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  • 本公开提供一种封装基板的制作方法。具体地, 所述制作方法包括:提供一具有嵌埋口框的框架基板;其中, 框架基板包括相对的第一表面和第二表面;所述嵌埋口框贯穿所述第一表面和所述第二表面;提供一承载膜;其中, 承载膜包括未固化的无玻纤介质胶膜及键...
  • 本发明提供了一种陶瓷封装结构制备方法及陶瓷封装结构, 属于半导体器件技术领域, 包括在基板上加工通孔, 并在基板表面和通孔内壁形成金属化的种子层;在基板表面涂覆光阻层, 采用光刻工艺对基板进行加工, 并在种子层上形成应力缓冲层;在基板表面涂...
  • 一种半导体封装用的基板的加工方法, 包括针对基板的异常翘曲区域进行局部热压的动作, 以对该基板即时进行翘曲改善, 故可避免于最终产品成型时需进行整体压合工艺而造成大面积损伤线路的问题。
  • 本发明公开了一种芯片支架用高导热不锈钢及其制备方法, 涉及不锈钢镀覆技术领域。本发明中先在不锈钢基体表面镀镍, 再进行镀铜, 最后涂覆高导热涂料, 得到芯片支架用高导热不锈钢;镍与不锈钢的晶格匹配性较高, 形成的镀镍层与不锈钢基体结合力高,...
  • 本发明提供一种宇航级多层堆叠组件的封装方法, 涉及微波组件加工的技术领域, 包括以下步骤:步骤1:将待封盖组件组装好后安装在工装中, 所述工装包括:底座、围框、抵块、撑杆;步骤2:将装有待封盖组件的工装放置在加热平台上;步骤3:采用阶梯升降...
  • 本文针对现有金属凸块防腐技术的局限性, 提出了一种创新工艺:采用纯银电镀形成凸块主体, 通过二次电镀纯金在其所有外露面形成完整的金包裹结构, 该工艺通过精确调控两次电镀参数及第二次光刻图形尺寸, 使薄金层均匀包裹银凸块外露表面, 有效解决了...
  • 本发明公开一种GPU芯片成型设备及芯片封装方法, 包括:对裸片与基板间隙注入含紫外光引发剂、潜伏热引发剂、上转换发光纳米粒子、磁感应加热纳米粒子的底部填充树脂, 形成功能化树脂层;对外围区域实施紫外光照射, 使光引发剂聚合放热并激活潜伏热引...
  • 本发明公开了一种自动化半导体芯片封装装置, 包括机体, 机体的顶端贯穿开设有方形槽, 机体顶部右侧安装有机械吸盘, 机体的顶部与方形槽相对应位置处设置有上模机构。本发明通过上模机构、下模机构和第二辅助机构的配合使用, 实现了自动化生产封装框...
  • 本发明涉及晶圆塑封技术领域, 尤其涉及一种应用于液态树脂晶圆塑封的工艺优化方法及系统, 包括:获取液态树脂初始特性、释放膜初始状态以及晶圆尺寸结构特征;基于液态树脂初始特性和释放膜初始状态, 确定释放膜预热控制参数, 并以此进行预热工序;在...
  • 本申请提供了一种电子器件的形成方法。所述方法包括:提供第一芯片和第二芯片, 所述第一芯片包括多个第一硅通孔, 所述第二芯片包括多个第二硅通孔, 其中, 多个第一连接凸块贴附于所述第一芯片的下表面上, 且所述多个第一连接凸块中的至少一部分与所...
  • 本发明提供一种金属焊盘的制备方法、半导体器件。其中, 所述制备方法是预先在金属焊盘的顶表面上形成金属阻挡层, 再采用分步刻蚀的方式来打开金属焊盘。即, 先刻蚀钝化结构, 以形成第一开口。且在这一刻蚀步骤中金属阻挡层作为刻蚀停止层, 则刻蚀产...
  • 本发明公开了一种微波多腔体系统级封装一体化钎焊与熔封方法, 包括:准备待钎焊熔封的产品, 该产品由2层以上功能层构成;准备限位底座, 限位底座的中间设置第一开孔, 限位底座四边的中间区域开槽, 将待钎焊熔封产品放入限位底座;准备限位盖板, ...
  • 本发明公开了一种测量外延图形偏移量的方法。该方法包括以下步骤:在衬底上形成填充有第一材料的第一沟槽作为深层的第一对准标记;以该第一对准标记为基准, 在衬底表面形成第二对准标记, 并测量两者间的初始第一偏差量;在衬底上进行外延生长形成外延层;...
  • 本发明公开了一种UV减粘膜的扩膜性能测试方法, 涉及半导体制造领域。针对现有测试方法单一参数评估片面、数据孤立分析及工艺模拟不足的问题, 本方法通过以下步骤实现系统性评估:首先制备哑铃型试样和晶圆贴附样品, 其次开展多维度同步测试及环境耐受...
  • 本申请属于LED封装技术领域, 具体涉及一种评估固晶胶水抗芯片位移旋转的方法及系统。包括以下步骤:选取常规型LED支架, 所述LED支架的功能区可容纳至少两个芯片;通过固晶机在所述功能区内设置至少两个所述芯片, 并将相邻所述芯片之间的间隔距...
  • 本发明涉及芯片封装定位技术领域, 特别涉及一种芯片封装定位治具。所述定位基座的一侧壁上开设有工作槽;所述工作槽内设有芯片定位机构。本发明通过控制相邻的连接磁柱朝向相对的一侧移动, 使得弹性片被压缩, 由于弹性片呈波浪形, 在压缩过程中宽度变...
  • 本发明公开了一种晶圆键合机上检测晶圆对不整齐的装置及方法, 键合机具有用于承载晶圆对的工作台, 于工作台中设置有用于将晶圆对抬升的顶针组件, 所述的顶针组件中, 至少有两个顶针上设置有称重元件, 通过称重元件测量晶圆对的重心和重量;每个称重...
  • 本发明提供一种能够提高陶瓷基体的体积电阻率且能够稳定地制造的半导体制造装置用加热器。本发明的实施方式所涉及的半导体制造装置用加热器具备陶瓷基体和发热体。陶瓷基体包含氮化铝。发热体植入于陶瓷基体。陶瓷基体包含二种以上的稀土元素, 且作为稀土元...
  • 本发明涉及一种平坦化设备, 其包括多个处理器, 所述多个处理器包括第一处理器和第二处理器并且被构造成在所述处理器中的每一个中执行基板的平坦化处理。第一处理器布置在第一输送机器人对基板和平整构件中的一者的输送范围内, 该第一输送机器人布置在装...
  • 本发明有关于一种基板处理装置用气体管理组件, 包括:排气模块, 具有基本排气管线, 用于将供给至基板处理装置的腔室的包含工艺气体的腔室气体排出至排放系统;再生连接模块, 具有再生排气管线, 该再生排气管线从该基本排气管线分支出来, 用于将该...
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