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最新专利技术
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410821732.0
    一种图像传感器及其制备方法和电子设备，图像传感器包括半导体衬底，半导体衬底包括多个像素区域，各像素区域形成有阱区、至少两个光电转换元件、至少两个传输晶体管以及一个共享的浮动扩散区，阱区将各光电转换元件间隔开，各传输晶体管连接于各光电转换元件...
    2026-01-18
  • 管芯及其制造方法、一组掩模版
    管芯及其制造方法、一组掩模版_半导体元件工业有限责任公司_202411486426.2
    本公开提供了一种例示性管芯及其制造方法、一组掩膜版，该例示性管芯可包括在重叠区域中重叠的第一区域和第二区域，以及以横跨该第一区域和该第二区域的网格布置的电路元件阵列。电路元件的重叠组可包括来自该阵列的设置在该重叠区域中的电路元件。当使用与该...
    2026-01-18
  • 固态影像感测器
    固态影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411662201.8
    一种固态影像感测器。固态影像感测器包含第一光电转换元件及第二光电转换元件，第二光电转换元件与第一光电转换元件相邻。固态影像感测器也包含彩色滤光层，彩色滤光层设置于第一光电转换元件及第二光电转换元件之上。固态影像感测器还包含汇聚结构及发散结构...
    2026-01-18
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510842028.8
    一种图像传感器可以包括：第一结构，包括第一端子、覆盖第一端子的第一层间电介质、以及在第一层间电介质内并电连接到第一端子的第一键合焊盘；第二结构，包括第二端子、接触第二端子的第二层间电介质、以及在第二层间电介质内并电连接到第二端子的第二键合焊...
    2026-01-18
  • D2W双层图像传感器封装及其制备方法
    D2W双层图像传感器封装及其制备方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511276137.4
    本发明提供一种D2W双层图像传感器封装及其制备方法，采用D2W形式集成可见光和短波红外光电芯片的图像传感器封装结构，其中，上层是像素感知层，同时集成CMOS工艺可见光像素陈列芯片和铟镓砷工艺短波红外像素陈列芯片；下层是CMOS工艺逻辑处理芯...
    2026-01-18
  • 图像传感器以及制造该图像传感器的方法
    图像传感器以及制造该图像传感器的方法_三星电子株式会社_202510841424.9
    提供了一种图像传感器以及制造该图像传感器的方法。图像传感器包括：光电转换器件，设置在像素阵列区域中；外围区域，设置在像素阵列区域的至少一侧；以及纳米结构层，设置在像素阵列区域和外围区域上。纳米结构层包括：超微透镜，在像素阵列区域上，其中，超...
    2026-01-18
  • 搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置及其制作方法
    搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置及其制作方法_常州大学_202511446121.3
    本发明涉及集成电子器件技术领域，尤其是一种搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置及其制作方法。一种搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置，包括驱动背板以及设置在所述驱动背板上的多个像素单元，像素单元包括：显示子像素，包括通过巨量转移技术键合于所...
    2026-01-18
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511718010.3
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法，包括：提供衬底，衬底具有第一表面和第二表面，衬底包括第一区域；对第一区域的衬底的第一表面执行第一离子注入工艺，以在第一区域的衬底中形成第一隔离区，第一隔离区位于深沟槽底部区域，相邻的第一隔离区之间的衬底...
    2026-01-18
  • 光电合封结构及其制造方法、电子设备
    光电合封结构及其制造方法、电子设备_长电微电子(江阴)有限公司_202511326748.5
    本发明实施例提供了一种光电合封结构及其制造方法、电子设备，光电合封结构包括：光芯片，所述光芯片的表面具有裸露的第一导电垫；电芯片，键合于所述光芯片上，所述电芯片包括堆叠键合的信号层和电源层，所述信号层和电源层之间电连接，所述信号层具有裸露的...
    2026-01-18
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410798947.5
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面形成有第一波导以及覆盖所述基底和第一波导的包覆层，所述第一波导的两侧中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区；第一介质层，位于所述包覆层表面；外延层，位于所述第一介质层、部分...
    2026-01-18
  • 制备太阳能电池栅线的方法、太阳能电池片、太阳能电池及其制备方法
    制备太阳能电池栅线的方法、太阳能电池片、太阳能电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410801101.2
    本发明涉及太阳能电池领域，提供制备太阳能电池栅线的方法、太阳能电池片、太阳能电池及其制备方法。所述制备太阳能栅线的方法包括以下步骤：(1)提供N面和P面均具有感光胶的黄膜片，并在所述N面和所述P面中任一面打印栅线图案形成光刻胶层，对未打印栅...
