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最新专利技术
  • 一种晶圆加热组件及晶圆处理设备
    一种晶圆加热组件及晶圆处理设备_无锡先为科技有限公司_202311861958.5
    本申请提供一种晶圆加热组件及晶圆处理设备，属于半导体制造技术领域，该晶圆加热组件包括基座，基座具有用于承载晶圆的承载面；感应线圈，感应线圈设于基座的背离承载面的一侧，感应线圈被配置为能够通过电磁感应加热基座，感应线圈为中空结构，用以通入冷却...
    2025-08-12
  • 晶圆位置校准装置、方法、校准腔室和半导体工艺设备
    晶圆位置校准装置、方法、校准腔室和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202311865565.1
    本发明提供一种晶圆位置校准装置、方法、校准腔室和半导体工艺设备，该装置包括：用于承载晶圆的基座；多个偏差检测传感器，沿基座的周向间隔分布，且能够沿基座的径向同步移动；多个偏差检测传感器用于朝向基座发射检测信号，多个偏差检测传感器发射的检测信...
    2025-08-12
  • 一种冷却结构及其制造方法
    一种冷却结构及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202311867501.5
    本发明公开了一种冷却结构，包括内套和外套，所述内套两侧可拆卸连接，以与圆形加热体外径匹配，所述外套套设于内套外，且四周与内套焊接，所述内套与外套之间焊接有多条隔条，并通过所述隔条形成冷却通道，所述冷却通道一端连接进水口，另一端连接出水口。本...
    2025-08-12
  • 基片处理装置
    基片处理装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202311869358.3
    本发明公开了一种基片处理装置，涉及半导体设备技术领域，其包括处理槽，用于贮存对多个基片实施处理的处理液，所述处理槽包括溢流位，所述处理液通过所述溢流位溢流至外部；阻挡部，设置于所述处理槽内，所述阻挡部顶部的高度高于所述溢流位的高度，所述阻挡...
    2025-08-12
  • 基板处理设备及方法
    基板处理设备及方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202311861507.1
    本发明公开了一种基板处理设备及方法，该基板处理设备包括：液处理槽，用于储存处理液，以对基板进行液处理；缓存装置，用于接收并暂存干燥处理后的基板；干燥腔，用于对液处理后的基板进行干燥处理，且干燥腔可移动地设置在液处理槽和缓存装置上方。本申请通...
    2025-08-12
  • 一种限位柱同心度调试系统及调试方法
    一种限位柱同心度调试系统及调试方法_苏州芯睿科技有限公司_202311851879.6
    本发明涉及调试系统技术领域，尤其涉及一种限位柱同心度调试系统及调试方法。该限位柱同心度调试方法包括以下步骤：沿热盘周向设置至少两个限位柱，使至少两个限位柱的第一限位面围设形成限位空间，限位空间被配置为放置晶圆；放置限位工装于热盘上，其中限位...
    2025-08-12
  • 一种承载装置及检测设备
    一种承载装置及检测设备_深圳中科飞测科技股份有限公司_202311866025.5
    一种承载装置及检测设备；承载装置包括承载件，承载件具有第一气路和第二气路，第一气路和第二气路各自具有气源孔、气压通道和多个气压孔；气压孔与气源孔分别设置于承载件的承载面和连接面，气压通道设置于承载件的内部；气压通道包括处于不同高度位置的第一...
    2025-08-12
  • 组装设备及其控制方法、固晶系统
    组装设备及其控制方法、固晶系统_京东方科技集团股份有限公司_202311863267.9
    本申请公开了一种组装设备及其控制方法、固晶系统，属于自动化技术领域。组装设备，包括：第一获取机构、第二获取机构、第一转移机构、第一图像获取机构和承载机构。通过该组装设备不仅可以实现载体基板与支撑载具之间组装，还可以根据第一图像获取机构获取支...
    2025-08-12
  • 多层布线芯片的制造方法以及超导量子芯片
    多层布线芯片的制造方法以及超导量子芯片_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202311867112.2
    本发明公开了一种多层布线芯片的制造方法以及超导量子芯片。制造方法包括：提供衬底；在衬底表面依次形成超导接地层、第一超导层和第二超导层；在第二超导层上形成包裹有至少一层超导布线层的介质结构，超导布线层位于衬底的预定区域的上方；采用以第二超导层...
    2025-08-12
  • 一种电子模块、电子组件以及电子设备
    一种电子模块、电子组件以及电子设备_华为技术有限公司_202311871633.5
    本申请实施例提供一种电子模块、电子组件以及电子设备。该电子模块包括电子元件，电子元件的表面设置有基板，基板背离电子元件的一侧设置有多个散热凸起，该多个散热凸起间隔排布。散热凸起具有较大的表面积，和冷却介质之间的换热效率较高，从而可以提高电子...
