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  • 一种气密密封的电气装置,该电气装置包括壳体和顶部组件。顶部组件包括触点端子、馈通件和/或延伸穿过盖板的管。玻璃‑金属密封部和/或钎焊接头用于将触点端子、馈通件和/或管密封到盖板,使得不再需要陶瓷顶部。盖板可以电阻焊接到下壳体或罐。
  • 本公开是使用成形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一个实施例中,一种方法包括:向处理腔室的电极施加负跳变电压来为晶片设定晶片电压,调制所述晶片电压的振幅以产生具有不同振幅的脉冲串组序列,以及重复调制所述晶片电压的所述振幅...
  • 根据本发明一示例性实施例的电容耦合等离子体基板处理设备包含:腔室,包含供基板安装的基板支撑件;上电极,设置于腔室内的上部以喷射气体并产生电容耦合等离子体;多个射频杆,用以在多个位置将射频功率供应至上电极;射频功率分配单元,用以将射频功率分配...
  • 本发明涉及一种用于制备材料,特别是生物材料,以将其转移到质谱仪中的接口(1),其中所述材料为气溶胶形式,所述接口包含用于产生电离的雾气的电离装置(2),和具有材料入口和雾气入口的电离室(3),从而在混合区使所述材料与所述电离的雾气接触,其中...
  • 描述了在基材上生长二维(2D)材料的方法,所述方法包括:(a)在基材上形成掩模层;(b)在所述掩模层中形成沟槽,所述沟槽具有在掩模层中形成的侧壁,所述侧壁包围所述基材的暴露部分;和(c)在所述基材的暴露部分上沉积2D材料的核,并使所述核生长...
  • 所公开的示例涉及使用ALD沉积处理的抑制剂来以介电间隙填充材料填充沟槽特征。一个示例提供了一种处理包括深沟槽特征的衬底的方法。深沟槽特征包括具有内凹特征的多晶硅表面。方法包括执行抑制循环,抑制循环包括在衬底上沉积抑制剂,沉积条件为在沟槽特征...
  • 提供一种能够高效地加热包含n型SiC半导体的被处理体的光加热方法。具有对包含n型SiC半导体的被处理体经由窗部件照射从具备红外光灯的光源部射出的色温为2, 200K~2, 600K的范围内的加热光而对所述被处理体进行加热的工序(a)。
  • 等离子体处理装置包括:腔室;基片支承部,其配置在腔室内,用于支承包含含硅膜的基片;气体供给部,其能够向腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体;和等离子体生成部,其能够从处理气体生成等离子体,腔室或配置在腔室内的内部部件中的至少一者含有磷。
  • 本发明提供提高硅氮化物膜相对于掩模的蚀刻选择比的技术。蚀刻方法包括:(a)将包含层叠膜、层叠膜上的含有硅和氮的单层膜、以及单层膜上的掩模的基片,提供到腔室内的基片支承部上的步骤,其中,层叠膜包含两种以上不同的含硅膜,掩模具有规定至少一个开口...
  • 本发明提供一种低温烧结性接合用材料,其在用于烧结接合的情况下,能够在低温下进行烧结,能够得到可靠性高的接合结构体,并且准备简易。一个实施方式的低温烧结性接合用材料包含银粒子及硅粒子,上述硅粒子表面的超过50%由硅原子构成。另外,另一个实施方...
  • 公开基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法。所公开的基板结构体的激光热处理方法通过向能够划分为多个单位区域的基板结构体的一面部照射激光束来执行对所述基板结构体的热处理,所述激光热处理方法可包括如下步骤:执行对所述基板结构体的第...
  • 一种基板收纳容器(1),具备形成有基板收纳空间(27)的容器主体(2)和可封闭容器主体开口部(21)的盖体(3),并具有支承固定于下壁(24)的槽构件(245),所述槽构件(245)具有:槽形成部(2451),形成有朝向下方开口的槽;以及被...
  • 一种基板收纳容器(1),在一对侧壁(26)的外表面分别设置有支承容器主体(2)的操作构件(261),操作构件(261)包括:前后方向延伸部(2611、2612),分别在上下方向(D2)上设置成一对并在前后方向(D1)上延伸;以及前部连接部(...
  • 本发明总体涉及一种用于半导体器件的边缘钝化的载体,并且更具体地,涉及一种用于接收多个晶片或半导体器件的堆叠的存储插入件、一种用于多个这种存储插入件的载体以及一种用于装载这种载体的方法。
  • 本发明提供一种能够以充分的准确度判定基板的收容状态的技术。映射装置(60)包括:第一映射传感器(61a),其配置于收容在收容容器(9)的矩形的基板(W)的端面(We)的延伸方向的一侧,一边在基板(W)的排列方向上移动,一边在第一检测点(Pa...
  • 本基板搬运系统(100)具备检测部(43),该检测部(43)检测由基板搬运机器人(20)搬运的基板(210)和载置基板(210)的基板载置部(30a)中的至少一个。而且,基板搬运系统(100)具备控制部(60),该控制部(60)通过机器学习...
  • 一种用于提供平板元件对准器的装置、系统及方法。实施方式包括:对准器主体;两个相对的滑座,其至少沿彼此平行的第一轴线设置,每个滑座在远离对准器主体的中心点的远端终止于一侧导引件,并且每个滑座沿对准器主体上部的滑槽滑动;两个相对的校正器,其至少...
  • 晶片载放台10具备:在上表面具有晶片载放面22的陶瓷板20、以及设置于陶瓷板20的下表面的冷却板。冷却板由热传导率比Al低的材料形成。冷媒流路32的上表面与晶片载放面22之间的长度有长的部位和短的部位而并非恒定。冷媒流路32的流路截面积有小...
  • 一种半导体制造装置用部件,其具有:一对陶瓷板;及被一对陶瓷板夹持的内部电极,陶瓷板包含绝缘性材料和第1导电性材料,内部电极以第2导电性材料及包含在第1导电性材料中的元素为材料,在内部电极中与陶瓷板接触的部分形成有与内部电极的内部相比元素的含...
  • 本发明涉及一种基板夹持装置及包括该基板夹持装置的基板处理装置,更详细地,涉及一种基板夹持装置及包括该基板夹持装置的基板处理装置,其分散用于防止基板的翘曲产生的加压力。根据一实施例,可提供一种基板夹持装置,其包括:支撑部,用于支撑基板,夹持环...
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