    2026-01-18
  • TOPCon切片电池的制备方法、待切片电池、切片电池及光伏组件
    TOPCon切片电池的制备方法、待切片电池、切片电池及光伏组件_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202510039920.2
    提供一种TOPCon切片电池的制备方法、待切片电池、切片电池及光伏组件，方法包括，S10，对TOPCon硅片正面待切割区的硼硅玻璃层进行激光处理，化学腐蚀至少去除正面待切割区的硼发射极层，形成正面隔离区；对硅片背面预设区域的掩膜层进行激光处...
    2026-01-18
  • 防漏电的背接触电池制备方法及结构
    防漏电的背接触电池制备方法及结构_江苏中胜微科技有限公司_202511252674.5
    本申请公开了一种防漏电的背接触电池制备方法及结构。通过改善背面掺硼区域(P区)硅片表面结构，利用非晶硅在不同形貌的硅片表面沉积速率不同，使得主要掺硼区域的本征非晶硅沉积速率较慢，沉积的本征非晶硅膜层较薄，以降低电池的串联电阻；而在与掺磷区域...
    2026-01-18
  • OMO膜层的制备方法、太阳能电池
    OMO膜层的制备方法、太阳能电池_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202511347265.3
    本发明公开了OMO膜层的制备方法、太阳能电池。其中OMO膜层的制备方法，包括：设置多个接续的密闭腔室来分别制备所述OMO膜层的各层，并在制备所述OMO膜层的铜层前后，分别在对应的密闭腔室内通过电离氩气形成无氧环境对基片进行等离子清洗。本发明...
    2026-01-18
  • 光伏组件的除胶设备及方法
    光伏组件的除胶设备及方法_科圣达(苏州)智能科技有限公司_202511352801.9
    本申请公开了一种光伏组件的除胶设备及方法，涉及光伏组件生产设备技术领域。一种光伏组件的除胶设备，包括机架、输送装置和除胶装置，所述输送装置设置在机架上，用于将光伏组件输送至除胶工位，所述除胶装置设置于机架且位于除胶工位周侧，所述除胶装置包括...
    2026-01-18
  • 汇流连接结构制作方法及背接触光伏组件
    汇流连接结构制作方法及背接触光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511373883.5
    本发明提供一种汇流连接结构制作方法及背接触光伏组件。汇流连接结构制作方法包括以下步骤：在汇流条本体上的待焊接位置施加锡膏，并对锡膏进行烘干处理，以使锡膏固定于汇流条本体上并形成预制汇流条；在电池片的背面放置绝缘膜带，绝缘膜带上的各个开孔与电...
    2026-01-18
  • 太阳能电池片的制作方法、电池片、电池组件、方法及系统
    太阳能电池片的制作方法、电池片、电池组件、方法及系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511393979.8
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池片的制作方法、电池片、电池组件、方法及系统，包括：激光打孔；提供硅基底，所述硅基底包括相对的正面及背面；对所述硅基底进行激光处理形成通孔，所述激光处理中沿预设扫描路径移动的激光光束进行局部区域打...
    2026-01-18
  • 一种基于纳米技术的TOPCon电池表面处理方法
    一种基于纳米技术的TOPCon电池表面处理方法_浙江日月光能科技有限公司_202511417003.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，且公开了一种基于纳米技术的TOPCon电池表面处理方法，包括以下步骤：S1、将清洁后的TOPCon电池基材置于真空等离子体刻蚀机中处理；S2、改性纳米材料、氧化改性石墨烯量子点、聚酰亚胺树脂、溶剂混合，得到纳米...
    2026-01-18
  • 背接触太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件
    背接触太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511734784.5
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件，其中，背接触太阳能电池的制作方法包括：提供基底，基底包括相对设置的第一面及第二面，第二面包括交替设置的第一区及第二区，以及位于第一区和第二区之间的间隔区；刻...
    2026-01-18
  • 一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器
    一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511748083.7
    本申请提供了一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器，属于红外探测器技术领域；解决了现有红外探测器电极爬坡生长工艺中侧壁电极厚度过薄、阻抗大等问题，该方法包括以下步骤：采用常规台面制作工艺形成各个接触层的台面，然后光刻开孔、钝化开孔，并清洗；采用...
    2026-01-18
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