂氧化锡空穴传输层和第二透明...
    2026-02-20
  • 光伏组件
    光伏组件_英利能源发展有限公司_202511536799.0
    本申请公开了一种光伏组件，属于太阳能电池技术领域，主要目的是改变漏电路径的延伸方向，延长爬电距离。该光伏组件包括边框、光伏层压组件和爬电结构；光伏层压组件设置在边框内；爬电结构沿光伏层压组件的外周侧面贴合布置并环绕光伏层压组件一周，且爬电结...
    2026-02-20
  • 光伏组件
    光伏组件_英利能源发展有限公司_202511537447.7
    本申请公开了一种光伏组件，属于太阳能电池技术领域，主要目的是改变漏电路径的延伸方向，延长爬电距离。本申请的主要技术方案为：该光伏组件包括边框、光伏层压组件和爬电结构；所述光伏层压组件设置在所述边框内，所述光伏层压组件包括电池片矩阵，所述电池...
    2026-02-20
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_武汉美格能源科技有限公司_202511614139.X
    本发明公开了一种光伏组件及其制备方法，包括S1、预设一个光伏背板，将光伏背板和其它用于制备光伏组件的材料按预设的顺序进行叠层，得到待层压组件；S2、经层压机将待层压组件层压一体成型为光伏组件，并对光伏组件边缘进行切割；S3、预设一个可折叠支...
    2026-02-20
  • 耐火轻质光伏组件及其制备方法
    耐火轻质光伏组件及其制备方法_马鞍山凌众新能科技有限公司_202511669488.1
    本发明涉及一种耐火轻质光伏组件及其制备方法，属于耐火光伏组件技术领域，所述组件上下表面均设有耐温涂层；所述耐温涂层为聚硅氮烷树脂涂层和/或耐高温环氧树脂涂层；电池片；前板，耐温涂层设置在前板上方；封装胶层A，由有机硅胶膜构成，设置于前板与电...
    2026-02-20
  • 接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器
    接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器_希烽光电科技(南京)有限公司_202610007315.1
    本发明公开了一种接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器，包括APD，该APD由正电极层、吸收层、增益层、衬底层和负电极层构成，增益层包括电荷控制区和一个雪崩倍增区，负电极层只包括一个负电极；还包括多个倍增控制区、增加的至少一个雪...
    2026-02-20
  • 一种基于BiVO4/Bi2S3/Co3O4多级界面调控的高性能自供电宽光谱光电探测器及海下光通信应用
    一种基于BiVO4/Bi2S3/Co3O4多级界面调控的高性能自供电宽光谱光电探测器及海下光通信应用_杭州电子科技大学_202610013528.5
    本发明提供一种基于BiVO44/Bi22S33/Co33O44多级界面调控的高性能自供电宽光谱光电探测器及海下光通信应用。通过溶剂热法直接硫化BiVO44的方法得到了界面紧密接触的异质结，然后又在异质结的基础上光沉积的方法修饰Co33O44...
    2026-02-20
首页 上一页 12 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证