    2025-08-12
  • 一种芯片封装结构、单板及网络设备
    一种芯片封装结构、单板及网络设备_华为技术有限公司_202311862481.2
    本申请实施例提供一种芯片封装结构、单板及网络设备，涉及半导体器件技术领域，用于提高芯片封装结构的密封可靠性，防止冷却液泄露。该芯片封装结构包括封装基板、散热盖、芯片和密封结构。散热盖罩设于封装基板上，散热盖与封装基板围设出散热腔。芯片位于散...
    2025-08-12
  • 芯片散热结构和终端设备
    芯片散热结构和终端设备_杭州阿里云飞天信息技术有限公司_202311862099.1
    本发明实施例公开了一种芯片散热结构和终端设备，其芯片散热结构包括电路板、设在所述电路板上的芯片组、设在所述电路板上的冷板、热管；所述芯片组包括主芯片和设在所述主芯片周边的小芯片；所述冷板朝向所述电路板的一面与所述主芯片接触；所述热管的一端连...
    2025-08-12
  • 封装件及制备方法以及电气系统
    封装件及制备方法以及电气系统_深圳赛意法微电子有限公司_202311862019.2
    本公开涉及封装件及制备方法以及电气系统。提供了一种封装件，包括：安装基板，至少一个功率芯片附接到安装基板的第一表面，所述功率芯片包括功率器件；以及引线框架，包括第一芯片附接部和至少一个第一引线，至少一个协作器件芯片被附接到所述第一芯片附接部...
    2025-08-12
  • 显示模组及其制备方法、显示装置
    显示模组及其制备方法、显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202311866580.8
    本公开提供了一种显示模组及其制备方法、显示装置，其中显示模组包括依次层叠的印制电路板、支撑层以及显示面板，显示面板的第一端超出支撑层的边缘区域，第一端中靠近印制电路板的一面设置有信号传输站点，信号传输站点通过薄膜覆晶封装结构与印制电路板电连...
    2025-08-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202311868424.5
    本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构包括：衬底，包括相对的第一面和第二面；贯穿衬底的互连通孔；位于第一面表面和互连通孔的侧壁表面的第一电极层、位于第一电极层表面的介电层以及位于介电层表面的第二电极层；位于互连通孔内的第二电极层...
    2025-08-12
  • 一种锥形孔加工方法及装置
    一种锥形孔加工方法及装置_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202311868518.2
    本申请提供一种锥形孔加工方法及装置，涉及激光微加工技术领域，在激光改质配合化学腐蚀的加工方法的基础上，针对锥形孔进行优化，从而相对现有技术不仅能够有效缓解加工过程中容易产生大尺寸崩边的现象，也能够获得具有锥度且内壁较为光滑的锥形孔，满足封装...
    2025-08-12
  • 多层电容器结构及其制造方法
    多层电容器结构及其制造方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311855753.6
    本发明提供了一种多层电容器结构及其制造方法，所述多层电容器结构包括：衬底；由电极材料层和介电材料层交替形成的堆叠体，多个电极材料层包括依次交替设置的第一电极及第二电极；至少部分贯穿堆叠体的第一电极孔，其内交替设有第一导体和第一间隔，各第一导...
    2025-08-12
  • 芯片电路防干扰结构及芯片
    芯片电路防干扰结构及芯片_格科微电子(上海)有限公司_202311866613.9
    本发明公开了一种芯片电路防干扰结构及芯片，结构包括：多层电容结构，包括交替设置的接地区及具有稳定电位的至少一沟槽隔离结构。本发明通过在芯片上交替设置接地区及具有稳定电位的至少一沟槽隔离结构，从而使得接地区和沟槽隔离结构形成多层电容结构，由于...
    2025-08-12
  • 一种具有自适应性的金属锂复合电极及其制备方法
    一种具有自适应性的金属锂复合电极及其制备方法_天津中能锂业有限公司_202311851976.5
    本申请涉及一种具有自适应性的金属锂复合电极及其制备方法，所述电极包括正极活性材料层、集流体和锂碳材料层，所述集流体设置正极活性材料层和锂碳材料层之间；所述锂碳材料层包括弹性锂单体，所述弹性锂单体包括锂粉和/或锂合金粉作为活性内核，管状碳纳米...
    2025-08-12
  • 正极极片、锂电池和装置
    正极极片、锂电池和装置_比亚迪股份有限公司_202311868802.X
    本申请提供了一种正极极片、锂电池和装置。该正极极片包括正极集流体及依次层叠设置在正极集流体至少一侧的第一正极材料层和第二正极材料层，第一正极材料层包括第一磷酸锰铁锂材料，其中的Mn/(Mn+Fe)摩尔比为x；第二正极材料层包括第二磷酸锰铁锂...
    2025-08-12
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