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  • 本发明公开了一种低噪声放大器及接收系统,低噪声放大器包括:输入匹配电路、一级电路、级间匹配电路、二级电路、输出匹配电路及共用偏置电路;输入匹配电路与一级电路、共用偏置电路连接,级间匹配电路与一级电路、二级电路连接,二级电路与共用偏置电路、输...
  • 本发明提供一种功率放大器及其回退功率效率控制方法、发射机、芯片,其中,功率放大器包括:脉宽调节模块,接收功率控制字和输入信号,并基于功率控制字调节输入信号的占空比以生成激励信号;功率放大模块,接收激励信号,并对激励信号进行功率放大后输出。通...
  • 本发明属于射频集成电路技术领域,公开了一种双频功率放大器电路,包括输入端口、宽带输入开关电路、C波段和X波段输入匹配电路、C波段和X波段第一级放大电路、C波段和X波段第一级与第二级级间匹配电路、C波段和X波段第二级放大电路、C波段和X波段输...
  • 本发明属于半导体混合集成电路技术领域,公开了一种宽带高压跨导导数放大器,包括元器件载体,所述元器件载体上设置有两级放大器,所述元器件载体外侧设置有外壳,两级放大器包括第一级共射极放大电路拓扑结构及第二级推挽输出拓扑结构,第一级共射极放大电路...
  • 本申请涉及信号采样技术领域,公开了一种抗差模干扰小信号采样电路及信号采样方法。该电路包括:将小电流信号通过电阻R82转换为电压信号,DICOM端信号经过C80和TVS80滤波保护,再通过R83和C81进行一级滤波;DIPORT8端信号通过F...
  • 本发明属于集成电路领域,具体涉及一种动态偏置的环形放大器、偏置模块和流水线SAR ADC、芯片。电路包括:放大器主体、反馈回路和偏置单元。其中,放大器主体的第二级的输出端包含CMOS电阻P3和N3。偏置单元用于根据反馈回路中输入的复位信号R...
  • 本发明公开了一种异构集成的低偏流运算放大器电路,该低偏流运算放大器电路的结构包括输入级前端分立JFET器件和CMOS运算放大器主体电路。该异构集成低偏流运算放大器可以实现常规单芯片运算放大器的功能,在提高偏流性能的同时减少对工艺的依赖,采用...
  • 本发明涉及放大器的技术领域,公开了一种模数转换器组合仪表放大器,包括第一级放大器,所述第一级放大器信号连接第二级放大器,所述第二级放大器信号连接有前端低通滤波器(LPF),所述前端低通滤波器(LPF)信号连接有模数转换器(ADC),在所述第...
  • 本公开的实施例涉及电荷放大电路和方法。一种电路包括放大器、偏置电压节点和第一组开关,该第一组开关被配置成:基于具有第一值的第一复位信号,将第一和第二输入节点耦联到偏置电压节点,并且耦联放大器的第一和第二输出节点。第一和第二反馈支路各自包括相...
  • 本申请公开了一种信号采集方法、装置和充电系统,该方法可以应用于包括:滤波模块、放大模块、模数转换模块和控制器的信号采集电路,该采集方法包括:控制器连续多次从模数转换模块获取第一数字信号,以及从放大模块的第一输出端发送的第二数字信号;控制器基...
  • 本发明公开了一种过压后低反射的宽带限幅模块,包括:阻抗匹配电路、高输入阻抗放大电路和低频增益控制电路;其中,阻抗匹配电路用于对输入信号与高输入阻抗放大电路之间进行50Ω端接匹配,在高输入阻抗放大电路中,低频增益控制电路反馈的中低频信号与经过...
  • 本发明涉及微波无源器件技术领域,提供了一种基于协同融合的可调限幅滤波芯片,包括:主传输线以及加载其上并依次连接的第一级限幅电路、四分之一波长微带线TL1、第二级可调限幅电路、开路四分之一波长微带线TL3、集总并联谐振器;所述第二级可调限幅电...
  • 本发明公开了一种大功率谐波滤波器。该滤波器包括低通滤波电路、高通滤波电路、吸收负载和连锁装置,其中低通滤波电路和高通滤波电路并联设置,在高通滤波电路的输出端接入吸收负载,接收到射频信号后,规定频率范围内的射频信号经由低通滤波电路输出,规定频...
  • 本发明公开了基于三维集成的可调共模抑制滤波器,包括从上至下依次设置的顶部介质RDL层、硅衬底以及底部介质RDL层,顶部介质RDL层内设有对称螺旋电感L1、对称螺旋电感L2、对称螺旋电感L3、对称螺旋电感L4、对称螺旋电感L5、对称螺旋电感L...
  • 本发明涉及射频宽带巴伦技术领域,尤其涉及一种宽带射频巴伦电路。包括:第一变压器、第二变压器、非平衡端口、平衡端口正向端、平衡端口反向端;所述非平衡端口与第一变压器相连接;所述非平衡端口与第二变压器相连接;所述平衡端口正向端与第二变压器相连接...
  • 本发明属于微电子技术领域,更具体地,涉及一种用于微机械谐振器的圆片级真空封装结构及方法,结构包括:薄膜封装结构与谐振器衬底形成的空腔,谐振器振动部分通过与衬底相连的支撑结构悬挂于空腔之中;所述薄膜封装结构由支撑层、吸气剂层和封装层组成;所述...
  • 本发明公开了一种基于性能优化的光刻晶片结构,包括一体的第三石英水晶晶片a和第三石英水晶晶片b,第三石英水晶晶片a上部呈现为直角结构,下部倾斜面位置呈现为内凹的半圆形结构。该结构显著提升了产品的机械强度与抗损伤能力。特别是在制造过程中,由直角...
  • 本发明公开了一种体声波谐振器和电子设备,体声波谐振器包括有源区和至少部分围绕有源区的无源区;体声波谐振器包括衬底、第一电极层、压电层、填充结构和第二电极层。第一电极层位于填充结构和压电层背离衬底的一侧;第一电极层位于衬底的一侧;第一电极层包...
  • 本发明提供了一种具有阶梯型空腔的空腔型体声波谐振器及其制备方法,采用阶梯型空腔来缓冲降低上层结构的压力,结构强度和稳定性更强,空腔释放不易塌陷,同时缓冲降低边缘应力,降低材料剥离风险,提高了良率。而且本发明的结构加强了边缘散热,有利于提高功...
  • 本发明涉及一种压电衬底表面的倍频声表面波器件,所述倍频声表面波器件包括压电衬底和位于压电衬底上方的叉指换能器;所述叉指换能器包括平行且相对设置的第一汇流条和第二汇流条、与第一汇流条连接的若干第一金属电极、与第二汇流条连接的若干第二金属电极;...
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