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  • 本发明的目的在于提供一种使用N‑烷基型受阻胺化合物的、对合成树脂赋予优异的阻燃性的阻燃剂。本发明提供一种阻燃剂,其为包含(A)受阻胺化合物的阻燃剂,所述(A)受阻胺化合物为下述通式(1)所示的化合物。通式(1)中,R1表示羰基等,R2表示碳...
  • 本发明涉及一种用于模拟体内组织屏障的结构和功能的微流体设备。具体地,本发明涉及:通过模拟2D‑3D结缔组织屏障、3D组织屏障和3D‑3D组织屏障的结构和功能来代替动物模型的微流体设备(由此可用作新药开发和毒性评估等的模型)、用于在微流体设备...
  • 本公开内容提供了用于治疗微生物感染特别是MRSA的分离的质粒、重组微生物、试剂盒和方法。
  • 本公开涉及可用于衍生牛诱导性类囊胚的方法、产品和组合物。描述了允许幼稚干细胞聚集和诱导性类囊胚形成的方法。还提供了适于促进幼稚干细胞聚集以及制备诱导性类囊胚的聚集培养基和诱导性类囊胚培养基。所述牛诱导性类囊胚可用于选择和育种程序,包括具有期...
  • 提供了用于小体积全血保存的系统和方法。全血可以在室温下长期保存和储存。保存的全血可以用于基于单细胞的应用。
  • 本文公开了扩增细胞群的改进方法和从多能干细胞产生类器官的方法,以及它们的组合物和用途,包括能够用于进行这些方法的补充氨基酸的液体组分的组合物,以及包括用于进行这些方法和/或使用这些方法的产物的组分的试剂盒。这些方法可以在不需要用于细胞培养的...
  • 本发明涉及一种基因修饰的细胞,其中将编码特异性结合于TNFR2的Stefin A蛋白变体和/或包括该蛋白变体的融合蛋白的核酸引入至宿主细胞中,其条件细胞培养基,该基因修饰的细胞的药物制剂,以及该基因修饰的细胞在治疗免疫性疾病包括炎症、自身免...
  • 本公开提供了一种用于从T细胞祖细胞生成T细胞谱系群体的方法。所述方法包括在存在提供在至少7平方厘米/毫升培养体积(7cm2/mL)的表面积上的诸如δ样4(DL4)的Notch信号传导配体的情况下培养所述祖细胞。提供了使用所述方法产生的细胞的...
  • 提供一种细胞群的制造方法,所述细胞群可以提供导入物质被细胞的摄入得到改良的方法。细胞群的制造方法包括:用半透膜(14)包覆细胞及递送物质而形成细胞胶囊(10),并在细胞胶囊(10)内培养细胞。
  • 本公开涉及能够与APOE前mRNA或mRNA杂交并降低其表达的寡核苷酸,特别是反义寡核苷酸(ASO)及其药学上可接受的盐。本文公开的ASO能够减少哺乳动物(例如,人)中APOE蛋白的翻译。本公开进一步涉及通过施用本文公开的反义寡核苷酸来治疗...
  • 本发明涉及一种用于视网膜细胞中的基因表达的启动子,以及包含该启动子的载体系统。根据本发明的用于视网膜细胞中的基因表达的启动子及包含其的载体系统具有最小的启动子活性单位,并且与视网膜细胞中现有已知的启动子不同,维持靶基因的高水平表达,因此可以...
  • 本发明涉及用于检测含有核酸的生物物质中的核酸末端的方法。本发明还涉及用于检测生物物质中核酸末端的试剂盒和所述试剂盒的相关用途。另外,本发明涉及用于评估治疗剂的有效性的方法。
  • 提供了用于调整靶分子与脂质膜的相互作用的脂质结合分子以及/或者脂质结合蛋白与脂质组分的组合(即 mispid)。这包括例如使用所述脂质结合分子和/或 mispid 来改善基于纳米孔的测序系统的测序效率和通量。为了对诸如核酸序列或由其衍生的替...
  • 一种铝合金铸块的制造方法,所述铝合金铸块包含添加元素Cu:0.30质量%~1.0质量%、Mg:0.80质量%~1.8质量%、Si:0.90质量%~1.9质量%、Mn:0.30质量%~1.2质量%、Fe:0.20质量%~0.65质量%、Zn:...
  • 本发明涉及钢板以及用于制造其的方法,并且更具体地,涉及在焊后热处理之后具有优异的强度和韧性的钢板以及用于制造其的方法。
  • 氨处理装置(1)具备氨接触部(10),该氨接触部(10)包含含有β相NiAl金属间化合物的改性层(12),且构成为氨与改性层(12)接触。氨接触部(10)可以包含金属基材(11),改性层(12)可以覆盖金属基材(11)。
  • 一种溅射靶,具备以氧化铟为主成分的氧化物烧结体,关于所述氧化物烧结体,通过阿基米德法测量的所述氧化物烧结体的密度为6.9g/cm3以上,所述氧化物烧结体中包含的氧化铟的晶粒的平均晶体粒径为5μm以上25μm以下,在以500倍的倍率观察所述氧...
  • 叙述用于形成低κ介电材料的半导体处理方法。所述方法可包括提供沉积前体至半导体处理腔室的处理区。所述沉积前体可包括含硅碳与氢前体。基板可安置在所述处理区内。所述方法可包括形成所述沉积前体的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上沉积含硅材料...
  • 低温含金属膜沉积方法包括,将试剂引入至容纳半导体衬底的处理室中并且向半导体衬底施加来自光源的光脉冲,因而导致在半导体衬底的顶表面和/或成核层上的温度快速且瞬时地升高。在金属前体输送期间、在还原剂输送期间、或在清扫期间,可照射衬底。钼、钨、或...
  • 提供了一种受保护部件,其包括:限定表面的基材;以及在基材表面上的再生表面处理物。基材包含铝基合金。再生表面处理物包括分散在基材表面上的环境反应性沉积物的阵列,该阵列中的每个环境反应性沉积物在表面上限定一个独立区域。环境反应性沉积物的阵列包含...
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