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最新专利技术
  • 一种带非对称凸出电极的径向振动压电变压器及其制备方法
    一种带非对称凸出电极的径向振动压电变压器及其制备方法_北京聚才新创科技有限公司_202511536969.5
    本发明涉及压电变压器技术领域，具体为一种带非对称凸出电极的径向振动压电变压器及其制备方法，该压电变压器初、次级可以是同种或两种不同介电常数的压电陶瓷材料交替层叠，初、次级之间无隔离片或有隔离片；智能温控层，设置在变压器外层，包含热敏相变材料...
    2026-02-09
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411088214.9
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torqu...
    2026-02-09
  • γ射线诱导增强Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜磁性的方法
    γ射线诱导增强Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜磁性的方法_北方工业大学_202511558133.5
    本发明属于稀磁半导体薄膜技术领域，具体公开了γ射线诱导增强Y掺杂HfO22稀磁半导体薄膜磁性的方法，包括如下步骤：S1、将Y掺杂HfO22的靶材放置在射频装置，将111取向的YSZ衬底固定在射频装置的表盘中心位置，使靶材与衬底相对应；S2、...
    2026-02-09
  • 半导体结构的布局图案以及其形成方法
    半导体结构的布局图案以及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411083359.X
    本发明公开一种半导体结构的布局图案以及其形成方法，其中半导体结构的布局图案包含多个SOT(Spin‑Orbit Torque，自旋轨道转矩)层，排列成阵列并且位于一介电层上，其中每一个SOT层下方连接两个接触插塞结构，多个MTJ(magne...
    2026-02-09
  • 一种基于环形自由层的线性TMR传感器
    一种基于环形自由层的线性TMR传感器_广西电网有限责任公司电力科学研究院_202511395818.2
    本发明提供了一种基于环形自由层TMR传感器。属于传感器技术领域，包括参考层、势垒层与环形自由层构成，通过构建拓扑约束的环形磁畴结构，实现自由层磁矩在外磁场作用下的可控偏转，与参考层形成精确的相对取向，从而提升磁性隧道结(MTJ)的线性响应性...
    2026-02-09
  • 元器件制备方法、系统、芯片产品及设备
    元器件制备方法、系统、芯片产品及设备_腾讯科技(深圳)有限公司_202410987085.0
    本申请公开了一种元器件制备方法、系统、芯片产品及设备，涉及微纳加工技术领域。所述方法包括：刻蚀基底表面的第一区域，形成带有凹槽的基底，凹槽的底部具有凸起部分；采用第一溶液腐蚀凸起部分，得到带有整平处理后凹槽的基底；在带有整平处理后凹槽的基底...
    2026-02-09
  • 一种低温超导量子电压芯片及其制备方法
    一种低温超导量子电压芯片及其制备方法_广东电网有限责任公司_202511519144.2
    本发明公开了一种低温超导量子电压芯片及其制备方法，属于电子器件技术领域，上述方法为：在衬底的表面制备第一层低温超导薄膜；随后对第一层低温超导薄膜进行光刻以及显影操作，得到含有约瑟夫森结以及微波传输线的第一量子芯片；然后按预设孔径以及预设孔距...
    2026-02-09
  • 约瑟夫森探针的工作温度控制方法及调控Nb膜厚度的方法
    约瑟夫森探针的工作温度控制方法及调控Nb膜厚度的方法_南京大学_202511946954.6
    本发明公开一种约瑟夫森探针的工作温度控制方法及调控Nb膜厚度的方法，通过调控膜厚参数，控制探针的工作温度，将Nb基探针工作温度提升至7.2 K，创下同类探针最高纪录。本发明的调控Nb膜厚度的方法，选用四槽石英管作为基底，经超声清洗后，采用激...
    2026-02-09
  • 基于忆阻器镜像堆叠的异或门逻辑器件及制备、使用方法
    基于忆阻器镜像堆叠的异或门逻辑器件及制备、使用方法_华东师范大学_202511423397.X
    基于忆阻器镜像堆叠的异或门逻辑器件及制备、使用方法，所述异或门逻辑器件采用TiN、HfO₂、Pt、HfO₂、TiN五层结构，其中TiN顶层为顶电极，TiN底层为底电极，Pt层为Pt中间电极，三层电极之间有两层HfO₂阻变层，等效集成四个RR...
    2026-02-09
  • 一种基于通孔垂直结构的氧化物忆阻器射频开关及其制备方法
    一种基于通孔垂直结构的氧化物忆阻器射频开关及其制备方法_南京邮电大学_202511489214.4
    本发明公开了一种基于通孔垂直结构的氧化物忆阻器射频开关及其制备方法，射频开关以硅基晶片为载体，以金属铂作为通孔材料，以金属铝铜和金属银作为射频开关器件的电极层，以二硫化钼和氧化物(氧化锌、氧化钛、氧化铪)作为阻变材料，包括从下至上依次设置的...
