Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种单玻光伏组件的制备方法及光伏组件
    一种单玻光伏组件的制备方法及光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511407292.5
    本发明涉及一种单玻光伏组件的制备方法及单玻光伏组件，方法包括以下步骤：制备预层压件：依次层叠前盖板、前封装胶膜、电池串、后封装胶膜；加工背板；将背板与预层压件的后封装胶膜层叠进行层压得到层压件；将层压件装边框处理得到单玻光伏组件；加工背板包...
    2026-04-28
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511612693.4
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：正对设置的前板以及背板、电池串、封装胶膜以及应力缓冲部，电池串包括多个电连接的电池片，且电池串位于前板以及背板之间；封装胶膜位于前板以及背板之间，且覆盖电池串的表面；应力缓冲部位于前板朝向电...
    2026-04-28
  • 光伏组件和光伏组件的制造方法
    光伏组件和光伏组件的制造方法_天合光能股份有限公司_202511640550.4
    本申请实施例提供一种光伏组件和光伏组件的制造方法。其中，光伏组件包括：电池串层，电池串层的一侧设有用于与外部接线盒连接的至少两根汇流条；第一封装层，第一封装层设置于电池串层面向至少两根汇流条的一侧；第一封装层包括用于汇流条穿过的第一开口；第...
    2026-04-28
  • 光伏幕墙组件以及光伏幕墙组件的制备方法
    光伏幕墙组件以及光伏幕墙组件的制备方法_宁德时代新能源科技股份有限公司_202511914333.X
    本申请涉及一种光伏幕墙组件以及光伏幕墙组件的制备方法。光伏幕墙组件包括第一玻璃层、第一胶膜层、第二玻璃层、第一电池层、第二胶膜层以及第二电池层。第一胶膜层位于第一玻璃层的背光面一侧；第二玻璃层位于第一胶膜层背离第一玻璃层的一侧；第一电池层位...
    2026-04-28
  • 背接触光伏组件
    背接触光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511499958.4
    本公开涉及光伏领域，提供一种背接触光伏组件，背接触光伏组件包括：多个电池串，电池串包括相对设置的首端和尾端，电池串包括设置在尾端的第一电池片以及与第一电池片连接的第二电池片；第一焊带，第一焊带沿第一方向延伸，并电连接第一电池片和第二电池片；...
    2026-04-28
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晋能清洁能源科技股份公司_202511918145.4
    本发明涉及光伏技术领域，具体是一种光伏组件，包括：第一电池串组，所述第一电池串组由四条第一电池串并联组成，所述第一电池串由多个电池片串联组成；第二电池串组，所述第二电池串组由四条第二电池串并联组成，所述第二电池串由多个电池片串联组成；所述第...
    2026-04-28
  • 基于混合二维WSe2/CuInS2量子点异质结的光电探测器及其制备方法
    基于混合二维WSe2/CuInS2量子点异质结的光电探测器及其制备方法_南京理工大学_202511800316.3
    本发明公开了一种基于混合二维WSe22/CuInS22量子点异质结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器自下而上包括衬底、二维WSe22纳米片、CuInS22量子点层以及源漏电极，且CuInS22量子点均匀涂覆于WSe22表面。本发明充分...
    2026-04-28
  • 一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法
    一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511639656.2
    本发明公开一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法，具体包括以下步骤：S1：将待需要的石墨烯转移到第一基底表面，形成第一样品；S2：首先在第一样品上制作第一电极阵列和第二电极阵列，然后在第一电极阵列之间构建第一石墨烯条带窗口...
    2026-04-28
  • 一种Ga2O3基线偏振日盲探测器和偏光计
    一种Ga2O3基线偏振日盲探测器和偏光计_东北师范大学_202511433365.8
    本发明公开了一种Ga22O33基线偏振日盲探测器和偏光计，Ga22O33基线偏振日盲探测器主要包括：Si/SiO22或另一PDMS衬底、基于传统机械剥离法制备的β‑Ga22O33薄膜、利用电子束光刻或热蒸发的方法制备的双叉指金电极。上述的S...
