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最新专利技术
  • 一种等离子蚀刻装置
    一种等离子蚀刻装置_苏州运宏电子有限公司_202510841383.3
    本发明涉及半导体蚀刻技术领域， 具体地说， 涉及一种等离子蚀刻装置， 其包括机架， 所述机架上设置有可升降的升降架， 所述升降架上安装有可转动的供气主管， 所述供气主管的下方布置有横管， 且横管与供气主管之间通过管路连通， 所述横管上固定有...
    2025-12-03
  • 真空等离子体处理用恒温鼓泡式供给装置及使用方法
    真空等离子体处理用恒温鼓泡式供给装置及使用方法_宁波高瑟医疗科技有限公司_202510987880.4
    本发明公开了真空等离子体处理用恒温鼓泡式供给装置及使用方法， 包括恒温热浴箱， 所述恒温热浴箱内构成恒温腔， 所述恒温腔内灌注有导热介质， 所述恒温热浴箱内设置有防倒吸缓冲仓和恒温鼓泡器， 所述恒温热浴箱插设有载气输入管， 所述载气输入管插...
    2025-12-03
  • 基于热释电的无磁低电压MEMS溅射离子泵
    基于热释电的无磁低电压MEMS溅射离子泵_合肥工业大学_202510938002.3
    本发明涉及一种基于热释电的无磁低电压MEMS溅射离子泵。其包括：电子发射层、第一间隔层、电子加速层、第二间隔层、离子吸附层；电子发射层中减薄热释电晶体在表面温度变化后会产生热释电效应， 从而在晶体表面积累电势并释放电子。不同于传统的热阴极和...
    2025-12-03
  • 质谱仪及离子处理装置
    质谱仪及离子处理装置_深圳市禾越生物科技有限公司_202510881951.2
    本发明公开了一种质谱仪及离子处理装置， 该质谱仪包括离子源、离子处理装置、传输装置及检测装置， 离子源用于产生带电离子， 离子处理装置设置于离子源的输出端， 离子处理装置包括第一基体、第二基体、连接件以及加热组件， 第一基体靠近离子源且形成...
    2025-12-03
  • 真空紫外光源芯片及其制备方法、微型光离子化检测器
    真空紫外光源芯片及其制备方法、微型光离子化检测器_武汉大学_202510818075.9
    本公开实施例提供了一种真空紫外光源芯片及其制备方法、微型光离子化检测器， 属于光离子化检测器领域。该真空紫外光源芯片应用于光离子化检测器， 包括第一衬底、第一硅电极层、介质阻挡层和透紫外光盖板；第一硅电极层设置于第一衬底上， 第一硅电极层包...
    2025-12-03
  • 一种液冷氙灯光源
    一种液冷氙灯光源_北京泊菲莱科技有限公司_202511267000.2
    本发明涉及一种液冷氙灯光源， 属于光源设备技术领域， 该液冷氙灯光源包括包括外壳和光源组件， 外壳套设在光源组件外， 光源组件包括氙灯、阴极延长环和阳极延长环， 阴极延长环和阳极延长环分设于氙灯的阴极端和阳极端， 阴极延长环外套设有阴极散热...
    2025-12-03
  • 一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法
    一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法_安徽晶微科技有限公司_202510720416.9
    本发明属于芯片清洗技术领域， 公开了一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法， 包括以下步骤：(1)将晶圆片放入添加氟碳表面活性剂的无水乙醇中进行第一次清洗；(2)采用异丙醇和压缩气体对第一次清洗后的晶圆片进行二流体喷雾清洗；(3)干燥二流体喷雾...
    2025-12-03
  • 研磨腔内对晶圆实施的清洗方法
    研磨腔内对晶圆实施的清洗方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510822327.5
    本申请提供一种研磨腔内对晶圆实施的清洗方法， 通过在研磨腔晶圆传出位置的中心位置设置的内部安装有驱动装置的基座及该基座顶部安装的与该驱动装置协同工作的可360度旋转喷水的清洗喷头向晶圆晶面喷射覆盖晶圆直径的水幕对研磨后的晶圆进行预清洗， 控...
    2025-12-03
  • 掺杂多晶硅薄膜的形成方法
    掺杂多晶硅薄膜的形成方法_上海新微技术研发中心有限公司_202510909563.0
    本申请涉及半导体制造领域， 具体地说， 是涉及一种掺杂多晶硅薄膜的形成方法， 该形成方法包括：在衬底的氧化层上沉积掺杂的多晶硅以形成掺杂多晶硅薄膜；对掺杂多晶硅薄膜进行高温退火， 高温退火包括预热阶段、升温阶段和退火阶段， 在预热阶段和升温...
