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最新专利技术
  • 一种基于氮化铝的真空紫外探测器及其制备方法
    一种基于氮化铝的真空紫外探测器及其制备方法_复旦大学_202511322047.4
    本发明涉及一种基于氮化铝的真空紫外探测器及其制备方法。所述真空紫外探测器包括底电极、衬底、氮化铝层、二维半导体材料层和顶电极，所述底电极设于衬底下方，所述氮化铝层设于衬底上方，所述二维半导体材料层底端与氮化铝层相接，所述二维半导体材料层顶端...
    2026-01-03
  • 一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器
    一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器_大连理工大学_202511709979.4
    本发明属于宽禁带半导体光电探测器件技术领域，涉及一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p‑i‑n型紫外探测器。采用金属钼作为衬底，在金属钼衬底的上表面有图形化背电极层，在图形化背电极层未覆盖的金属钼衬底的上表面有钼扩散阻挡层，在图形化背电极层和...
    2026-01-03
  • 一种高探测效率的单光子雪崩探测器及其制备方法
    一种高探测效率的单光子雪崩探测器及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511151567.3
    本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩探测器及其制备方法，该单光子雪崩探测器包括至下而上依次设置的半绝缘衬底、n+InGaAs衬底外延层、n+InAlAs衬底外延层、i : InAlAs外延倍增层、p+InAlAs电荷层、InAlAs/In...
    2026-01-03
  • 雪崩光电探测器及其制备方法和应用
    雪崩光电探测器及其制备方法和应用_甬江实验室_202511508270.8
    本申请提供一种雪崩光电探测器及其制备方法和应用，所述雪崩光电探测器包括依次层叠设置的电子收集层、光吸收层、雪崩倍增层、空穴收集层；所述空穴收集层的材料包括P型氧化物；所述雪崩倍增层的材料包括N型(AlxGa1‑x)2O3，其中，0.05≤x...
    2026-01-03
  • 一种双结型晶体管光电探测器
    一种双结型晶体管光电探测器_苏州大学_202511706185.2
    本申请公开了一种双结型晶体管光电探测器，涉及光电转换技术领域。光电探测器包括由下至上依次布置的衬底层、第二N型半导体层、第一N型半导体层和P型半导体层，第二N型半导体层的两侧设有第一电极层和第二电极层，P型半导体层、第一N型半导体层和第二N...
    2026-01-03
  • 一种基于可调石墨烯探测器的波导集成红外光谱芯片
    一种基于可调石墨烯探测器的波导集成红外光谱芯片_苏州微光电子融合技术研究院有限公司_202511053396.0
    本发明公开了一种基于可调石墨烯探测器的波导集成红外光谱芯片，属于传感器技术领域，包括从底层到顶层依次设置的硅基底、光波导、二氧化硅层、石墨烯层、氧化铝层和ITO层，以及电极S、电极D和电极G；所述石墨烯层两端分别与电极S、电极D连接，ITO...
    2026-01-03
  • 一种红外芯片与读出电路的底部填充方法及系统
    一种红外芯片与读出电路的底部填充方法及系统_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511099314.6
    本申请公开了一种红外芯片与读出电路的底部填充方法及系统，涉及红外探测器技术，包括：气瓶，与毛细管连接，提供气流；毛细管，包围红外芯片与读出电路整体各边、贴合，且在所述红外芯片与读出电路整体结构的四边中的至少一条边上的毛细管内填充有填充物，另...
    2026-01-03
  • 一种显示面板、显示装置和感光晶体管的制备方法
    一种显示面板、显示装置和感光晶体管的制备方法_厦门天马微电子有限公司_202511113048.8
    本发明提供的一种显示面板、显示装置和感光晶体管的制备方法，显示面板括感光晶体管包括第一类型掺杂部、第二类型掺杂部、本征区。本征区包括光透过区；其中，沿平行于本征区所在平面，光透过区在本征区中的面积占比为N，50％＜N≤100％。本申请有利于...
    2026-01-03
  • 具有芯片感应功能区透光表面的感光芯片封装方法
    具有芯片感应功能区透光表面的感光芯片封装方法_上海芯琰实业有限公司_202511326628.5
    本发明涉及一种在芯片表面感光功能区域黏贴T透明玻璃，将芯片正面有效区域保护起来，且不影响芯片感光信号的输出，同时由于黏贴结合面所用DAF材料特性较软，同时塑封后T型玻璃两侧下方与感光芯片之间有塑封料硬支撑，因此机械研磨时T型玻璃不会下沉，从...
    2026-01-03
  • 图像传感器芯片板级扇出型封装结构及封装方法
    图像传感器芯片板级扇出型封装结构及封装方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511712342.0
    本发明公开了一种图像传感器芯片板级扇出型封装结构及封装方法，该封装结构包括：介电封装芯片单元，包括图像传感器芯片和透明介电保护层，透明介电保护层设置于图像传感器芯片上，且其对应图像传感器芯片的导电端子的位置具有导电通孔；塑封体，包覆介电封装...
