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最新专利技术
  • 源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维集成电路，以及它们的制备方法
    源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维集成电路，以及它们的制备方法_北京理工大学_202511460502.7
    传统的垂直型GAA(VGAA)MOSFET由于自下而上的半导体工艺，导致VGAA MOSFET的源漏极不对称，限制了其在集成电路中的应用。本发明提出了一种源漏极对称的VGAA MOSFET的新结构及其三维集成电路、以及它们的制备方法，有望构...
    2026-04-28
  • 半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202410865884.0
    本申请的实施例提供了一种半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于减少晶体管器件和贯穿触点短接的现象。该半导体器件包括：衬底、多个晶体管单元、接触部和隔离层。多个晶体管单元设置于衬底上。接触部设置于衬底上，至少部分接...
    2026-04-28
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510260893.1
    一种半导体器件包括在第一方向上延伸的第一鳍图案、在第一鳍图案上的源极/漏极图案、在第二方向上延伸的栅电极、与第一鳍图案接触的绝缘结构、在第三方向上与绝缘结构重叠的下导电图案和上导电图案、以及延伸穿过绝缘结构并且电连接下导电图案和上导电图案的...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390092.3
    提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括：隔离区域；第一介电层，位于隔离区域上方；第二介电层，位于第一介电层上方；第一源极/漏极区域，位于第二介电层中；第一纳米结构，位于第一源极/漏极区域的侧壁上；第一栅电极，位于第一纳米结构周围；...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390096.1
    半导体器件，包括：第一衬底；第一鳍，突出在第一衬底之上；第一纳米结构，位于第一鳍上方；第一栅极结构，位于第一纳米结构周围；第一源极/漏极区域，与第一栅极结构相邻并且接触第一纳米结构的第一子集；第一介电结构，位于第一源极/漏极区域和第一鳍之间...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390107.6
    半导体器件包括：有源栅极结构，设置在衬底上方；第一源极/漏极部件，设置在有源栅极结构的两个相对侧处；介电栅极结构，设置在衬底上方，介电栅极结构和有源栅极结构沿着垂直于衬底的垂直方向彼此堆叠；以及第二源极/漏极部件，设置在介电栅极结构的两个相...
    2026-04-28
  • 晶体管器件及其形成方法
    晶体管器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511394635.9
    提供了沟道隔离结构及其形成方法。一种器件包括：多层堆叠件，包括：第一多个纳米结构；第二多个纳米结构，位于第一多个纳米结构上方；以及第一沟道隔离结构。该器件还包括：第一源极/漏极区，位于第一多个纳米结构的相对端上；第二源极/漏极区，位于第一源...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401206.X
    半导体器件包括：多个第一纳米结构，在第一源极/漏极区域之间延伸；以及多个第二纳米结构，与多个第一纳米结构重叠，多个第二纳米结构在第二源极/漏极区域之间延伸。器件还包括：第一绝缘保护层，与第二纳米结构重叠；第一栅极堆叠件，位于多个第一纳米结构...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511903161.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，第一晶体管的第一栅氧化层及第一栅电极层依次堆叠在相应的第一有源区上，第一栅氧化层及第一栅电极层沿第一方向延伸的边界不超出相应的第一有源区的边界；绝缘层位于第一器件区的部分衬底上，并...
    2026-04-28
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202511605346.9
    本申请公开了一种显示面板及显示装置；显示面板包括基板、间隔层、半导体层以及第一导电层；间隔层设置于基板上，间隔层中形成有多个凹槽；半导体层设置于间隔层远离基板的一侧，半导体层包括填充部；第一导电层设置于半导体层远离间隔层的一侧，并包括多个第...
    2026-04-28
  • 阵列基板及其制备方法、显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410870466.0
    一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述阵列基板包括衬底、位于所述衬底上的第一导电层，且所述第一导电层包括至少一条数据线；位于所述第一导电层远离所述衬底一侧的第一绝缘层，且所述第一绝缘层包括至少一个第一过孔，且所述第一过孔暴露出所述数据线的...
