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最新专利技术
  • 半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统
    半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统_三星电子株式会社_202510706915.2
    提供了半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统。所述半导体装置可包括：第一半导体芯片；至少一个半导体芯片堆叠件，在所述半导体装置的第一方向上在第一半导体芯片的表面上，所述至少一个半导体芯片堆叠件被配置为电连接到第一半导体芯片；以及...
    2025-12-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511612072.6
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有薄膜电阻结构；在所述衬底上依次形成覆盖所述薄膜电阻结构的接触中间层、金属层和介质反射层；执行光刻工艺，在所述介质反射层上形成定义金属连线的图形；执行第一刻蚀工艺，去除所述...
    2025-12-29
  • 图像传感器的金属-绝缘体-金属电容器结构及其制造方法
    图像传感器的金属-绝缘体-金属电容器结构及其制造方法_DBHiTek株式会社_202410921258.9
    本发明涉及一种图像传感器的金属‑绝缘体‑金属(MIM，Metal‑Insulator‑Metal)电容器结构及其制造方法，尤其涉及一种可以通过借助于形成层叠型电容器而并联连接N个(N>1；N＝自然数)的电容器结构增加单位面积下的电容并借此对...
    2025-12-29
  • 一种集成异质结二极管的SiC槽栅MOSFET及其制备方法
    一种集成异质结二极管的SiC槽栅MOSFET及其制备方法_江苏东海半导体股份有限公司_202410642977.7
    本发明涉及功率半导体技术领域，具体为一种集成异质结二极管的SiC槽栅MOSFET及其制备方法。本发明通过在元胞内四个角上分别设置了深入SiC体内较重掺杂的N型电流增强层的重掺杂P型多晶硅或者NiO，其各个面与N型电流增强层构成低开启压降的异...
    2025-12-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510521537.0
    本发明的目的在于提供能够抑制功率损耗的技术。半导体装置具备：第一主面侧栅极结构，设置于第一主面，控制基极层内的第一导电沟道；以及第二主面侧栅极结构，设置于第二主面，控制第一集电极层内的第二导电沟道，规定有第一密集区域和第一稀疏区域，上述第一...
    2025-12-29
  • 绝缘栅双极晶体管器件及其制备方法
    绝缘栅双极晶体管器件及其制备方法_峰岧科技(上海)有限公司_202511089405.1
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种绝缘栅双极晶体管器件及其制备方法。绝缘栅双极晶体管器件包括：在晶体管器件上表面刻蚀的多个沟槽；在各沟槽两侧均做N型重掺杂光刻注入，每一个沟槽上均形成至少一个N型重掺杂区；各N型重掺杂区垂直沟槽方向的尺...
    2025-12-29
  • 多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程
    多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程_礴添(上海)微电子有限公司_202511596870.4
    本申请公开一种多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程，涉及功率半导体制作技术领域，包括射极端与集极端，射极端包括发射区、基区及绝缘层，基区两侧为沟槽式栅极；射极端还包括电位可浮动P型区域及其中多个深沟槽绝缘柱；该P型区域由绝缘柱...
    2025-12-29
  • 一种沟槽型栅极结构IGBT器件及制备方法
    一种沟槽型栅极结构IGBT器件及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511407491.6
    一种沟槽型栅极结构IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明栅极层上窄下宽的结构在保证垂直导电通道有效性的同时，减少电流导通路径上的电阻，结合高单元密度的沟槽结构优势，进一步降低器件的导通电压，提升导电效率。P+区与N+区的合理布局...
    2025-12-29
  • 具有氧化物牺牲层的纳米片器件及其制造方法
    具有氧化物牺牲层的纳米片器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510470262.2
    本公开涉及具有氧化物牺牲层的纳米片器件及其制造方法。一种方法包括：形成从衬底突出的鳍，其中，鳍包括与电介质牺牲层交错的半导体层。该方法包括：在每个电介质牺牲层的端部处形成内部间隔件。该方法包括：在与内部间隔件相邻的鳍中形成源极/漏极特征。该...