    2026-04-28
  • 一种柔性二维光电器件及其制备方法
    一种柔性二维光电器件及其制备方法_浙江工业大学_202511398965.5
    一种柔性二维光电器件，包括PET柔性基底以及设置于所述PET基底上的银电极，所述银电极具有预定间隙，覆盖所述电极间隙的In22Se33/WS22异质结结构。以及提供一种柔性二维光电器件的制备方法，包括以下步骤：S1、柔性基底预处理与电极制备...
    2026-04-28
  • 零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及应用
    零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511497524.0
    本发明公开了一种零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及其应用。该方法首先通过设计HEMT器件结构，并调整器件参数，使跨导峰值电压控制在0±50 mV范围内。与传统方法相比，本发明通过直接调控器件参数(如势垒层厚度、沟道层成分比例)，即可...
    2026-04-28
  • 图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器
    图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410936340.9
    本发明提供一种图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器，所述像素结构包括：形成于第一衬底上的光电转换二极管、电荷转移闸门晶体管与浮动扩散缓存，以及形成于第二衬底上的第一存储电容控制晶体管、第二存储电容控制晶体管、第一源跟随器晶体管与行选...
    2026-04-28
  • 图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器
    图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410936342.8
    本发明提供一种图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器，所述像素结构包括：形成于第一衬底上的光电转换二极管、电荷转移闸门晶体管与浮动扩散缓存，以及形成于第二衬底上的源跟随器晶体管、行选择器晶体管与复位晶体管，且位于不同衬底上的晶体管通过互...
    2026-04-28
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511364977.6
    在一些实施例中，本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有器件区域的衬底，器件区域具有一个或多个半导体器件。衬底具有沿器件区域的相对侧在衬底内形成一个或多个沟槽的一个或多个内表面。多层膜堆叠件沿衬底的一个或多个内表面设置。芯材料布置在一个或...
    2026-04-28
  • 硅通孔的无掩膜刻蚀方法
    硅通孔的无掩膜刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406365.9
    本发明提供一种硅通孔的无掩膜刻蚀方法。该方法包括：采用第一连续射频波等离子体刻蚀工艺对第一介质层进行刻蚀；采用脉冲等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行刻蚀；以及采用第二连续射频波等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行进一步刻蚀。其中，脉冲等离子体刻蚀...
    2026-04-28
  • 一种像素单元、像素阵列及其探测系统
    一种像素单元、像素阵列及其探测系统_西安交通大学医学院第一附属医院_202511459208.4
    本发明公开了一种像素单元、像素阵列及其探测系统，属于半导体技术领域通过大面积的第二SPAD器件确保对弱光信号的高灵敏度捕捉，同时通过小面积的第一SPAD器件应对强光场景，避免信号饱和，最终通过两者的计数结果协同，实现对不同光强场景下被摄体强...
    2026-04-28
  • 一种用于预测密封环剥离缺陷的方法
    一种用于预测密封环剥离缺陷的方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511894676.4
    一种用于预测密封环剥离缺陷的方法，该方法包括：提供已完成前段工艺且形成有密封环的晶圆；对所述晶圆进行至少一次退火处理，并在每次所述退火处理后对所述密封环执行缺陷检测；基于所述缺陷检测的检测结果评估所述晶圆在后续背照式工艺中发生密封环剥离缺陷...
    2026-04-28
  • 基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及方法
    基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及方法_北京理工大学_202511526444.3
    公开了基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及其制备方法、工作方法，能够实现短波与中波红外的双波段响应和图像融合能力，实现光谱响应中心波长在1.85–3.86μm范围内的可调谐性。通过在器件结构中引入法布里–珀罗谐振腔，不仅提升了光收集效...
    2026-04-28
  • 一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法
    一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511224811.4
    一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法，所述一种红外焦平面阵列芯片组件，铟柱均匀分布于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间，所述填充胶采用真空灌注于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间；所述背减薄抛光制备方法包括倒装互连、环氧胶填充固化、石英...
    2026-04-28
  • 锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法
    锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511370439.8
    锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法，涉及红外焦平面探测器制备技术领域，包括红外焦平面芯片、硅读出电路、金属电极层、铟柱、环氧树脂胶和介质保护膜，红外焦平面芯片、硅读出电路与多根铟柱通过环氧树脂胶粘接在一起，形成焦平面阵列组件，...
    2026-04-28
首页 上一页 12 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证