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最新专利技术
  • 封装基板、封装结构及其形成方法
    封装基板、封装结构及其形成方法_长电科技汽车电子(上海)有限公司_202511046875.X
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种封装基板、封装结构及其形成方法。所述封装基板包括：基板本体，包括相对分布的顶面和底面；顶部焊垫，位于所述基板本体的顶面上；底部焊垫，位于所述基板本体的底面上，所述底部焊垫包括朝向所述基板本体的正面和...
    2026-02-07
  • 一种功率模块封装结构
    一种功率模块封装结构_浙江大学_202511068010.3
    本发明公开了一种功率模块封装结构。本发明中所述芯片在每个金属焊盘的边缘处与芯片基板连接部分设置非线性电导材料涂层，金属焊盘的边缘处与芯片基板连接部分即为金属焊盘、芯片基板与绝缘灌封材料三者相交接处，也就是三相点处。通过非线性电导材料涂层的设...
    2026-02-07
  • 基于2.5D封装的超算芯片异构封装结构及封装方法
    基于2.5D封装的超算芯片异构封装结构及封装方法_湖南越摩先进半导体有限公司_202511090983.7
    本发明公开了基于2.5D封装的超算芯片异构封装结构及封装方法，其中超算芯片异构封装结构包括基板和硅中介层，硅中介层包括上RDL布线层一、下RDL布线层一和位于上RDL布线层一与下RDL布线层一之间的中间层, 在硅中介层的上表面上焊接有ASI...
    2026-02-07
  • 一种超高密度三维堆叠封装结构
    一种超高密度三维堆叠封装结构_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511311231.9
    本发明提供了一种超高密度三维堆叠封装结构，所述超高密度三维堆叠封装结构包括基板、堆叠结构和堆叠芯片。本发明通过设置有底层基板，在基板上方连接有由多个堆叠硅片组成的堆叠结构。在同一层相邻两个堆叠硅片之间采用高精度腔体刻蚀技术加工出用于安装芯片...
    2026-02-07
  • 一种异质叠构封装基板及其制作方法
    一种异质叠构封装基板及其制作方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511648647.X
    本发明涉及封装基板领域，特别涉及一种异质叠构封装基板及其制作方法。所述封装基板内含有玻璃芯板，所述封装基板表面和所述玻璃芯板之间含有一个或多个第一芯板；所述玻璃芯板和所述第一芯板之间含有一层或多层线路层；所述第一芯板之间含有一层或多层线路层...
    2026-02-07
  • 电子装置及其制作方法
    电子装置及其制作方法_群创光电股份有限公司_202411361626.5
    本揭露提供一种电子装置及其制作方法。电子装置包括电子单元、封装层、电路结构以及第一导热组件。封装层环绕电子单元，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。电路结构配置于封装层的第一侧，且电性连接电子单元。第一导热组件配置于封装层的第二侧。以俯视观之，...
    2026-02-07
  • 半导体装置及其制作方法
    半导体装置及其制作方法_群创光电股份有限公司_202411619915.0
    本揭露提供一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包括电子单元、封装层、电路结构、保护层、第一导热组件以及第二导热组件。封装层环绕电子单元，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。电路结构配置于封装层的第一侧，且电性连接电子单元。保护层配置于封装层的...
    2026-02-07
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411952800.3
    本揭露提供一种电子装置，包括电子单元、封装层、电路结构以及第一散热层。封装层环绕电子单元。电路结构配置于封装层上，且电性连接电子单元。第一散热层配置于封装层上且相对于电路结构。电路结构包括导电部以及环绕导电部的绝缘部。第一散热层包括第一体积...
    2026-02-07
  • 一种芯片集成散热系统及其制备方法
    一种芯片集成散热系统及其制备方法_山东浪潮科学研究院有限公司_202511002377.5
    本发明涉及一种芯片集成散热系统及其制备方法，属于半导体器件散热的技术领域。所述芯片集成散热系统包括与芯片贴合的纳米金刚石过渡层；所述纳米金刚石过渡层远离芯片的一侧设有微柱阵列支撑层；所述微柱阵列支撑层与金刚石薄膜的一个面接触，金刚石薄膜的另...
    2026-02-07
  • 一种基于微泵的自闭环微系统风冷散热结构
    一种基于微泵的自闭环微系统风冷散热结构_中国船舶集团有限公司第七二三研究所_202511272938.3
    本发明公开了一种基于微泵的自闭环微系统风冷散热结构，包括微通道散热器、微泵、风机组合、测温光纤、控制模块和冷却液等。本发明采用液冷内循环结合风冷外循环的散热形式，将高热流密度功率芯片风冷散热问题转化为常规风冷散热问题，解决了当前工程中高热流...