    2025-12-03
  • 一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法
    一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法_厦门大学_202510961432.7
    本发明提供了一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法， 属于半导体制造技术领域。本发明利用电感耦合等离子体增强型化学气相沉积在沟槽结构的顶部、侧壁和底部沉积含碳阻挡层， 随后利用氨气等离子体轰击对沟槽侧壁进行定向蚀刻， 实现沟槽侧壁的含碳阻挡层精确...
    2025-12-03
  • 一种磷化铟晶片的清洗工艺
    一种磷化铟晶片的清洗工艺_广东先导微电子科技有限公司_202510994174.2
    本发明涉及晶片清洗领域， 具体是一种磷化铟晶片的清洗工艺。本发明提供的磷化铟晶片的洗片方法， 通过第一清洗液， 第一清洗液和第三清洗液的作用， 最后经过水和浓硫酸的清洗， 基本去除了磷化铟晶片衬底表面的金属化合物离子和有机颗粒， 重金属及无...
    2025-12-03
  • 基于金属硬掩膜的金属薄膜剥离方法
    基于金属硬掩膜的金属薄膜剥离方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202510929018.8
    本发明公开了一种基于金属硬掩膜的金属薄膜剥离方法， 包括：在基底上形成金属种子层；在金属种子层上形成图形化光刻胶掩膜；选择性增厚未被光刻胶掩膜覆盖的金属种子层区域， 金属硬掩膜；去除光刻胶掩膜， 形成开窗区域；腐蚀去除开窗区域的金属种子层；...
    2025-12-03
  • 硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备
    硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202511316612.6
    本发明提供一种硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备， 该方法包括：将待刻蚀器件置于等离子体反应腔内；向所述等离子体反应腔内施加第一射频激励， 以将所述等离子体反应腔内的工艺气体激发为等离子体；向所述等离子体反应腔内施加第一固定功率的第二射频激励， 以驱...
    2025-12-03
  • 二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜
    二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜_原集微科技(上海)有限公司_202511316637.6
    本发明公开了一种二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜， 其中， 制备方法包括在二维半导体表面依次沉积第一介质层、第二介质层， 第二介质层在第一介质层去除液中的刻蚀速率小于第一介质层；刻蚀工艺去除目标掺杂区域第二介质层和部分第一介质层...
    2025-12-03
  • 功率半导体结构及其制造方法
    功率半导体结构及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202410414186.9
    本发明提供了功率半导体结构及其制造方法。功率半导体结构包括：衬底；外延层， 其在所述衬底上方；凹槽， 其延伸至所述外延层中；掺杂区， 其设置于所述凹槽之下方；接触构件， 其设置于所述掺杂区上方或部分地被所述掺杂区包围；及势垒层， 其设置于所...
    2025-12-03
  • 半导体芯片的制造方法
    半导体芯片的制造方法_琳得科株式会社_202510789888.X
    一种半导体芯片的制造方法， 其依次包含下述工序， 工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序， 在该半导体芯片制作用晶圆中， 在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的凸块形成面， 以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；工序(S2)：...
    2025-12-03
  • 沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构
    沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510993202.9
    本发明提供了一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构， 沟槽刻蚀方法包括在金属层上顺序沉积第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层、第二氮化物层以及第三氧化物层， 第一氧化物层的厚度大于所述第三氧化物层的厚度；在第三氧化物层表面涂布光刻胶层并对光刻胶...
    2025-12-03
  • 减少CMP铜制程的晶圆边缘缺陷的方法
    减少CMP铜制程的晶圆边缘缺陷的方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510819651.1
    本申请提供一种减少CMP铜制程的晶圆边缘缺陷的方法， 在研磨结束于研磨腔晶圆传出位置对晶圆实施预清洗并将晶圆传送至清洗腔后， 对位于晶圆传出位置的夹爪手指的用于夹住晶圆的凹槽进行清洗， 根据对射式激光传感器所判定的夹爪手指的状态通过PLC自...
    2025-12-03
  • 玻璃通孔的填充方法及玻璃基板
    玻璃通孔的填充方法及玻璃基板_玻芯成(重庆)半导体科技有限公司_202510724950.7
    本申请适用于半导体先进封装技术领域， 提供了一种玻璃通孔的填充方法及玻璃基板， 用于提高玻璃通孔的填充质量， 保障玻璃通孔具有良好的导电连通性。玻璃通孔的填充方法包括提供一玻璃基板， 玻璃基板上具有通孔；对玻璃基板进行第一段电镀， 以使通孔...
    2025-12-03
  • 封装基板的制作方法
    封装基板的制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510733933.X
    本公开提供一种封装基板的制作方法。具体地， 所述制作方法包括：提供一具有嵌埋口框的框架基板；其中， 框架基板包括相对的第一表面和第二表面；所述嵌埋口框贯穿所述第一表面和所述第二表面；提供一承载膜；其中， 承载膜包括未固化的无玻纤介质胶膜及键...
    2025-12-03
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