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最新专利技术
  • 一种LED植物灯光源封装工艺
    一种LED植物灯光源封装工艺_江苏般若电子工业有限公司_202511236713.2
    本发明涉及灯具封装技术领域，具体为一种LED植物灯光源封装工艺，采用四分区碗杯结构，其中主发光区集成蓝光芯片与梯度量子点层，辅助发光区分别设置红光芯片、红外芯片及深红光芯片，各分区通过非对称碗壁倾角设计实现光路定向引导；有益效果为：构建光谱...
    2026-02-16
  • 电子元件的转移方法与用于转移的装置
    电子元件的转移方法与用于转移的装置_晶元光电股份有限公司_202511056816.0
    本发明公开一种电子元件的转移方法与用于转移的装置，其中电子元件的转移方法包含提供电子元件阵列结构、供给载板以及多个第二电子元件位于供给载板上。其中，电子元件阵列结构包含载板与缺陷群组位于载板上，且缺陷群组具有多个第一电子元件以及空缺。利用电...
    2026-02-16
  • 一种带有保护颗粒的LED器件及制作方法
    一种带有保护颗粒的LED器件及制作方法_广东晶科电子股份有限公司_202511404300.0
    本发明公开了一种带有保护颗粒的LED器件及制作方法，带有保护颗粒的LED器件包括支架、芯片、光转换层、光阻挡层和若干保护颗粒，芯片固定在支架上表面并通过金属连接线电性连接，光转换层覆盖在芯片外表面，光转换层中包含光转换材料，光阻挡层覆盖在光...
    2026-02-16
  • LED灯丝、LED灯丝灯及其控制方法
    LED灯丝、LED灯丝灯及其控制方法_鸿利智汇集团股份有限公司_202511570199.6
    本发明涉及照明技术领域，公开了一种LED灯丝、LED灯丝灯及其控制方法，包括有两个电极的基板，基板上两面分别设置第一混光组和第二混光组，第一混光组包括两个LED芯片，第二混光组包括两个LED芯片，各LED之上分别设置光激发层，再通体包裹扩散...
    2026-02-16
  • 红光匀谱暗黑天空低耗LED光源及其封装工艺
    红光匀谱暗黑天空低耗LED光源及其封装工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511613203.2
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种红光匀谱暗黑天空低耗LED光源及其封装工艺，包括碗杯式支架、支架碗杯及N个LED晶片，N个LED晶片采用多串方式电路布置，支架碗杯四周涂覆有白胶层，支架碗杯内涂覆有覆盖于各LED晶片上的荧光胶层，荧光胶...
    2026-02-16
  • 基于630nm/660nm单红光调控低光污染户外LED光源及其封装工艺
    基于630nm/660nm单红光调控低光污染户外LED光源及其封装工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511613204.7
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种基于630nm/660nm单红光调控低光污染户外LED光源及其封装工艺，包括碗杯式支架、支架碗杯及N个LED晶片，N个LED晶片采用多串方式电路布置，支架碗杯四周涂覆有TiO22白胶层，支架碗杯内涂覆有...
    2026-02-16
  • 适配暗黑天空的高显色低光污染户外LED光源及其封装工艺
    适配暗黑天空的高显色低光污染户外LED光源及其封装工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511613205.1
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种适配暗黑天空的高显色低光污染户外LED光源及其封装工艺，包括碗杯式支架、支架碗杯及N个LED晶片，N个LED晶片采用多串方式电路布置，支架碗杯四周涂覆有TiO22白胶层，支架碗杯内涂覆有覆盖于各LED晶...
    2026-02-16
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411009647.0
    本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，包括：背板；挡墙结构，设置在所述背板的一侧，所述挡墙结构包括交叉排列的多个挡墙，以使所述挡墙结构在所述背板上形成多个网格；发光层，设置在所述背板的一侧，所述发光层包括多个发光单元，所述发光...
    2026-02-16
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510886761.X
    根据本说明书的实施方式的显示装置包括：基板，所述基板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；位于非显示区域中的环回线；以及位于非显示区域中的焊盘连接线，其中焊盘连接线所具有的长度与环回线的长度不同。
    2026-02-16
  • 一种发光芯片及其制备方法
    一种发光芯片及其制备方法_烟雨半导体(湖州)有限公司_202511591423.X
    本发明公开了一种发光芯片及其制备方法，发光芯片包括：外延连接层，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括多个间隔设置的外延选择区；至少一个像素单元，位于外延连接层的第一表面；其中，像素单元包括多个子像素，每一子像素对应位于一外延...
