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最新专利技术
  • 一种晶圆夹具以及测试设备
    一种晶圆夹具以及测试设备_东莞市兆丰精密仪器有限公司_202511531909.4
    本发明公开了一种晶圆夹具，包括限位挡板和夹具本体，两个限位挡板相互垂直设置形成L型的定位结构，夹具本体的侧壁分别与两个限位挡板连接，夹具本体上开设有若干个沿第一圆周分布的第一负压孔，夹具本体上开设有环形安装槽，环形安装槽内开设有若干个沿第二...
    2026-02-04
  • 一种基于智能制造的集成电路生产系统
    一种基于智能制造的集成电路生产系统_木鱼星河技术创新(广东)有限公司_202511575118.1
    本发明提供了一种基于智能制造的集成电路生产系统，与现有技术比较，本发明的集成电路生产系统包括对集成电路的电路板进行适应夹持固定的夹持机构、对所述夹持机构夹持固定的电路板进行切割处理以获得预设规格的目标电路板的切割模块、和将切割获得的目标电路...
    2026-02-04
  • 一种芯片吸附设备、芯片测试系统及控制方法
    一种芯片吸附设备、芯片测试系统及控制方法_苏州联讯仪器股份有限公司_202511584537.1
    本申请涉及一种芯片吸附设备、芯片测试系统及控制方法，该芯片吸附设备包括载具和真空发生系统。载具表面开设有多个用于放置芯片的气孔，载具内设置有多个第一真空通道和多个第二真空通道，每个第一真空通道对应多个气孔并与对应的气孔连通，每个第二真空通道...
    2026-02-04
  • 一种太阳电池IV测试校准方法、装置、终端及介质
    一种太阳电池IV测试校准方法、装置、终端及介质_中山大学_202410997239.4
    本申请公开了一种太阳电池IV测试校准方法、装置、终端及介质，针对已知确定尺寸和主栅数目的太阳电池样本，改变样本的细栅数目或线电阻，获得样本的多个变体，计算不同变体的集总电阻，测试不同变体在特定少探针排配置和全探针排配置下对应的电阻数值并计算...
    2026-02-04
  • 一种芯片局部去层方法
    一种芯片局部去层方法_苏试宜特(上海)检测技术股份有限公司_202511481331.6
    本发明提供一种芯片局部去层方法，包括：芯片开盖后表层金属层下方相邻非导电层；表层金属层对应的测试焊盘区域填充保护层，显露待去除区域；去除待去除区域的表层金属层，显露出待去除区域的表层金属层下的下方结构层；清除保护层，用测试焊盘对芯片电性故障...
    2026-02-04
  • 一种晶圆检测装置的晶圆高度调节方法与相关产品
    一种晶圆检测装置的晶圆高度调节方法与相关产品_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511544904.5
    本发明提供了一种晶圆检测装置的晶圆高度调节方法与相关产品。其中晶圆检测装置包括工作台、电子枪和与电子枪保持相对位置不变的电容传感器，工作台配置成支撑和移动晶圆，电容传感器用于测量获取电容传感器与晶圆的上表面之间的距离。高度调节方法包括：确认...
    2026-02-04
  • 一种32sites平移式CIS芯片分选机布局
    一种32sites平移式CIS芯片分选机布局_上海梓一测控技术有限公司_202511776845.4
    本发明涉及CIS芯片分选机技术领域，具体涉及一种32sites平移式CIS芯片分选机布局，包括操作台，所述操作台中部设有P&P组件，所述P&P组件将操作台分隔为前后两侧，所述P&P组件一端设有上料输送模组，所述上料输送模组穿过P&P组件位于...
    2026-02-04
  • 一种晶圆的真空检测设备
    一种晶圆的真空检测设备_盖泽精密科技(苏州)有限公司_202511791451.6
    本发明提供一种晶圆的真空检测设备，包括真空腔一、真空腔二、真空阀门组一，真空腔一内设有载台一，载台一用于上下料中转，包括多个上下层叠设置的支撑台，支撑台用于放置晶圆；真空阀门组一设于真空腔一与真空腔二之间，用于连通或者隔离真空腔一与真空腔二...
    2026-02-04
  • 在沉积腔室制造期间的微粒物的实时检测
    在沉积腔室制造期间的微粒物的实时检测_应用材料公司_202511356008.6
    公开了在沉积腔室制造期间的微粒物的实时检测。公开的实施方式描述了一种系统，该系统包括：沉积腔室；产生入射光束的光源，其中该入射光束用于照射沉积腔室的区域；和相机，收集源自沉积腔室的照射区域的散射光，其中当第一入射光束与沉积腔室的照射区域内的...
    2026-02-04
  • 新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置
    新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置_昆山芯信安电子科技有限公司_202511470910.0
    本申请提供新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置，涉及芯片质量检测领域。新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置包括：震动盘机构、引导下滑输送通道、单品输送翻面机构、六面视觉检测机构和分选芯片输送机构。新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置能...
