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最新专利技术
  • 存储器结构
    存储器结构_浙江驰拓科技有限公司_202410443447.X
    本发明提供了一种存储器结构。该存储器结构包括：电连接的磁性隧道结和金属线， 电连接为串联连接或并联连接， 且在存储器结构为写入状态的情况下， 磁性隧道结具有击穿电压， 金属线具有熔断电压， 击穿电压和熔断电压的电压值不同。通过本申请， 解决...
    2025-11-20
  • 基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器设计和制造方法
    基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器设计和制造方法_北京理工大学_202510678641.0
    基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器设计和制造方法， 属于微电子集成系统三维电感领域。基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器包括第一TGV结构、第二TGV结构、第一衬底层、第二衬底层、第一导体结构、第二导体结构、第一磁芯结构和第二磁芯结构。若...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510976297.3
    本公开关于半导体技术领域， 涉及一种半导体结构及其形成方法， 该形成方法包括：形成衬底， 衬底具有电容孔；形成随形覆盖衬底的电容材料层；电容材料层至少包括第一电极层、第二电极层及位于第一电极层和第二电极层之间的第一介质层；第一电极层位于第二...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510976339.3
    本公开是关于半导体技术领域， 涉及一种半导体结构及其形成方法， 该形成方法包括：在衬底上形成垫高层；在衬底内形成电容孔， 电容孔位于垫高层的一侧；形成随形覆盖衬底和垫高层共同构成的结构上的电容材料层， 电容材料层至少包括第一电极层、第二电极...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_世界先进积体电路股份有限公司_202410403547.X
    一种半导体装置， 包含第一导电类型的第一井区设置于基底内， 第二导电类型的第一掺杂区埋藏于第一井区内， 其中第一掺杂区包含中间部分和周边部分， 且第一井区包含连续区块位于中间部分正上方。第二导电类型的第二掺杂区设置于第一井区内， 且位于第一...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410913076.7
    本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层， 包含沿第一方向延伸的多个第一沟槽与多个第二沟槽；第一沟槽之中的第一栅极电极；第二沟槽之中的第二栅极电极；第一栅极布线， 包含第一上部金属层与第一下部金属层， 且电连接于第...
    2025-11-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202410913079.0
    实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极、设置于所述第一电极上的半导体层、以及设置于半导体层上的第二电极。半导体层具有：第一导电型的第一半导体层， 包含稀土类元素；以及第二导电型的第二半导体层， 设置于第一半导体层上， ...
    2025-11-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202410934300.0
    本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极， 包含第一金属层、第二金属层以及绝缘物；第二电极；半导体层， 设置于第一电极与第二电极之间；以及绝缘层， 设置于第一电极与半导体层之间， 第一电极具...
    2025-11-20
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_华南理工大学_202510729197.0
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法， 其包括：半导体基板、第一导电型的漂移层、第二导电型的基极层、第一导电型的第一发射极层、第二导电型的第二发射极层、多个沟槽栅极和第二导电型的集电极层；其中， 沟槽栅极包括：栅极沟槽、栅极绝缘膜、第一栅...
    2025-11-20
  • 一种IGBT芯片及其栅极耐压工艺制造方法
    一种IGBT芯片及其栅极耐压工艺制造方法_成都森未科技有限公司_202511318020.8
    本发明提出一种IGBT芯片及其栅极耐压工艺制造方法， 包括：对当前批次的IGBT晶圆进行p型离子注入工艺；对p型离子注入工艺后的IGBT晶圆进行p型离子退火工艺， p型离子退火工艺条件为1150℃/70min/N2+O2；对p型离子退火工艺...
    2025-11-20
  • MOS晶体管结构及其制备方法
    MOS晶体管结构及其制备方法_协芯科技有限公司_202410393559.9
    本发明实施例公开一种MOS晶体管结构的制备方法， 包括：提供基底， 所述基底包括外延区、第一阱区、第二阱区和源极区， 所述外延区具有第一表面， 所述第一阱区和所述第二阱区之间存在间距；在所述基底远离所述第一表面的一侧形成绝缘层， 所述绝缘层...
    2025-11-20
  • 一种半导体结构的形成方法、半导体结构及集成芯片
    一种半导体结构的形成方法、半导体结构及集成芯片_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410418161.6
    本发明涉及半导体技术领域， 特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构及集成芯片。该方法通过提供一半导体衬底；对所述半导体衬底的预设区域进行掺杂处理；在所述半导体衬底上形成第一目标层， 或者， 利用预设低温沉积工艺在所述半导体衬底上形成第...
    2025-11-20
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410418527.X
    本发明公开了一种半导体结构的形成方法， 包括：提供基底；所述基底上具有沟道叠层材料层， 所述沟道叠层材料层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层；对部分所述沟道叠层材料层进行刻蚀直至暴露所述基底， 在所述基底上形成鳍结构；所述鳍结构的侧壁上具...
    2025-11-20
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410433066.3
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供基底；在基底上形成包括一个或多个沟道叠层的沟道结构层， 沟道叠层包括相对设置的内侧墙、位于相对设置的内侧墙之间的牺牲层、以及位于内侧墙和牺牲层上的沟道层；在基底上形成横跨沟道结构层的伪栅结构；在伪栅结构...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410438384.9
    一种半导体结构及其形成方法， 包括：提供基底， 形成位于基底上的多个鳍；形成横跨所述多个鳍的伪栅， 所述基底形成有伪栅的区域为栅极区；在所述伪栅露出的鳍上形成源漏掺杂层；去除所述伪栅， 露出位于栅极区的鳍；对位于所述栅极区的鳍进行修剪工艺，...
    2025-11-20
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社东芝_202410934290.0
    实施方式涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法具有下述工序：在半导体层形成沟槽和台面部；在沟槽内形成场板电极；在场板电极上、台面部上及台面部的上部侧壁形成氮化硅膜；在形成氮化硅膜后， 在沟槽内及台面部上， 通过化学气相沉...
    2025-11-20
  • 半导体装置结构与其形成方法
    半导体装置结构与其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510661866.5
    一种半导体装置结构与其形成方法， 该形成方法包括形成牺牲栅极堆叠于鳍状结构的一部分上；移除鳍状结构的露出部分， 以露出基板的一部分与鳍状结构的半导体层的表面；沉积第一半导体材料于基板其露出的部分上；沉积介电层；进行蚀刻工艺以修整掉介电层的侧...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_江苏长晶科技股份有限公司_202511316186.6
    本申请涉及集成电路技术领域， 特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的一侧形成外延材料层， 外延材料层内设有第一沟槽， 且第一沟槽的侧壁表面形成有阻挡层；基于阻挡层， 刻蚀第一沟槽底部的外延材料层，...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511316649.9
    本发明公开了一种半导体器件及其制作方法， 属于半导体技术领域， 制作方法包括：提供一衬底， 其内设有阱区；在阱区上形成光刻胶图案并作为掩膜， 向阱区内注入离子， 形成以阱区为间隔的一对第一轻掺杂区；在一对第一轻掺杂区之间的衬底上形成栅极结构...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件及制备方法、电子设备
    一种半导体器件及制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410410608.5
    本申请提供一种半导体器件及制备方法、电子设备， 半导体器件包括衬底、层叠的沟道层和势垒层、基质层以及栅极， 势垒层包括栅槽， 栅槽暴露出沟道层；介质层至少位于栅槽的侧壁和由栅槽暴露出的沟道层的表面；其中， 位于栅槽侧壁上的介质层的厚度， 大...
    2025-11-20
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