    2025-12-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510666851.8
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。栅极电极的引出部分的上表面的位置高于栅极电极的有源部分的上表面。绝缘膜具有经由侧壁间隔物被定位在栅极电极的有源部分的侧表面上的第一凸起部分，以及经由侧壁间隔物被定位在栅极电极的引出部分的侧表面上的第二凸起部...
    2025-12-29
  • 功率半导体器件的制造方法
    功率半导体器件的制造方法_三星电子株式会社_202510673334.3
    一种制造功率半导体器件的方法包括：形成漂移层、阱区域和源区域，以形成基底结构；在基底结构的上表面和下表面上形成掩模层；对基底结构执行第一退火工艺；在基底结构的上表面上形成预备栅极绝缘层；对基底结构执行第二退火工艺；在预备栅极绝缘层上形成预备...
    2025-12-29
  • 场效应晶体管、设备及其制造方法
    场效应晶体管、设备及其制造方法_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965623.0
    本申请公开了一种场效应晶体管、设备及其制造方法，涉及晶体管技术领域，其中，场效应晶体管包括衬底、氧化层、多晶硅层、源极以及漏极，衬底设有第一沟槽和第二沟槽，氧化层和多晶硅层依次层叠设于衬底的顶面，多晶硅层位于第一沟槽和第二沟槽之间的区域被配...
    2025-12-29
  • MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备
    MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965627.9
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备，MOSFET制造工艺包括在多晶硅层对应衬底进行第一注入窗口的位置进行光刻和刻蚀形成两个沟槽；在多晶硅层的表面依次形成第二掩膜层和第三掩膜层，对第二掩膜层和...
    2025-12-29
  • MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备
    MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965629.8
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备，所述MOSFET制造工艺包括对原始衬底进行离子注入，以在所述原始衬底中形成源极区域和漏极区域；在所述原始衬底的表面先形成隔离层，再在所述隔离层的上方形成多...
    2025-12-29
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_杭州士兰集成电路有限公司_202511221838.8
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法，其中功率器件的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，并在第一衬底上依次生长氮化物层、外延层和功能层，功能层的第一表面位于外延层上，氮化物层包括氮化硼层；提供临时键合片，并将功能层的第二表面与临时键合片键合...
    2025-12-29
  • 功率器件及其制造方法
    功率器件及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511244832.2
    本发明提供一种功率器件及其制造方法，包括：提供基底，包括第一区域和第二区域；形成金属层，所述金属层覆盖所述第一区域和所述第二区域；刻蚀所述金属层，以暴露出第二区域的边缘区域；形成低应力无机物侧墙，该侧墙覆盖所述金属层的靠近所述边缘区域一侧的...
    2025-12-29
  • 一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法
    一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202511226866.9
    本发明公开了一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法，所述外延结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN晶种铺垫粗化层、GaN外延层、第一AlN插入层、第一C掺杂GaN层...
    2025-12-29
  • 一种氮化镓器件及电子设备
    一种氮化镓器件及电子设备_深圳平湖实验室_202511615234.1
    本公开提供一种氮化镓器件及电子设备，通过在P‑GaN层下方的沟道层内设置沿源极指向漏极的方向上厚度不均匀的背势垒层，且靠近源极的厚度更大，靠近漏极的厚度更小，这样厚度大的区域可以提高2DEG的限域性，厚度小的区域可以降低沟道电阻，因此本公开...
    2025-12-29
  • 一种氮化镓器件及其制备方法、电子设备
    一种氮化镓器件及其制备方法、电子设备_深圳平湖实验室_202511615407.X
    本公开提供一种氮化镓器件及其制备方法、电子设备，通过在P‑GaN层远离衬底的一侧设置凹槽，这样沿源极指向漏极的方向，P‑GaN层的厚度分布不均匀，即凹槽处P‑GaN层为刻蚀区，凹槽外侧的P‑GaN层为保留区，这样保留区的P‑GaN层可以保证...
    2025-12-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_深圳平湖实验室_202511617932.5
    本公开提供一种半导体器件及其制备方法，通过在势垒层对应于栅区的位置形成凹槽，并在栅极下方设置层叠设置的第一UGaN层和第一PGaN层，第一UGaN层和第一PGaN层形成极化超结结构，实现器件为增强型工作模式，由于第一UGaN层和第一PGaN...
    2025-12-29
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