    2026-02-04
  • 硅晶体表面膜层的硅氢键测试方法
    硅晶体表面膜层的硅氢键测试方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511516512.8
    本申请涉及一种硅晶体表面膜层的硅氢键测试方法，包括：提供傅里叶红外测试仪；提供待测样品，将待测样品加工成多个待测单元；全部待测单元沿其厚度方向上依次堆叠在一起；使得傅里叶红外测试仪的干涉光从堆叠在一起的多个待测单元的外周面入射，干涉光穿过待...
    2026-02-04
  • 半导体沟槽形貌检测方法
    半导体沟槽形貌检测方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511576710.3
    本申请涉及一种半导体沟槽形貌检测方法，包括：提供待测半导体结构，待测半导体结构包括第一导电类型的第一半导体材料层和从第一半导体材料层的上表面延伸至第一半导体材料层内部的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽在同一工序中采用相同的掩膜版图形和...
    2026-02-04
  • 半导体用光导管的故障诊断方法、系统、检测装置、计算机设备及介质
    半导体用光导管的故障诊断方法、系统、检测装置、计算机设备及介质_上海车仪田科技有限公司_202511961396.0
    本申请提供了一种半导体用光导管的故障诊断方法、系统、检测装置、计算机设备及介质，本申请联合解析第一检测数据和第二检测数据；根据解析结果生成相应的故障诊断结果及维护策略，使工程师能够区分不同故障的紧急状态，不仅可以提前发现光导管污染、机械松动...
    2026-02-04
  • 一种工艺终点的检测方法及半导体设备
    一种工艺终点的检测方法及半导体设备_上海车仪田科技有限公司_202511983433.8
    本申请涉及一种工艺终点的检测方法及半导体设备，检测方法包括，向吸收池内吹扫惰性气体，采集惰性气体的惰性气体干涉图得到初始背景光谱，将初始背景光谱作为基准背景光谱；停止惰性气体的吹扫，将半导体设备的尾气排放管路中的待检测气体通入吸收池，采集待...
    2026-02-04
  • 一种碳化硅激活退火设备及工艺方法
    一种碳化硅激活退火设备及工艺方法_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511413040.3
    本发明公开了一种碳化硅激活退火设备及工艺方法，包括相互配合连接的装载系统、炉体系统、加热温控系统、供气系统、真空系统、冷却系统以及控制系统，所述供气系统包括Ar控制气路、N22控制气路和烷烃控制气路，待处理的碳化硅晶圆传送至炉体系统中，当碳...
    2026-02-04
  • 一种复合薄膜及其制备方法
    一种复合薄膜及其制备方法_济南晶正电子科技有限公司_202511550799.6
    本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种复合薄膜及其制备方法，包括以下步骤：准备衬底和薄膜晶圆，二者的键合面包括内部区域和边缘区域；对薄膜晶圆进行离子注入，得到自键合面起依次层叠薄膜层、分离层和余质层的离子注入片；对衬底和/或离子注入片的键合...
    2026-02-04
  • SOI结构及其形成方法
    SOI结构及其形成方法_上海新傲科技股份有限公司_202511286898.8
    本发明涉及一种SOI结构及其形成方法。所述SOI结构的形成方法包括如下步骤：形成两片边缘具有梯形倒角的晶圆；于至少一片所述晶圆的表面形成氧化层；键合两片所述晶圆，形成包括两片所述晶圆以及夹设于两片所述晶圆之间的所述氧化层的SOI结构。本发明...
    2026-02-04
  • 具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法
    具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法_上海新傲科技股份有限公司_202511320318.2
    本发明涉及一种具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法。所述具有不连续顶层硅的SOI结构的形成方法包括如下步骤：形成顶部结构，顶部结构包括硅本体以及凸出设置在硅本体的表面上的多个硅柱，硅本体包括沿第一方向相对分布的正面和背面，多个硅柱在硅本...
    2026-02-04
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410998753.X
    本发明提供一种半导体结构的制作方法，其将光阻层的图形转移至硬掩膜层中的刻蚀过程包括依次进行的主刻蚀阶段、第一过刻蚀阶段与第二过刻蚀阶段，第二过刻蚀阶段包括干法刻蚀衬底第二预设时间以在硬掩膜层开口的侧壁与衬底上表面之间的交界区域形成具有第一预...
    2026-02-04
  • 浅沟槽隔离结构的形成方法
    浅沟槽隔离结构的形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511422090.8
    本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，属于半导体技术领域，该浅沟槽隔离结构的形成方法，包括在衬底上形成第一停止层，刻蚀第一停止层和部分衬底，形成沟槽；在沟槽内和第一停止层上沉积绝缘材料，在绝缘材料上依次沉积第二停止层和牺牲层，且绝缘材料...
    2026-02-04
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