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  • 本申请一种高效散热控制柜,涉及工业自动化的技术领域,其包括控制柜体,所述控制柜体的前侧安装有柜门,所述控制柜体的内部固定连接有隔尘架,所述隔尘架的顶部设有散热鳍片,所述隔尘架的顶部固定连接有导流板,所述控制柜体的右侧安装有电磁风门。本申请通...
  • 本发明属于电子设备热管理技术领域,公开一种基于液冷与风冷耦合的全链热管理方法。信处组合放置在模块化散热框架中;液冷模块布置于模块化散热框架和信处组合的接触面,风冷模块布置于模块化散热框架的正面;模块化散热框架的正面底部布置进风口,模块化散热...
  • 本发明公开了一种装配式数据中心机柜及其建造方法,包括底座、柜体、风墙空调箱机组、温湿度传感器、控制器、冷冻水进水管以及冷冻水回水管,柜体设置于底座的上端部,风墙空调箱机组设置于柜体的侧壁上,风墙空调箱机组内设有风机和冷冻水管,温湿度传感器设...
  • 本发明公开了一种模块化制冷机房及制冷系统和方法;所述制冷机房,其包括箱体、制冷主机和顶部调节模块。箱体内腔分为密封腔室和换热腔室。制冷主机安装在密封腔室内。顶部调节模块安装在换热腔室中。顶部调节模块包括相变蓄冷材料、翅片管、风机、保温罩壳、...
  • 本发明公开了磁屏蔽领域的一种主被动结合的零磁装置及设计方法,包括:多层坡莫合金构成的被动屏蔽舱体,相邻层间具有等间距结构;退磁系统。本发明中坡莫合金具有高导磁率,当磁场遇到高磁导率的坡莫合金时,磁场线会倾向于沿着磁导率更高的路径传播,即沿着...
  • 本发明公开了一种陶瓷静电抑制器的制备方法及其产品,包括以下步骤:制备低温共烧陶瓷流延浆料;制备低温共烧陶瓷流延膜带;在膜带上打若干个销钉定位孔和印刷定位孔;制备静电抑制器浆料;制备内电极浆料;制备印刷膜带;将印刷膜带叠层;将叠层完成的膜带进...
  • 本发明公开的通过机械结构实现旋转件间隙电磁屏蔽与密封的装置,包括呈上下设置的被密封旋转件与被密封静止件,被密封旋转件外壁套设有密封动环,密封动环下部固接有辅助密封环,被密封静止件外壁套设有碳纤维支撑座,碳纤维支撑座上部端面开设有密封件凹槽,...
  • 本发明涉及线路板加工设备技术领域,尤其涉及一种线路板下板设备,包括机架,机架上设置有载具输送装置、产品下料装置、产品机械手、载具下料装置和盖片抓取机械手,机架上位于载具输送装置一端的区域上设置有夹送翻转装置;夹送翻转装置的一端能够与载具输送...
  • 本发明公开了一种单手拆装的高速高精度双通信高速贴片机送料器,主机前侧设取料位置、下方设进给结构,主机底部设锁紧机构和提拉手柄,通过钢丝绳联动提拉手柄与锁紧压板,提起手柄时解锁并提起送料器,松开后自动锁定,实现单手拆装;主机底部电控箱插座与贴...
  • 本申请提供一种印刷电路板元件贴装方法、设备、存储介质和程序产品,涉及印刷电路板元件贴装领域,该方法包括:获取已贴装元件的实际贴装位置相对于已贴装元件在印刷电路板上第一目标位置的实际偏移数据;若实际偏移数据小于或等于最大偏移量,则将实际偏移数...
  • 本发明涉及整流桥贴片技术领域,特别是一种整流桥生产加工用自动贴片装置,包括装置框架,所述装置框架内部的底端皆安装有电磁导轨,且电磁导轨的内部设置有电磁导块,所述电磁导块的顶端安装有滑动板,且滑动板的顶端设置有安装柱主体,所述安装柱主体的顶端...
  • 本发明公开了一种PCB板加工用贴片装置,涉及电子元件加工设备的技术领域,包括工作台、第一传送机构、第二传送机构和贴片机构,贴片机构包括转动轴、转动架、安装板和吸附组件,安装板上开设有两个相对布置的通槽,吸附组件设置有两组,且分别设置在对应的...
  • 本发明属于贴装技术领域,公开一种大片料精准定位贴装机,包括取料位和贴装位,所述取料位和所述贴装位之间设置有取料部件,所述取料部件包括移动部件,所述移动部件的移动端设置有取料吸盘,所述取料吸盘上设置有压辊;通过集成可升降压辊结构与取料吸盘的一...
  • 本发明公开了一种防位移型SMT贴片装置,本发明涉及SMT贴片技术领域,真空吸附管的外壁滑动连接有升降伸缩管,贴片装置的上侧连接有用于夹持SMT贴片的两个夹持板,贴片架的内部安装有用于挤压夹持板提高SMT贴片的夹持效果的下压架,两块夹持板的上...
  • 本申请提供一种静态随机存取存储器及制备方法、器件、电子设备,该方法包括:在衬底上形成正面有源结构和背面有源结构;正面有源结构和背面有源结构在第一方向上堆叠设置;基于正面有源结构,形成正面半导体结构;正面半导体结构包括第一正面晶体管、第二正面...
  • 本发明公开了一种SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法,属于半导体领域,本发明将两个传输栅极晶体管的沟道方向设置为第一方向,两个上拉晶体管的沟道方向设置为第二方向,两个下拉晶体管的沟道方向设置为第三方向,第三方向与第一方向为同族晶...
  • 本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法,属于半导体领域,本发明首先将NMOS和PMOS的有源区分别设置在各自最佳方向上,然后将PMOS进行下沉设置,使得两种晶体管的有源区错开设置以提高散热能力;并且本发明为了制作上述结构...
  • 本公开内容涉及用于管理半导体装置中的接触结构的方法、装置、系统和技术。示例性半导体装置包括第一半导体结构。所述第一半导体结构包括:沿第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体;沿所述第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第二堆叠体;沿所述第一...
  • 本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:提供基底结构,所述基底结构包括半导体层和位于所述半导体层中沿第一方向延伸的多个第一沟槽;通过所述第一沟槽对所述半导体层进行第一次离子注入,以在所述第一沟槽的底部形成第一掺...
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供了一种半导体结构及其制备方法,包括:衬底,衬底包括存储区和外围区,存储区内设置有位线结构和位于位线结构之间的接触插塞;着陆垫,间隔设置于对应的接触插塞上,并与接触插塞电连接;第一隔离层,位于着陆垫之间,且覆盖...
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