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最新专利技术
  • 显示设备和具有该显示设备的电子设备
    显示设备和具有该显示设备的电子设备_三星显示有限公司_202510653902.3
    本申请涉及显示设备和具有该显示设备的电子设备，该显示设备，包括：基础层，包括显示区域和非显示区域，显示区域包括在第一方向上布置的单元区域，非显示区域包括芯片区域和比芯片区域远离显示区域的焊盘区域；驱动器IC，在芯片区域中；像素，与单元区域中...
    2025-12-01
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202511171356.6
    一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括：至少一个第一连接垫(3)，设置在所述第一信号接入区(206)上；至少一个第二连接垫(5)，设置在所述第二信号接入区中；至少一条信号连接线(4)，位于所述走线设置区(207)上，所述至少一条...
    2025-12-01
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202510527478.8
    本申请涉及显示设备，该显示设备包括：多个像素，该多个像素包括彼此间隔开的多个发射区域；第一光阻挡层，设置在显示区域中并且包括与多个发射区域重叠的多个孔；多个滤色器，设置在第一光阻挡层上并且分别与多个孔对应；以及第二光阻挡层，设置在多个滤色器...
    2025-12-01
  • 一种显示基板、显示设备及显示基板制作方法
    一种显示基板、显示设备及显示基板制作方法_京东方科技集团股份有限公司_202511142090.2
    本发明实施例提供了一种显示基板、显示设备及显示基板制作方法，显示基板包括多个像素单元和多个绝缘结构；像素单元包括阳极结构，在相邻的阳极结构之间设置一个所述绝缘结构。通过将相邻阳极结构使用绝缘层隔开，保证像素单元间阳极结构的隔断，从而提高产品...
    2025-12-01
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202510477901.8
    本公开涉及显示装置。所述显示装置包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；像素电路层，设置在基底上；发光元件层，设置在像素电路层上并且包括多个发光元件；以及滤光层，设置在发光元件层上并且包括分别与多个发光元件重叠的多个滤光器。多个...
    2025-12-01
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510650103.0
    根据本说明书的显示装置可以包括：基板，基板具有显示区域和包括弯曲区域的非显示区域；位于显示区域和非显示区域上的封装层；在非显示区域中与封装层接触的内坝；触摸构件，触摸构件至少部分地位于封装层和内坝上，并且包括触摸线、触摸绝缘膜、触摸平坦化膜...
    2025-12-01
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202511134516.X
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括：驱动背板、像素定义层、多个发光器件和多个编码图案。编码图案中的反光单元用于反射光学笔所射出的第一光线，且被反光单元反射后的第二光线与第一光线平行。这样，光学笔所发出的第一...
    2025-12-01
  • 显示模组及其制备方法、显示装置
    显示模组及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202511151019.0
    本公开涉及一种显示模组及其制备方法、显示装置。本公开的显示模组包括中间区域和周边区域。显示模组包括显示面板组件和盖板，显示面板组件包括显示面板。显示面板包括显示部，显示部覆盖中间区域和部分周边区域；光学膜片位于显示部的出光侧，光学膜片覆盖中...
    2025-12-01
  • 显示装置的制造方法
    显示装置的制造方法_三星显示有限公司_202511041454.8
    本公开涉及一种显示装置的制造方法，包括：将多个单元配置于承载基板上的步骤，多个单元包括基板，基板包括显示区域和围绕至少一部分显示区域的非显示区域；在多个单元的每一个形成包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层的步骤；检查在薄膜...
    2025-12-01
  • 沉积掩模、制造沉积掩模的方法以及电子装置
    沉积掩模、制造沉积掩模的方法以及电子装置_三星显示有限公司_202510440039.3
    本公开涉及沉积掩模、制造该沉积掩模的方法和通过使用该沉积掩模制造的电子装置。沉积掩模包括：膜状物，包括设置在衬底的单元格开口上的单元格区域；以及多个翘曲控制图案，在衬底和膜状物之间沿着单元格区域的边缘部分设置，并且以悬臂形状支承单元格区域的...
    2025-12-01
  • 一种气液耦合定向外延钙钛矿梯度异质结的模组及方法
    一种气液耦合定向外延钙钛矿梯度异质结的模组及方法_西安电子科技大学_202511432009.4
    本发明公开了一种气液耦合定向外延钙钛矿梯度异质结的模组及方法，属于太阳能电池领域，制备方法包括将透明导电层分割为多个透明导电子层；制备空穴传输层；制备钙钛矿薄膜；对钙钛矿薄膜进行梯度异质结的定向外延从而完成表面平整化处理，得到表面平整的钙钛...
