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  • 本发明公开了一种基于宽贝塞尔曲线的太阳能电池电极栅线结构及布局方法,该电极栅线结构由多条形状尺寸可控的宽贝塞尔曲线构成,所述的宽贝塞尔曲线的形状尺寸由贝塞尔曲线的控制点坐标和贝塞尔曲线控制点处的宽度值共同控制,通过优化所述的贝塞尔曲线控制点...
  • 本申请涉及一种太阳电池电极结构及其制备方法和应用。本申请的太阳电池电极结构包括焊接层和焊接加厚层。焊接层设置于太阳电池主体的表面上,焊接层远离太阳电池主体的表面上具有凹陷部。焊接加厚层设置于凹陷部,沿焊接层的厚度方向上,焊接加厚层突出于焊接...
  • 本发明公开了一种太阳电池的制备方法及太阳电池、光伏组件,该太阳电池的制备方法包括以下步骤:在电池本体的表面形成种子层;在种子层的表面形成图形化的掩膜层,掩膜层的图形化区域对应待形成金属层的区域;去除掩膜层未覆盖的种子层,形成图形化的种子层;...
  • 本申请涉及一种光伏组件加工方法和光伏组件加工设备。光伏组件加工方法包括如下步骤:提供太阳电池和焊带,所述太阳电池包括电池片、正极栅线以及负极栅线,所述正极栅线和所述负极栅线位于所述电池片的表面。通过所述正极栅线和所述负极栅线对所述太阳电池施...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,制备方法包括:在太阳电池基片的表面制备金属种子层,表面包括基片本体区以及位于基片本体区至少一侧的导体连接区;在金属种子层上制备绝缘层;对基片本体区内的绝缘层进行图案化形成图形化凹槽区域;在导体连接区的金...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,太阳电池包括:硅片衬底,硅片衬底的至少一个表面上设有沟槽,沟槽的口部宽度小于沟槽的底部宽度;第一电极,设于沟槽中。本申请的太阳电池通过在硅片衬底的表面上设置特定形状的沟槽,将第一电极设置在该特定形状沟槽...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,太阳电池包括硅衬底、隧穿氧化层和复合层;隧穿氧化层设于硅衬底的表面上;复合层设于隧穿氧化层背离硅衬底的表面上,复合层包括掺杂元素遮蔽层和多层掺杂多晶硅层,掺杂元素遮蔽层设于多层掺杂多晶硅层之间,且最靠近...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,太阳电池包括N型硅片、正面隧穿氧化层、背面隧穿氧化层、硼扩散发射极、图形化N型掺杂多晶硅层、P型掺杂多晶硅层、正面电极和背面电极;正面隧穿氧化层和图形化N型掺杂多晶硅层依次设于N型硅片的正面;正面电极设...
  • 本申请涉及光伏技术领域,提供了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件。太阳电池包括基底和电极。电极包括合金种子层和扩散层,合金种子层设置于基底上,扩散层设置于合金种子层与基底之间,扩散层的材料包含基底中元素与合金种子层中元素所组成的化合物。本申...
  • 本公开提供了一种太阳电池及制备方法。该太阳电池包括电池基底以及设置于所述电池基底上的栅线电极;所述栅线电极包括电极基体以及设置于所述电极基体上的合金保护层,所述电极基体包括铜金属,所述合金保护层包括化学式为CuMx的合金材料,其中M选自Sn...
  • 本申请公开了一种应用于太阳能电池片的栅线、太阳能电池片和栅线的制备方法,属于太阳能电池技术领域。所述栅线包括:第一导电结构和第二导电结构,所述第一导电结构设置于所述太阳能电池片的电池片本体,所述第二导电结构设置于所述第一导电结构的表面;其中...
  • 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:半导体基底;掺杂导电层,设置在半导体基底上;钝化层,设置在掺杂导电层远离半导体基底的一侧;多个集电电极,设置在钝化层远离掺杂导电层的一侧,多个集电电极沿第一方向延伸,且...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括:第一绝缘胶段,覆盖第一收集栅线的部分结构,第一绝缘胶段包括第一绝缘胶头部和第一绝缘胶尾部,第一绝缘胶头部靠近第二串接区,第一绝缘胶尾部远离第二串接区;第二绝缘胶段,覆盖第二收集...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括:硅基底;设置于所述硅基底上的电极,所述电极包括收集栅线,所述收集栅线沿第一方向延伸;以及在所述第一方向上,相邻两条所述收集栅线之间存在间隔,所述间隔用于形成串接区,所述串接区的...
  • 本发明公开了一种钝化接触太阳电池及其制备方法、光伏组件,钝化接触太阳电池包括:硅基底;介质层,设置于硅基底的表面;叠层设置于介质层背离硅基底一侧的掺杂层;叠层设置于掺杂层背离硅基底一侧的氧化物层;叠层设置于氧化物层背离硅基底一侧的功能层;第...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备工艺、光伏组件,该钝化接触结构包括:介质层、掺杂多晶硅层,以及,设于介质层与掺杂多晶硅层之间的多晶硅阻挡层和掺碳阻挡层,多晶硅阻挡层设置于介质层靠近所述掺杂多晶硅层的...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括:硅基底,硅基底的第一表面和第二表面、或者第一表面具有第二区域、以及相较于第二区域向所述硅基底自身内陷形成的第一区域,第一区域与第二区域交界处的硅基底形成台阶状结构...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括:硅基底;设于背光面的第一钝化接触结构,包括第一介质层和对第一本征多晶硅层P型掺杂形成的第一掺杂多晶硅层;设于背光面的第二钝化接触结构,包括第二介质层和对第二...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中太阳电池包括硅基底,硅基底的背光面包括层叠设置的介质层和第一掺杂层,第一掺杂层包括层叠设置的第一子层和第二子层,第一子层背离第二子层的一面朝向介质层;第二子层间隔设置于第一子层背离介质层的...
  • 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述太阳电池包括:硅衬底;设置在硅衬底的第一侧的第一本征非晶硅层、第一掺杂硅材料层、第一透明导电层以及第一栅线,第一掺杂硅材料层的掺杂类型与硅衬底的掺杂类型相反;以及设置在硅衬底的第二侧的第二本征非晶硅层...
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