    2026-02-09
  • 一种九端子的电容器
    一种九端子的电容器_上海芯波电子科技有限公司_202410573106.4
    本发明公开了一种九端子的电容器，涉及电容器技术领域；其包括依次固定连接的硅基底Si‑Sub、第一互连层metal1、第二互连层metal2和电极端子，硅基底Si‑Sub内的沟槽Trench包括第一电容C1和第二电容C2，电极端子包括第一至第...
    2026-02-09
  • 半导体集成电路的电容结构
    半导体集成电路的电容结构_瑞昱半导体股份有限公司_202410967636.7
    一种半导体集成电路的电容结构，形成于不能转向与能转向金属层。该电容结构包含：一第一电容电极布局单位，位于该不能转向金属层，其中该第一电容电极布局单位的所有金属走线平行于一第一方向；一第二电容电极布局单位，位于该能转向金属层，其中该第二电容电...
    2026-02-09
  • 半导体器件及其制造方法和电子装置
    半导体器件及其制造方法和电子装置_润芯感知科技(南昌)有限公司_202410968826.0
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，半导体器件的制造方法包括：提供第一基底和第二基底，所述第一基底的第一表面与所述第二基底的第二表面相对设置且两者之间具有一预定间隙宽度；对所述第一基底的第一表面进行轰击，以使所产生的溅射粒子在所...
    2026-02-09
  • 硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备
    硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511278998.6
    本申请提供一种硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备。该硅光芯片结构的制备方法，包括：提供半导体晶圆；所述半导体晶圆具有相背的第一表面和第二表面；对所述半导体晶圆的第一表面进行处理，以形成半导体器件层；从所述半导体晶圆的第二表面对所...
    2026-02-09
  • 一种基于MXene中间层的蓝宝石键合方法、异质晶圆及其应用
    一种基于MXene中间层的蓝宝石键合方法、异质晶圆及其应用_北京晨晶电子有限公司_202511365532.X
    本发明提供一种基于MXene中间层的蓝宝石键合方法、异质晶圆及其应用，尤其涉及半导体材料技术领域。本发明的基于MXene中间层的蓝宝石键合方法，以MXene二维材料作为键合中间层，所述键合中间层厚度为1~10nm。本发明的蓝宝石键合方法通过...
    2026-02-09
  • 键合波的测控方法和装置
    键合波的测控方法和装置_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511681397.X
    本发明公开了键合波的测控方法和装置，实现对键合波位置的精准控制，使键合波均匀扩散，提升键合质量。方法包括：卡盘在所有方向上的邻近晶圆中心的第一测距传感器为起始点，先释放第一测距传感器处的真空；在键合波扩散过程中，对各方向上的当前测距传感器到...
    2026-02-09
  • 一种晶圆键合装置及键合方法、一种介质
    一种晶圆键合装置及键合方法、一种介质_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511713900.5
    本发明涉及了一种晶圆键合装置及键合方法。该键合装置包括第一卡盘、第二卡盘、相机和处理器。该第一卡盘用于吸附待键合的第一晶圆的背面。该第二卡盘在红外波段透明，并包括真空吸附部及多个距离传感器，其中，真空吸附部用于真空吸附待键合的第二晶圆的背面...
    2026-02-09
  • 一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法
    一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法_浙江金瑞泓科技股份有限公司_202511383083.1
    本发明涉及一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法，包括硅衬底(1)、缓冲层(2)和外延层(3)，所述的硅衬底(1)上依次生长有缓冲层(2)和外延层(3)；所述的硅衬底(1)的电阻率在0.0009ohm﹒cm至0.05ohm...
    2026-02-09
  • 复合衬底及复合衬底的制备方法
    复合衬底及复合衬底的制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511948619.X
    本申请实施例提供一种复合衬底及复合衬底的制备方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决相关技术中由3C‑SiC衬底与4H‑SiC衬底键合形成的复合衬底键合界面电阻较大的技术问题；该复合衬底包括：3C‑SiC层和4H‑SiC层，4H‑SiC层包括...
    2026-02-09
  • 一种复合衬底及其制备方法
    一种复合衬底及其制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511948622.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种复合衬底及其制备方法。复合衬底包括4H‑SiC基板，4H‑SiC基板的碳面形成有第一热氧化层。3C‑SiC基板，3C‑SiC基板的表面形成有第二热氧化层。第一热氧化层与第二热氧化层融合形成键合层，以使4H...
    2026-02-09
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