    2025-12-01
  • 一种用于量子点薄膜的气相有机配体移除方法
    一种用于量子点薄膜的气相有机配体移除方法_绍芯实验室_202510992262.9
    本申请涉及一种用于量子点薄膜的气相有机配体移除方法，该方法通过在密闭环境中加热苯等有机溶剂，使溶剂蒸汽缓慢作用于已沉积形成的量子点薄膜表面，实现有机配体的温和移除，解决了传统液相浸泡法导致薄膜龟裂的问题，能有效移除影响载流子传输的绝缘性有机...
    2025-12-01
  • 一种钙钛矿电池涂覆层结晶退火炉系统
    一种钙钛矿电池涂覆层结晶退火炉系统_凯睿达(苏州)新能源科技有限公司_202511110243.5
    本发明涉及一种钙钛矿电池涂覆层结晶退火炉系统，它包括依次相邻设置的入料升降单元、预热腔单元、至少一个固化腔单元和冷却腔单元，所述入料升降单元用于提升载料工装并将所述载料工装输送至所述预热腔单元内，所述预热腔单元、至少一个所述固化腔单元和所述...
    2025-12-01
  • 一种A轴高度择优取向钙钛矿复合薄膜的制备方法
    一种A轴高度择优取向钙钛矿复合薄膜的制备方法_上海第二工业大学_202511175187.3
    本发明公开了一种A轴高度择优取向钙钛矿复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、在大气环境及室温条件下，采用旋涂技术涂敷一层钙钛矿前驱物，通过70℃左右的低温烘烤获得钙钛矿薄膜；S2、在真空条件下，通过磁控溅射沉积技术在钙钛矿薄膜表面制备厚度...
    2025-12-01
  • 钙钛矿光伏器件及其制备方法
    钙钛矿光伏器件及其制备方法_浙江大学_202511517540.1
    本发明公开了一种钙钛矿光伏器件及其制备方法。钙钛矿光伏器件的空穴传输层采用具有支链刚性、头部功能性分子及螺手性特征的自组装单分子层材料制成。制备方法包括：在基底或含中间复合层的底部电池表面制备空穴传输层；将钙钛矿前驱体溶液滴在空穴传输层上，...
    2025-12-01
  • 一种基于咪唑类蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法
    一种基于咪唑类蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法_电子科技大学_202511125851.3
    本发明公开了一种基于咪唑类蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法，属于有机光电子领域，该器件结构包括透明衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、界面激子调控层、有机活性层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在外加正向电压的驱动下, 该有机双功能器...
    2025-12-01
  • 一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法及单晶硒化锡热电薄膜
    一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法及单晶硒化锡热电薄膜_上海阿波罗机械股份有限公司_202511126580.3
    本申请涉及薄膜热电材料技术领域，具体公开了一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法，具体制备方法流程为：S1，衬底清洗；S2，衬底放置；S3，抽真空；S4，衬底除气；S5，蒸发源加热；S6，薄膜生长；S7，薄膜冷却；S8，取出样品。本申请以上述分子...
    2025-12-01
  • 一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法
    一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法_南昌大学_202511186432.0
    一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法，包括聚(3‑己基噻吩)溶液与主体溶剂氯仿、客体溶剂正己烷或异丙醇的配制；薄膜器件的制备。本发明相较于以往的增强聚合物结晶性与均匀性的方法，具有以下特点：(1)避免了复杂的分子设计；(2)相较于复...
    2025-12-01
  • 一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法
    一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511148098.X
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法，包括如下步骤：S1：玻璃基板进行底部电极沉积与图案化处理；S2：铺设PVDF层；S3：顶部电极沉积与图案化处理；S4：进行钝化打印，得到钝化层；S5：使用焊盘和芯...
    2025-12-01
  • 一种异质集成复合衬底及其制备方法
    一种异质集成复合衬底及其制备方法_达波科技(上海)有限公司_202511517220.6
    本发明提供了一种异质集成复合衬底及其制备方法，涉及光电子和射频声学器件技术领域。异质集成复合衬底从下到上依次包括衬底层、多晶硅层、梯度折射率SiO2缓冲层以及压电材料层；其中，梯度折射率SiO2缓冲层从下到上包括第i子层且折射率呈梯度上升，...
    2025-12-01
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