    2026-02-16
  • Micro-LED显示芯片及其制备方法
    Micro-LED显示芯片及其制备方法_镭昱光电科技(苏州)有限公司_202512035493.3
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开一种Micro‑LED显示芯片及其制备方法。Micro‑LED显示芯片包括基板、多个LED发光单元、平坦化层和导电反射墙。LED发光单元包括第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层，至少第一掺杂型半导...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构及制备方法
    一种半导体结构及制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511525951.5
    本申请实施例提供一种半导体结构及制备方法，半导体结构包括衬底、半导体层、功函数层、栅极导电层、源极导电层、漏极导电层和接触金属，其中，半导体层和功函数层叠置于衬底上，功函数层包裹半导体层，栅极导电层叠置于功函数层远离衬底一侧，接触金属分别间...
    2026-02-16
  • 一种基于三相可重构型超分子液晶的神经形态器件及其制备方法与应用
    一种基于三相可重构型超分子液晶的神经形态器件及其制备方法与应用_苏州科技大学_202511602490.7
    本发明公开了一种基于三相反构型超分子液晶的神经形态器件及其制备方法与应用，该器件依次包括底电极层、三相反构型SLC功能层和顶电极层，其中，所述三相反构型SLC功能层可通过热驱动实现超晶格相(SL)、层状四重相(LQ)与各向同性相(ISO)的...
    2026-02-16
  • 一种2D/3D异质结钙钛矿结构及其制备方法、2D/3D异质结钙钛矿太阳能电池
    一种2D/3D异质结钙钛矿结构及其制备方法、2D/3D异质结钙钛矿太阳能电池_国网甘肃省电力公司电力科学研究院_202511809538.1
    针对现有的2D/3D异质结因界面突变导致的缺陷密度高、能量势垒大的问题，本申请提供一种2D/3D异质结钙钛矿结构及其制备方法、2D/3D异质结钙钛矿太阳能电池；2D/3D异质结钙钛矿结构，包括3D钙钛矿吸光层和2D钙钛矿界面层，所述3D钙钛...
    2026-02-16
  • 一种可见-近红外有机光电探测器及其制备方法
    一种可见-近红外有机光电探测器及其制备方法_西安近代化学研究所_202511398254.8
    本发明公开了一种可见‑近红外有机光电探测器及其制备方法，包括由下到上依次层叠排列的基底、电极、电荷传输层、光活性层、电荷传输层和半透明金属电极；所述的光活性层中的电子受体材料为拉电子单元‑共轭单元1‑给电子单元‑共轭单元2‑拉电子单元(A‑...
    2026-02-16
  • 一种功能化甲脒盐处理的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种功能化甲脒盐处理的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_山东大学_202411029749.9
    本发明公开了一种功能化甲脒盐处理的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明太阳能电池包括从下至上依次排列的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿活性层、钙钛矿修饰层、空穴传输层以及金属对电极；所述的钙钛矿吸光层材料为碘化铅甲脒钙钛矿；所述的钙钛矿修饰...
    2026-02-16
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件、发电装置、用电装置
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件、发电装置、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411034917.3
    本申请提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件、发电装置、用电装置，钙钛矿太阳能电池包括依次层叠有导电基底、第一传输层、钙钛矿吸光层、第二传输层以及电极层，第一传输层为电子传输层或空穴传输层中的一种、第二传输层为电子传输层或空...
    2026-02-16
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法、钙钛矿薄膜、光伏组件、用电装置和发电装置
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法、钙钛矿薄膜、光伏组件、用电装置和发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411035103.1
    本申请提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、钙钛矿薄膜、光伏组件、用电装置和发电装置，该钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜至少一个表面具有裂纹，所述钙钛矿薄膜的厚度记为H1，所述裂纹沿所述钙钛矿薄膜的厚度方向的平均深度记为H2...
    2026-02-16
  • 一种有机半导体单晶在光电导型X射线直接探测器中的应用
    一种有机半导体单晶在光电导型X射线直接探测器中的应用_天津大学_202511447365.3
    本发明公开了一种有机半导体单晶在光电导型X射线直接探测器中的应用，有机半导体单晶为9, 10‑二苯基蒽。本发明的光电导型X射线直接探测器具有9720μC Gy‑1‑1cm‑2‑2的灵敏度，29.14nGy/s的检测极限。其中，有机半导体单晶...
    2026-02-16
  • 紫外至中波红外宽光谱的探测器及制备方法
    紫外至中波红外宽光谱的探测器及制备方法_北京理工大学_202511526241.4
    公开了紫外至中波红外宽光谱的探测器及制备方法。这种紫外至中波红外宽光谱的探测器，在蓝宝石基底上依次为：二氧化锡层、甲胺铅碘层、近红外波段探测碲化汞量子点、中红外波段探测碲化汞量子点、三氧化钼层、银电极层。能够实现对紫外‑可见‑近红外‑中波红...
    2026-02-16
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