    2026-04-28
  • 一种集成电路的标准单元结构及制备方法
    一种集成电路的标准单元结构及制备方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410933459.0
    本申请公开了一种集成电路的标准单元结构及制备方法，包括位于衬底的PPNN区域，所述PPNN区域包括PP区和NN区；所述PP区和所述NN区中包括多个沿第一方向延伸的第一鳍片，所述PP区和所述NN区中的至少之一包括多个沿第一方向延伸的第二鳍片，...
    2026-04-28
  • 高压PNP结构静电防护器件
    高压PNP结构静电防护器件_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415531.1
    本发明提供一种高压PNP结构静电防护器件，器件包括：P型衬底、形成于其内的N型埋层、深N阱、N阱和P型发射极区，共同构成一PNP晶体管，其中位于两端的P型重掺杂为集电极，深N阱为基极，位于中间的P型重掺杂为发射极。器件的击穿电压由所述基极和...
    2026-04-28
  • 高压PNP静电防护器件
    高压PNP静电防护器件_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415538.3
    本发明公开了一种高压PNP静电防护器件，包括：P型衬底中的N型埋层，N型埋层上方的P型外延；P型外延中间隔排布的第一深N阱、第二深N阱和第三深N阱；第一N阱、第二N阱和第三N阱分别位于第一深N阱、第二深N阱和第三深N阱上方；第一P阱位于第一...
    2026-04-28
  • 高压静电防护电路
    高压静电防护电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415647.5
    本发明提供一种高压静电防护电路。该电路设置于第一电源端和第二电源端之间，包括多个串联连接的双极结型晶体管，每个晶体管的基极与其发射极电连接。本发明采用双极结型晶体管替代传统的CMOS器件，从根本上避免了栅氧长期高压应力下的可靠性风险，提升了...
    2026-04-28
  • 静电保护器件及其制备方法
    静电保护器件及其制备方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511906930.8
    本发明提供一种静电保护器件及其制备方法，静电保护器件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在半导体衬底中的第二导电类型掺杂区；形成在第二导电类型掺杂区中的第一导电类型掺杂区，其中，第一导电类型和第二导电类型相反；第二导电类型掺杂区与第一导电类...
    2026-04-28
  • 一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法
    一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202511917111.3
    本发明公开一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法，包括依次层叠生长的第一子电池、第二子电池和第三子电池；所述第二子电池包括InGaAs基区、InGaAs发射区、第一背场层和第一窗口层；所述第三子电池包括GaInP基区、GaInP发射区、第二...
    2026-04-28
  • 一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法
    一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202511912566.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法，该三结砷化镓太阳电池外延片自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底超晶格隧穿结、DBR、中电池、中顶超晶格隧穿结、顶电池、欧姆接触层，中底超晶格隧穿结和中顶...
    2026-04-28
  • 一种低辐射碲化锌工艺碲化镉发电玻璃窗体
    一种低辐射碲化锌工艺碲化镉发电玻璃窗体_佳木斯中建材光电材料有限公司_202511313534.4
    一种低辐射碲化锌工艺碲化镉发电玻璃窗体，包括发电玻璃窗体，所述的发电玻璃窗体包括依次设计的Low‑E功能层、EVA透明密封层、碲化锌功能层和碲化镉功能层，所述的Low‑E功能层、EVA透明密封层、碲化锌功能层和碲化镉功能层的两侧边缘为相同结...
    2026-04-28
  • 一种单玻光伏组件的制备方法及光伏组件
    一种单玻光伏组件的制备方法及光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511407292.5
    本发明涉及一种单玻光伏组件的制备方法及单玻光伏组件，方法包括以下步骤：制备预层压件：依次层叠前盖板、前封装胶膜、电池串、后封装胶膜；加工背板；将背板与预层压件的后封装胶膜层叠进行层压得到层压件；将层压件装边框处理得到单玻光伏组件；加工背板包...
    2026-04-28
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