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最新专利技术
  • 一种晶圆加热组件及晶圆处理设备
    一种晶圆加热组件及晶圆处理设备_无锡先为科技有限公司_202311861958.5
    本申请提供一种晶圆加热组件及晶圆处理设备，属于半导体制造技术领域，该晶圆加热组件包括基座，基座具有用于承载晶圆的承载面；感应线圈，感应线圈设于基座的背离承载面的一侧，感应线圈被配置为能够通过电磁感应加热基座，感应线圈为中空结构，用以通入冷却...
    2025-08-11
  • 晶圆测试方法、装置、电子设备和存储介质
    晶圆测试方法、装置、电子设备和存储介质_成都鼎桥通信技术有限公司_202311873056.3
    本申请提供一种晶圆测试方法、装置、电子设备和存储介质。该方法应用于晶圆探针测试台，包括：获取晶圆失效概率映射关系以及目标晶圆的初次测试结果；其中，晶圆失效概率映射关系包括晶圆的初始失效类型与晶圆进行再次测试的失效概率之间对应关系；晶圆的初始...
    2025-08-11
  • 芯片密封环的缺陷性测试方法、系统以及装置
    芯片密封环的缺陷性测试方法、系统以及装置_华为技术有限公司_202311868282.2
    一种芯片密封环的缺陷性测试方法、系统以及装置，属于半导体技术领域。本方法通过对半导体器件进行吸潮处理和冷凝处理，以实现对半导体器件的预处理，其中，吸潮处理能够触发半导体器件吸潮，吸潮能够增加半导体器件的气态水含量，对于存在密封环缺陷的半导体...
    2025-08-11
  • 散热型半导体封装结构及其制备方法
    散热型半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311869434.0
    本发明提供一种散热型半导体封装结构及其制备方法，在制备第三重新布线层的同时形成虚拟金属布线以构成与第一芯片接触的导热轨，且在第三重新布线层的两面键合电连接的第一P型半导体元件、第一N型半导体元件、第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及金属...
    2025-08-11
  • 避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法
    避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311867148.0
    本发明提供一种避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法，制备具有Cu金属柱及位于Cu金属柱上的金属扩散阻挡层的复合金属柱，且在研磨的过程中仅研磨至金属扩散阻挡层，因此，在减薄的同时可避免Cu金属残留至第一硅芯片上，从而可避免Cu/Si同时研磨...
    2025-08-11
  • 散热型半导体封装结构及其制备方法
    散热型半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311864868.1
    本发明提供一种散热型半导体封装结构及其制备方法，在制备第三重新布线层的同时在第一芯片的背面形成具有良好导热性的虚拟金属布线以构成与第一芯片接触的导热轨，且形成与导热轨相接触的金属散热件，以制备具有良好导热性的散热型半导体封装结构；在去除导热...
    2025-08-11
  • 避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法
    避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311864441.1
    本发明提供一种避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法，在贴装前，先将硅晶圆减薄至目标厚度，再制作导热研磨保护层，通过导热研磨保护层可避免Cu/Si同时研磨，避免Cu金属扩散污染，且具有良好导热性的导热研磨保护层还可作为导热件应用，从而在避免...
    2025-08-11
  • 避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法
    避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311863918.4
    本发明提供一种避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法，在贴装前，先将硅晶圆减薄至目标厚度，使得第一封装层包覆硅芯片显露Cu金属柱，而后在硅芯片背面开设凹槽，使得介电层或形成的导热件与硅芯片接触，以提高散热性能，可避免Cu/Si研磨，避免Cu...
    2025-08-11
  • 散热型半导体封装结构及其制备方法
    散热型半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311863795.4
    本发明提供一种散热型半导体封装结构及其制备方法，在制备第三重新布线层的同时在第一芯片的背面形成具有良好导热性的虚拟金属布线以构成与第一芯片接触的导热轨，制备具有良好导热性的散热型半导体封装结构；在去除导热性较差的芯片粘合膜的同时减薄第一芯片...
    2025-08-11
  • 散热型半导体封装结构及其制备方法
    散热型半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311863780.8
    本发明提供一种散热型半导体封装结构及其制备方法，在制备第三重新布线层的同时在第一芯片的背面形成具有良好导热性的虚拟金属布线以构成与第一芯片接触的导热轨，且在第三重新布线层上键合与第三重新布线层电连接的P型半导体元件及N型半导体元件以构成与导...