    2026-02-07
  • 基板结构及其形成方法、封装结构
    基板结构及其形成方法、封装结构_长电科技管理有限公司_202511272547.1
    一种基板结构及其形成方法、封装结构，基板结构包括：核心面板，核心面板的材料为金属材料；导电柱，嵌设在核心面板中且贯穿核心面板；第一绝缘层，位于导电柱的侧壁和核心面板之间，第一绝缘层环绕覆盖导电柱的侧壁，并暴露导电柱的端面。核心面板采用金属材...
    2026-02-07
  • 一种微通道散热结构及其制备方法
    一种微通道散热结构及其制备方法_上海交通大学_202511264731.1
    本发明涉及一种微通道散热结构及其制备方法。该结构包括玻璃基板，其上垂直贯通有多个TGV通孔；第一散热层，其被配置为对芯片进行散热；以及第二散热层，其被配置为对所述TGV通孔进行散热，所述第二散热层设于所述第一散热层下方，所述第二散热层与所述...
    2026-02-07
  • 一种功率模块散热底板及其制造方法
    一种功率模块散热底板及其制造方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511527135.8
    本发明提供了一种功率模块散热底板及其制造方法，包括散热底板以及形成于其内部的冷却流道系统，所述冷却流道系统包括多个流道单元，所述流道单元利用其内部通道的弯曲结构与翼状结构的非对称布置，使冷却介质在正向流动时流阻低于反向流动时的流阻，从而实现...
    2026-02-07
  • 一种多芯片封装结构及制作方法
    一种多芯片封装结构及制作方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511316621.5
    本发明提供了一种多芯片封装结构及制作方法，属于半导体封装技术领域，所述多芯片封装结构包括塑封体、至少一个第一芯片、第二芯片、重布线层以及第一连接凸点，所述第一芯片塑封于所述塑封体内；所述第二芯片塑封于所述塑封体内，所述第二芯片位于所述第一芯...
    2026-02-07
  • 一种集成散热的封装结构及其制作方法
    一种集成散热的封装结构及其制作方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511317475.8
    本发明提供了一种集成散热的封装结构及其制作方法，属于半导体封装技术领域，所述集成散热的封装结构包括塑封体、至少一个第一芯片、第二芯片、散热层、重布线层以及第一连接凸点，所述第二芯片位于所述第一芯片的上方，且与所述第一芯片电连接，所述第二芯片...
    2026-02-07
  • 一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法
    一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法_中国电力科学研究院有限公司_202511639258.0
    本发明涉及一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法。本发明提供的具有高过载能力的功率模块封装结构，包括上电极组件、第一低热阻结合层、芯片、第二低热阻结合层、下电极板，所述上电极组件包括固定连接的上电极板和凸台电极；所述第一低热阻结合层...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410756923.3
    本公开的实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能。半导体器件包括：第一半导体结构、第三键合层和第二半导体结构；第一半导体结构包括第一键合层及延伸至第一键合层内部的第一键合垫；第二半导体结构...
    2026-02-07
  • 一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺
    一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺_广州齐达材料科技有限公司_202511179007.9
    本发明涉及放大器技术领域，具体涉及一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺。包括热沉材料、绝缘层、引线框架、无源器件、封盖以及芯片，所述热沉材料采用CPC、CMC、CWC或C金刚石材质，所述绝缘层为陶瓷材料，所述引线框架为可伐合金，所述...
    2026-02-07
  • 铜片及半导体功率器件
    铜片及半导体功率器件_南通尚阳通集成电路有限公司_202511323453.2
    本申请公开了一种铜片及半导体功率器件，涉及半导体功率器件技术领域。铜片包括芯片连接结构、引线框架连接结构及桥接结构，芯片连接结构包括主体部、第一延伸部和第一导通部，主体部与桥接结构固定连接，第一延伸部与主体部间隔设置，第一导通部设于主体部和...
    2026-02-07
  • 一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法
    一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法_江西誉鸿锦电子技术有限公司_202511263003.9
    本发明提供了一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法，包括封装基板和其上具有若干凸块的倒装芯片；封装基板的正面上形成有第一源极焊盘、第一漏极焊盘和两个第一栅极焊盘，第一源极焊盘、第一漏极焊盘和两个第一栅极焊盘内均形成有梯度导流槽，梯度导流槽的...
    2026-02-07
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