    2026-01-03
  • 一种影像传感芯片多功能板级封装结构及其制作方法
    一种影像传感芯片多功能板级封装结构及其制作方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511712510.6
    本发明公开了一种影像传感芯片多功能板级封装结构及其制作方法，该封装结构包括：功能芯片；围堰式芯片单元，包括透明基板、围堰结构和影像传感芯片，影像传感芯片的正面具有感光区和焊盘，透明基板覆盖于感光区上方，透明基板与影像传感芯片之间设有围堰结构...
    2026-01-03
  • 一种半导体结构、图像传感器及电子设备
    一种半导体结构、图像传感器及电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410764609.X
    本发明描述了一种用于图像传感器的半导体结构，包括：半导体基底，设置有按行方向及列方向分布的若干像素单元，像素单元包括以n×n结构布局且具有相同颜色的像素块，其中，n为大于等于2的整数；电容层，位于半导体基底上方，电容层设置有若干与像素单元相...
    2026-01-03
  • 高动态范围像素
    高动态范围像素_意法半导体国际公司_202510820561.4
    本公开涉及高动态范围像素。一种像素包括具有旨在接收光的表面的光敏元件以及布置在光敏元件的表面上方的滤光器。滤光器包括由相变材料制成的图案和限定在滤光器的导电层中的加热元件。加热元件的温度确定相变材料的温度。用于像素的控制电路控制加热元件的温...
    2026-01-03
  • 图像传感器的微透镜结构及其形成方法
    图像传感器的微透镜结构及其形成方法_豪威半导体(上海)有限责任公司_202511321700.5
    本发明提供一种图像传感器的微透镜结构及其形成方法，包括：衬底上自下而上依次形成有光电二极管层、钝化层、彩色滤光片阵列层、平坦层和微透镜层；一个像素上方对应分布一个微透镜阵列单元。本发明微透镜阵列单元为一体结构形成的相连接的多个子透镜，制作工...
    2026-01-03
  • 一种硅基锗短波红外图像传感器及其制造方法
    一种硅基锗短波红外图像传感器及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511341644.1
    本发明涉及一种硅基锗短波红外图像传感器及其制造方法，该传感器包括硅衬底、硅层、锗层、钝化层、第一电极、第二电极和读出电路。设有第一和第二二极管区域，硅层位于第一二极管区域上方。锗层设置于硅衬底和硅层之上，形成台面结构，其底面与硅衬底及硅层上...
    2026-01-03
  • 图像感测芯片的堆叠封装构造
    图像感测芯片的堆叠封装构造_浙江大圭电子科技有限公司_202511695515.2
    本发明公开了一种图像感测芯片的堆叠封装构造，包括第一基板、第一图像感测芯片、第二图像感测芯片、第一透光层、第二透光层和集成电路层；集成电路层连接在第一基板的上表面上，集成电路层通过打线与第一基板电连接；第一图像感测芯片设置在集成电路层的上表...
    2026-01-03
  • 曲面光伏瓦的加工方法和曲面光伏瓦
    曲面光伏瓦的加工方法和曲面光伏瓦_深圳市华宝新能源股份有限公司_202410733155.X
    本发明提供了一种曲面光伏瓦的加工方法和曲面光伏瓦，曲面光伏瓦的加工方法包括：将第一胶膜层、太阳能电池片和第一防护层依次层叠设置；对第一胶膜层、太阳能电池片和第一防护层进行一次层压，形成平面的层压组件；将刚性曲面的第二防护层、第二胶膜层和层压...
    2026-01-03
  • 一种光伏电池串焊接压具工装、压制方法及光伏电池串焊机
    一种光伏电池串焊接压具工装、压制方法及光伏电池串焊机_正泰新能科技股份有限公司_202410787667.4
    本发明公开了一种光伏电池串焊接压具工装、压制方法及光伏电池串焊机，属于无主栅光伏串焊机焊接设备技术领域。光伏电池串焊接压具工装，包括中心压具及框型压具，其特征在于，所述框型压具设有用于放置中心压具的中空部分，所述框型压具的两侧分别设有凸出部...
    2026-01-03
  • 电池串返修方法、光伏组件及其制备方法
    电池串返修方法、光伏组件及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510022311.6
    本发明公开了一种电池串返修方法、光伏组件及其制备方法，该电池串返修方法包括以下步骤：返修处理：将返修材料置于电池串的待焊接位置，返修材料的焊接温度为130℃～160℃；预焊接处理：将待焊接位置的返修材料预焊接3s～10s，使返修材料部分合金...
    2026-01-03
  • 太阳电池的制备方法
    太阳电池的制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510026595.6
    本公开提供了一种太阳电池的制备方法及太阳电池。该制备方法包括如下步骤：在电池基底的相对两侧表面分别形成第一电极和第二电极，获得电池中间片，第一电极的总质量＞第二电极的总质量；将电池中间片加热至100℃~250℃并保温4min以上以进行热固处...
    2026-01-03
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