    2025-08-11
  • 避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法
    避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311855783.7
    本发明提供一种避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法，在研磨减薄第一硅芯片时保留位于Cu金属柱上的封装层，仅对封装层/硅芯片的复合界面进行研磨，而后通过图形化封装层的方式显露Cu金属柱以进行电性连接，因此，在减薄的同时可避免Cu金属残留至第...
    2025-08-11
  • 散热型半导体封装结构及其制备方法
    散热型半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311862357.6
    本发明提供一种散热型半导体封装结构及其制备方法，在制备第三重新布线层的同时在第一芯片的背面形成具有良好导热性的虚拟金属布线以构成与第一芯片接触的导热轨，且在第三重新布线层上键合与第三重新布线层电连接的P型半导体元件、N型半导体元件及金属散热...
    2025-08-11
  • 一种锗硅刻蚀液的应用
    一种锗硅刻蚀液的应用_上海新阳半导体材料股份有限公司_202311854475.2
    本发明公开了一种锗硅刻蚀液的应用。所述的锗硅刻蚀液应用为在选择性刻蚀GAA MOSFET结构中牺牲层中的应用，所述的锗硅刻蚀液其包含下述质量分数的组分：0.1％‑5％的氟化物、5％‑25％的氧化剂、0.5％‑2％抑制剂和水。本发明的锗硅刻蚀...
    2025-08-11
  • SAB光罩及改善金属栅极器件的颗粒缺陷的方法
    SAB光罩及改善金属栅极器件的颗粒缺陷的方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311855758.9
    本发明提供了一种SAB光罩及改善金属栅极器件的颗粒缺陷的方法，所述方法包括：提供衬底，其上覆盖有伪多晶硅材料层；对伪多晶硅材料层执行光刻工艺及刻蚀工艺以形成伪多晶硅栅，并在衬底的划片道上形成伪多晶硅栅的套刻标记；形成SAB层覆盖衬底的部分区...
    2025-08-11
  • 一种激光退火方法及光刻方法
    一种激光退火方法及光刻方法_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202311864031.7
    本发明提供了一种激光退火方法。具体的，可将相邻第一轨迹(相邻扫描轨迹)之间的第二轨迹(步进轨迹)优化为至少一曲线轨迹，并让该第二轨迹与其相邻的所述第一轨迹均相切，从而通过将相邻扫描轨迹的步进轨迹优化为与其均相切的弧线轨迹的方式，可以保持步进...
    2025-08-11
  • 一种聚焦离子束挡板机构及刻蚀设备
    一种聚焦离子束挡板机构及刻蚀设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311851004.6
    本发明公开了一种聚焦离子束挡板机构及刻蚀设备，聚焦离子束挡板机构包括：连接支架，连接支架安装在刻蚀设备的反应腔内；安装在连接支架上的挡板，挡板设置在刻蚀设备的工件载台及聚焦离子源之间，且挡板上开设有允许聚焦离子源发出的聚焦离子束穿过的孔洞；...
    2025-08-11
  • 四维电子显微镜
    四维电子显微镜_北京大学_202311869420.9
    本申请涉及一种四维电子显微镜，包括光源组件、电子源、电子光学组件和探测器，光源组件用于发射脉冲激光。电子源包括与光源组件耦接的激发光纤，以及电子发射层，电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层设置于激发光纤出射脉冲激光的出光路径上，以使电子...
    2025-08-11
  • 电子源、电子枪以及电子源的应用
    电子源、电子枪以及电子源的应用_北京大学_202311865833.X
    本申请涉及一种电子源、电子枪以及电子源的应用，该电子源包括光纤、导电连接层和电子发射层，导电连接层设置于光纤的外表面；电子发射层至少包括与导电连接层电连接的电子激发层，电子发射层设置于光纤的激光出射路径上，且光纤出射的激光能够直接照射在电子...
    2025-08-11
  • X射线管
    X射线管_北京大学_202311865921.X
    本申请涉及一种X射线管。一种X射线管包括管体、电子源和阳极靶。管体内具有真空腔室，电子源包括光纤和电子发射层，光纤的出光端位于真空腔室内，电子发射层设置于光纤的出光端，且电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层设置于光纤出射激光的出光路径上...
    2025-08-11
  • 磁控管
    磁控管_深圳国际量子研究院_202311872399.8
    本申请涉及一种包括管体、电子源、磁极组和阳极组件的磁控管，管体内具有真空腔室，电子源包括光纤和电子发射层，电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层设置于光纤出射激光的出光路径上，使电子激发层能够在激光的激发下出射电子束；电子激发层包括零维材...
    2025-08-11
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